阵列基板和显示面板制造技术

本公开提供了一种阵列基板和显示面板，属于显示技术领域。该阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、绝缘介质层和第二电极层；阵列基板还设置有多个数据引线；第一电极层和第二电极层中的一个设置有狭缝电极；狭缝电极设于相邻两个数据引线之间，且包括电极连接部和多个第一条形子电极；各个第一条形子电极的一端均与电极连接部连接；电极连接部包括平行于相邻的数据引线的第一连接段；各个第一条形子电极位于第一连接段的同一侧；在沿远离第一连接段的方向上，第一条形子电极的宽度逐渐减小；相邻两个第一条形子电极在平行于第一连接段延伸方向上的距离，在沿远离第一连接段的方向上逐渐增大。该阵列基板能够减弱或者消除相错现象。消除相错现象。消除相错现象。

Array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)显示面板中的液晶一般基于面板水平排列，采用边缘电场对液晶的偏转方向进行控制，存在视角，色偏优势，但是相对于VA垂直配向驱动的液晶显示模式，ADS受限于液晶配向预倾角度和偏光片偏贴精度影响，对比度存在劣势。为改善ADS的对比度，人们提出了基于ADS边缘电场驱动的垂直配向液晶显示模式，然而，在这种技术中，在电极中央区域会发生部分液晶不偏转的问题，这使得该区域会形成暗线而出现相错现象，导致亮态画面的亮度降低，显示面板的出光效率下降。
[0003]所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种阵列基板和显示面板，减弱或者消除相错现象。
[0005]为实现上述专利技术目的，本公开采用如下技术方案：
[0006]根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板，包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、绝缘介质层和第二电极层；其中，所述阵列基板还设置有多个数据引线；所述第一电极层和所述第二电极层中的一个设置有至少一个狭缝电极；
[0007]所述狭缝电极设置于相邻两个所述数据引线之间，且包括电极连接部和多个第一条形子电极；各个所述第一条形子电极的一端均与所述电极连接部连接；
[0008]所述电极连接部包括平行于相邻的所述数据引线的第一连接段；各个所述第一条形子电极位于所述第一连接段的同一侧；在沿远离所述第一连接段的方向上，所述第一条形子电极的宽度逐渐减小；
[0009]相邻两个所述第一条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离，在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一连接段包括相对设置的第一端和第二端；在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第二端的一侧延伸；
[0011]任意一个所述第一条形子电极包括相对设置且与所述电极连接部连接的第一边缘和第二边缘，且所述第一条形子电极的第一边缘位于所述第一条形子电极的第二边缘远离所述第一连接段的第一端的一侧；
[0012]在一个所述狭缝电极中，各个所述第一条形子电极的第一边缘相互平行，或者各个所述第一条形子电极的第二边缘相互平行，或者各个所述第一条形子电极的轴线相互平行。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一条形子电极的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第一辅助设计线；所述第一条形子电极的第二边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第二辅助设计线；
[0014]所述第一连接段具有相对设置且平行于所述第一连接段的延伸方向的第一边缘和第二边缘；所述第一连接段的第二边缘位于所述第一连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧；所述第一连接段的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线，为所述第一连接段的辅助设计线；
[0015]在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第一设计参考点；
[0016]在连接至所述第一连接段的各个所述第一条形子电极中，任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，在一个所述狭缝电极中，任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。
[0018]在本公开的一种示例性实施例中，在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点；所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸；
[0019]在一个所述狭缝电极中，各个所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸相同。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，所述电极连接部还包括第二连接段，所述第二连接段与所述第一连接段的第一端连接；
[0021]在一个所述狭缝电极中，部分所述第一条形子电极连接至所述第一连接段，且其余所述第一条形子电极连接至所述第二连接段。
[0022]在本公开的一种示例性实施例中，所述第二连接段具有相对设置且与所述第一连接段连接的第一边缘和第二边缘；其中，所述第二连接段的第二边缘位于所述第二连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧；所述第二连接段的第一边缘与所述第一连接段直接相连的部分，在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二连接段的辅助设计线；
[0023]所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第三设计参考点；所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第四设计参考点；所述第一条形子电极的第三设计参考点和第四设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第二设计参考尺寸；
