【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆位置检测装置
[0001]本技术涉及半导体检测领域,尤其涉及一种半导体晶圆位置检测装置。
技术介绍
[0002]晶圆(Wafer)通常用作集成电路的载体以制作芯片,集成电路包括大量的晶体管,芯片制作的过程中,如果不同工序步骤中晶圆的位置和角度存在偏差,会导致不良的工艺结果。另外,当晶圆在工艺设备中被处理时,需要进行传送,传送位置的偏差可能带来晶圆传送失败、晶圆掉落、晶圆破碎等严重问题。例如,芯片的制作过程中,在采用离子注入工艺进行掺杂前,均需要对晶圆进行缺口识别,通过识别晶圆缺口确定晶圆的角度及位置。传统识别方法采用传感器检测,检测精度低,耗时较长。
[0003]现对真空腔体内的晶圆进行视觉识别,确定晶圆的位置和角度,通常需要配置合适的照明光源,提高相机拍到的晶圆图像的清晰度,从而提高视觉识别的准确率和检测精度。
[0004]但是现有的半导体晶圆位置检测装置中,很多场合需要对真空腔体内的晶圆进行监测,由于真空腔体的结构特殊性,视觉检测用光源的安装结构受到很大限制,照明光不能很好的对晶圆进行照明,不利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆位置检测装置,其特征在于,包括:真空的腔室,待检测的圆晶被放置在所述腔室中,所述腔室的顶部具有腔室开口;透明窗口,设置在所述腔室开口处,与所述腔室开口形成密封连接;承片台,位于所述真空的腔室内,用于承载晶圆;晶圆,被放置在所述承片台上;发光装置,位于所述腔室外部,且位于所述透明窗口的上方,用于提供穿过所述透明窗口的照明光;反光装置,在所述腔室中,且位于所述腔室开口和晶圆之间,用于反射所述照明光至所述晶圆的边缘;对准标记,位于所述腔室中,且位于晶圆边缘以外;图像获取装置,位于所述发光装置的上方,用于获取晶圆和对准标记的图片。2.如权利要求1所述的半导体晶圆位置检测装置,其特征在于,所述发光装置包括:环形安装部;第一锥度孔,位于所述环形安装部的底部,且所述第一锥度孔的顶部为小径端,所述第一锥度孔的底部为大径端;环形光源,沿周向设置在所述第一锥度孔的侧壁上。3.如权利要求2所述的半导体晶圆位置检测装置,其特征在于,所述发光装置还包括:匀光板,位于所述第一锥度孔的内壁上,覆盖所述环形光源。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:李轩,夏世伟,杰夫,
申请(专利权)人:上海凯世通半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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