发光元件和包括该发光元件的显示装置制造方法及图纸

技术编号:34365059 阅读:64 留言:0更新日期:2022-07-31 08:28
一种发光元件,其包括第一电极、第二电极和光发射层,所述光发射层介于所述第一电极和所述第二电极之间,其中所述光发射层的发射效率基于施加到选自所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的电压而变化。极中的至少一个的电压而变化。极中的至少一个的电压而变化。

Light emitting element and display device including the same

【技术实现步骤摘要】
发光元件和包括该发光元件的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月18日提交的韩国专利申请号10

2021

0006642的优先权和从其获得的所有权益,其全部内容全文以引用方式并入本文中。

技术介绍


[0003]本公开涉及一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。
[0004]相关技术
[0005]量子点是一种直径约为10纳米(nm)或更小的半导体材料的纳米晶体,并且是具有量子限制效应的材料。量子点通常在窄波段产生比普通磷光体更强的光。当受激电子从导带跃迁到价带时,产生了量子点的光发射,并且即使在其中量子点由相同材料形成的情况下,量子点也具有波长随粒度变化的特性。随着量子点的尺寸变小,量子点发射波长更短的光,因此通过控制其尺寸,可以获得期望波长区域的光。
[0006]也即,与包括发射层(该发射层含有磷光和/或荧光材料)的有机发光元件相比,包括量子点的发射层和包括发射层的各种发光元件通常具有较低的制造成本,并且可以通过改变量子点的尺寸来发射期望的颜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包括:第一电极;第二电极;和光发射层,其介于所述第一电极和所述第二电极之间,其中所述光发射层的发射效率基于施加到选自所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的电压而变化。2.如权利要求1所述的发光元件,其中在其间所述光发射层发射光的发射时段中施加到所述第一电极的电压高于在所述发射时段中施加到所述第二电极的电压。3.如权利要求2所述的发光元件,其中在其间所述光发射层不发射光的非发射时段中施加到所述第二电极的电压高于在所述非发射时段中施加到所述第一电极的电压。4.如权利要求1所述的发光元件,其中在一个帧中的其间所述光发射层发射光的发射时段比在所述一个帧中的其间所述光发射层不发射光的非发射时段长。5.如权利要求1所述的发光元件,其中在其间所述光发射层不发射光的非发射时段,所述光发射层的发射效率增加。6.如权利要求1所述的发光元件,其中所述光发射层包括量子点层。7.如权利要求6所述的发光元件,其中所述量子点层包括量子点磷光体材料或磷光材料。8.如权利要求6所述的发光元件,其中所述量子点层设置为多个。9.一种显示装置,包括:多个像素,其中所述多个像素中的每一个包括:发光二极管;第一晶体管,其连接在所述发光二极管的阳极和第一电源电压线之间;第二晶体管,其响应于第一扫描信号将数据信号传输到所述第一晶体管的栅极;电容器,其连接到所述第一晶体管的栅极,其中所述电容器存储对应于所述数据信号的电压;第三晶体管,其连接在所述第一晶体管的一个端部和所述发光二极管的阴极之间;第四晶体管,其连接在所述发光二极管的阳极和第二电源电压线之间;和第五晶体管,其与所述第四晶体管互补地操作,并且连接在所述发光二极管的阴极和所述第二电源电压线之间,并且其中所述发光二极管的发射效率基于施加到选自所述阳极和所述阴极中的至少一个的电压而变化。10.如权利要求9所述的显示装置,其中所述第五晶体管在发射时段中导通,在所述发射时段中所述发...

【专利技术属性】
技术研发人员:O曹金泰亨李日荣张银珠尹园植
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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