元件基板及其制造方法技术

一种元件基板及其制造方法，元件基板包括第一基板、第一电极、接合垫以及牺牲电极。第一基板具有主动区以及位于主动区的至少一侧的周边区。第一电极位于主动区之上，且包括第一金属层。接合垫位于周边区之上。牺牲电极包括第二金属层以及牺牲氧化物层。第一金属层电性连接至第二金属层。牺牲氧化物层位于第二金属层的表面，且为第二金属层的氧化物。第二金属层的标准还原电位低于第一金属层的标准还原电位。电位。电位。

Component substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
元件基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种元件基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管是一种电致发光的半导体元件，具有效率高、寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。一般而言，有机发光二极管包含上电极、下电极以及位于上电极与下电极之间的有机发光半导体。在制备有机发光半导体显示装置的过程中，有机发光二极管的电极有可能会接触到氧气，导致有机发光二极管的电极氧化。有机发光二极管的电极在氧化后可能会产生细小的氧化物颗粒，并影响有机发光二极管的效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种元件基板，能避免第一电极的第一金属层在制造过程中氧化。
[0004]本专利技术提供一种元件基板的制造方法，能避免第一电极的第一金属层氧化。
[0005]本专利技术的至少一实施例提供一种元件基板。元件基板包括第一基板、第一电极、接合垫以及牺牲电极。第一基板具有主动区以及位于主动区的至少一侧的周边区。第一电极位于主动区之上，且包括第一金属层。接合垫位于周边区之上。牺牲电极位于第一基板之上。牺牲电极包括第二金属层以及牺牲氧化物层。第二金属层电性连接至第一金属层。牺牲氧化物层位于第二金属层的表面，且为第二金属层的氧化物。第二金属层的标准还原电位低于第一金属层的标准还原电位。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种元件基板的制造方法，包括：提供第一基板，第一基板具有主动区以及位于主动区的至少一侧的周边区；形成第二金属层于第一基板之上；形成接合垫于周边区之上；形成第一电极于主动区之上，其中第一电极包括第一金属层，其中第二金属层电性连接至第一金属层，其中第二金属层的标准还原电位低于第一金属层的标准还原电位；以及通过氧化至少部分第二金属层而于第二金属层的表面形成牺牲氧化物层，且氧化至少部分第二金属层时产生的电子传递至第一金属层。
[0007]基于上述，第一金属层电性连接至第二金属层，且第二金属层的标准还原电位低于第一金属层的标准还原电位，因此，在元件基板的制造过程中，第二金属层氧化时所产生的电子可以传递至第一金属层，进而改善了第一金属层在制造过程中出现氧化的问题。
附图说明
[0008]图1是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。
[0009]图2A至图2E是图1的元件基板的制造方法的剖面示意图。
[0010]图3是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。
[0011]图4是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。
[0012]图5是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的俯视图。
[0013]图6是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的俯视图。
[0014]附图标记说明：
[0015]10,20,30,40,50：元件基板
[0016]100：第一基板
[0017]110：第一绝缘层
[0018]112：第一开口
[0019]114：第二开口
[0020]116：第三开口
[0021]120：第二绝缘层
[0022]122：第四开口
[0023]130：像素定义层
[0024]132：通孔
[0025]140：间隙物
[0026]200：像素控制电路
[0027]310：牺牲电极
[0028]312：第二金属层
[0029]314：牺牲氧化物层
[0030]320：导线
[0031]330,332：第一测试信号线
[0032]340,334：第二测试信号线
[0033]400,410,420：接合垫
[0034]500：有机发光二极管
[0035]510：第一电极
[0036]512：底部氧化物层
[0037]512s,514s,516s：侧面
[0038]512t,516t：顶面
[0039]514：第一金属层
[0040]516：顶部氧化物层
[0041]520：有机发光材料
[0042]530：第二电极
[0043]600：第二基板
