半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；位于所述衬底表面若干栅极结构，所述栅极结构横跨若干所述鳍部结构，所述栅极结构包括位于所述衬底上的功函数层、以及位于所述功函数层表面的第一阻挡层，所述第一阻挡层的材料内包括金属元素原子、第二元素原子和第三元素原子，所述第二元素原子呈非晶态、或所述第二元素原子和第三元素原子呈非晶态。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性。结构的性能和可靠性。结构的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]互补型金属氧化物半导体管(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor，CMOS)是构成集成电路的基本半导体器件之一。互补型金属氧化物半导体管包括P型金属氧化物半导体(PMOS)和N型金属氧化物半导体(NMOS)。
[0003]在现有技术中，为了在减小栅极尺寸的同时控制短沟道效应，通常采用高K介质材料取代常规的氧化硅等材料作为晶体管的栅介质层，采用金属材料取代常规的多晶硅等材料作为晶体管的栅电极层。不仅如此，为了调节PMOS管和NMOS管的阈值电压，会在PMOS管和NMOS管的栅介质层表面形成功函数层(work function layer)。由于PMOS管和NMOS管对功函数的调节需求不同，因此，功函数层的材料不同，以满足各自功函数调节的需求。
[0004]然而，现有的栅极结构仍然有待改善。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；位于所述衬底表面若干栅极结构，所述栅极结构横跨若干所述鳍部结构，所述栅极结构包括位于所述衬底上的功函数层、以及位于所述功函数层表面的第一阻挡层，所述第一阻挡层的材料内包括金属元素原子、第二元素原子和第三元素原子，所述第二元素原子呈非晶态、或所述第二元素原子和第三元素原子呈非晶态。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二元素为Si，所述第三元素为N。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二元素原子和第三元素原子构成非晶态Si3Ni4。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为TiSiN。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度范围是1埃至20埃。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括：位于所述第一阻挡层表面的第二阻挡层，所述第二阻挡层的材料包括TiN。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功函数层包括P型功函数层，所述P型功函数层的材料为氮化钛和氮化钽中的一种或全部。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述功函数层还包括位于P型功函数层上的N型功函数层，所述N型功函数层的材料为钛铝合金。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括：位于所述功函数层和衬底之间的栅介质层、以及位于所述第一阻挡层表面的金属栅。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括：位于所述栅介质层和功函数层之间的第三阻挡层。11.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：周真，王步雪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：