[0024]其中，在连接至所述第二连接段的各个所述第一条形子电极中，各个所述第一条形子电极的第二设计参考尺寸相同。
[0025]在本公开的一种示例性实施例中，在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点；所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸；
[0026]部分所述第一条形子电极远离所述第一连接段一端具有平行于所述第一连接段延伸方向的第三边缘；所述第三边缘的尺寸等于连接至所述第一连接段的所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸的0.4～0.8倍。
[0027]在本公开的一种示例性实施例中，在一个所述狭缝电极中，至少部分所述第一条形子电极远离所述第一连接段一端的宽度相同。
[0028]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一条形子电极的第一边缘、所述第一条形子电极的第二边缘和所述第一条形子电极的轴线方向中的至少一个，与所述第一连接段的延伸方向之间的夹角在40
°
～50
°
内取值。
[0029]在本公开的一种示例性实施例中，所述狭缝电极还包括位于所述第一连接段同一侧的多个第二条形子电极；各个所述第二条形子电极的一端均与所述电极连接部连接；所述第二条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第一端的一侧延伸，且宽度逐渐减小；
[0030]相邻两个所述第二条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离，在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。
[0031]在本公开的一种示例性实施例中，所述电极连接部还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极层、绝缘介质层和第二电极层；其中，所述阵列基板还设置有多个数据引线；所述第一电极层和所述第二电极层中的一个设置有至少一个狭缝电极；所述狭缝电极设置于相邻两个所述数据引线之间，且包括电极连接部和多个第一条形子电极；各个所述第一条形子电极的一端均与所述电极连接部连接；所述电极连接部包括平行于相邻的所述数据引线的第一连接段；各个所述第一条形子电极位于所述第一连接段的同一侧；在沿远离所述第一连接段的方向上，所述第一条形子电极的宽度逐渐减小；相邻两个所述第一条形子电极在平行于所述第一连接段延伸方向上的距离，在沿远离所述第一连接段的方向上逐渐增大。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一连接段包括相对设置的第一端和第二端；在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极在沿远离所述第一连接段的方向上向靠近所述第一连接段的第二端的一侧延伸；任意一个所述第一条形子电极包括相对设置且与所述电极连接部连接的第一边缘和第二边缘，且所述第一条形子电极的第一边缘位于所述第一条形子电极的第二边缘远离所述第一连接段的第一端的一侧；在一个所述狭缝电极中，各个所述第一条形子电极的第一边缘相互平行，或者各个所述第一条形子电极的第二边缘相互平行，或者各个所述第一条形子电极的轴线相互平行。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一条形子电极的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第一辅助设计线；所述第一条形子电极的第二边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第一条形子电极的第二辅助设计线；所述第一连接段具有相对设置且平行于所述第一连接段的延伸方向的第一边缘和第二边缘；所述第一连接段的第二边缘位于所述第一连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧；所述第一连接段的第一边缘在所述衬底基板上的正投影所在的直线，为所述第一连接段的辅助设计线；在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第一设计参考点；在连接至所述第一连接段的各个所述第一条形子电极中，任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，在一个所述狭缝电极中，任意相邻的两个所述第一条形子电极的第一设计参考点之间的距离相等。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，在一个所述狭缝电极中，所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第一连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第二设计参考点；所述第一条形子电极的第一设计参考点和第二设计参考点之间的距离为所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸；在一个所述狭缝电极中，各个所述第一条形子电极的第一设计参考尺寸相同。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述电极连接部还包括第二连接段，所述第二连接段与所述第一连接段的第一端连接；
在一个所述狭缝电极中，部分所述第一条形子电极连接至所述第一连接段，且其余所述第一条形子电极连接至所述第二连接段。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第二连接段具有相对设置且与所述第一连接段连接的第一边缘和第二边缘；其中，所述第二连接段的第二边缘位于所述第二连接段的第一边缘远离所述第一条形子电极的一侧；所述第二连接段的第一边缘与所述第一连接段直接相连的部分，在所述衬底基板上的正投影所在的直线为所述第二连接段的辅助设计线；所述第一条形子电极的第一辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条形子电极的第三设计参考点；所述第一条形子电极的第二辅助设计线与所述第二连接段的辅助设计线的交点为所述第一条...

【专利技术属性】
技术研发人员：方正，梁蓬霞，石戈，杨松，刘玉杰，韩佳慧，孙艳六，崔贤植，李鸿鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：