[0044]700：封胶
[0045]810：第一测试接垫
[0046]820：第二测试接垫
[0047]AA：主动区
[0048]BA：接合区
[0049]CH：通道层
[0050]CL：切割线
[0051]D：漏极
[0052]e：路线
[0053]G：栅极
[0054]PA：周边区
[0055]S：源极
[0056]T：主动元件
具体实施方式
[0057]以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解的是，这些实务上的细节不应用被以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有的结构与元件在附图中将省略或以简单示意的方式为之。
[0058]应当理解，尽管术语“第一”与“第二”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。
[0059]图1是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。请参考图1，元件基板10包括第一基板100、第一电极510、接合垫400以及牺牲电极310。在本实施例中，元件基板10还包括像素控制电路200、导线320、第一测试信号线330、第一绝缘层110、第二绝缘层120、像素定义层130、间隙物140、有机发光材料520、第二电极530、第二基板600以及封胶700。
[0060]第一基板100具有主动区AA以及位于主动区AA的至少一侧的周边区PA。周边区PA中包括接合区BA。第一基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在第一基板100上覆盖一层绝缘层(未示出)，以避免短路问题。
[0061]像素控制电路200位于第一基板100的主动区AA之上。像素控制电路200可以包括至少一主动元件。在本实施例中，像素控制电路200可以为任何形式的主动元件阵列。
[0062]导线320自第一基板100的周边区PA上方延伸进第一基板100的主动区AA上方。虽然在图1中，部分导线320直接位于第一基板100上，但本专利技术不以此为限。实际上，导线320与第一基板100之间可以隔有绝缘层及/或缓冲层。依据电路布局的需要，导线320可以包括单层或多层结构。具体地说，元件基板10可以包括由多层导电图案层所构成的电路，而不同导电图案层之间夹有绝缘层，且不同导电图案层可以通过绝缘层中的导电通孔而彼此电性连接。在一些实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种元件基板，包括：一第一基板，具有一主动区以及位于该主动区的至少一侧的一周边区；一第一电极，位于该主动区之上，且该第一电极包括一第一金属层；一接合垫，位于该周边区之上；以及一牺牲电极，位于该第一基板之上，且包括：一第二金属层，电性连接至该第一金属层；以及一牺牲氧化物层，位于该第二金属层的表面，其中该牺牲氧化物层为该第二金属层的氧化物，且该第二金属层的标准还原电位低于该第一金属层的标准还原电位。2.如权利要求1所述的元件基板，其中该牺牲电极与该接合垫皆位于该周边区之上，且该第一金属层电性连接至该牺牲电极与该接合垫。3.如权利要求1所述的元件基板，还包括：一第一测试接垫，位于该周边区之上，且该第一测试接垫电性连接至该第一电极，其中该牺牲电极位于该第一测试接垫与该接合垫之间；以及一第一测试信号线，电性连接该第一测试接垫。4.如权利要求1所述的元件基板，其中两个以上的该第一电极电性连接至同一个该牺牲电极。5.如权利要求1所述的元件基板，还包括：一绝缘层，位于该主动区之上与该周边区之上，其中该绝缘层具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口，该第一电极填入该第一开口中，该接合垫填入该第二开口中，且该牺牲电极位于该第三开口的底部。6.如权利要求1所述的元件基板，其中该第一电极包括按序堆叠的一底部氧化物层、该第一金属层以及一顶部氧化物层，该第一金属层包覆该底部氧化物层的顶面以及侧面，且该顶部氧化物层的侧面与该第一金属层的侧面对齐。7.如权利要求1所述的元件基板，还包括：一像素控制电路，位于该主动区之上，且电性连接该第一电极，其中该像素控制电路包括至少一主动元件。8.如权利要求1所述的元件基板，还包括：一像素定义层，位于该第一电极上，且接触该第一电极的该第一金属层，其中该像素定义层包括重叠于该第一电极的一通孔；一有机发光材料，位于该通孔中，且接触该第一电极；以及一第二电极，位于该有机发光材料上，且该有机发光材料位于该第二电极与该第一电极之间。9.如权利要求1所述的元件基板，其中该第一金属层包括银，且该第二金属层的标准还原电位低于+0.7996V。10.一种元件基板的制造方法，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡榕陞，李文仁，余志坚，来汉中，刘树橿，洪濬成，胡仰霈，甄美英，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：