显示面板及其制备方法技术

本申请公开了一种显示面板、一种显示面板制备方法，在面阴极搭接区，该显示面板包括阵列基板、辅助电极、发光材料层、阴极，辅助电极与阵列基板之间设置有底切凹槽，发光材料层填充于底切凹槽内，阴极与辅助电极呈面接触设置；通过使发光材料层填充于底切凹槽内，露出的部分辅助电极与阴极接触，增大阴极与辅助电极的接触面积，降低了阴极的接触阻抗，缓解了现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。

Display panel and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板、一种显示面板制备方法。

技术介绍

[0002]现有显示面板的阴极通常采用薄层金属银等电阻率较大的材料制备，造成电压降较大，导致阵列基板的实际驱动电压与电源电压有较大的差异，在大尺寸显示面板中，表现为大面积的亮度不均匀，从而影响显示效果。
[0003]因此，现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种显示面板、一种显示面板制备方法，可以缓解现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种显示面板，包括面阴极搭接区，所述面阴极搭接区包括：
[0006]阵列基板；
[0007]辅助电极，所述辅助电极设置于所述阵列基板上方；
[0008]发光材料层，所述发光材料层设置于所述阵列基板上方；
[0009]阴极，所述阴极设置于所述发光材料层、所述辅助电极上方，所述阴极与所述辅助电极搭接；
[0010]其中，所述阵列基板上方还依次设置有钝化层、平坦层、像素定义层，在所述面阴极搭接区设置有一贯穿所述钝化层、所述平坦层、所述像素定义层的过孔，所述辅助电极设置于所述过孔内，所述辅助电极与所述阵列基板之间形成有底切凹槽，所述底切凹槽内填充有所述发光材料层。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极远离所述阵列基板的表面呈凸起状设置，所述凸起朝向远离所述阵列基板的一侧。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助电极包括第一电极以及设置于所述第一电极远离所述阵列基板一侧的第二电极，所述第一电极与所述阵列基板形成所述底切凹槽，所述第二电极远离所述阵列基板的表面呈凸起状设置，所述凸起朝向远离所述阵列基板的一侧。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极包括第一部分、设置于所述第一部分远离所述阵列基板一侧的第二部分，所述第一部分在所述阵列基板上的正投影小于所述第二部分在所述阵列基板上的正投影。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述凸起状为三角锥状，所述第二电极的下表面与所述第一电极的上表面平齐接触。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述凸起远离所述阵列基板一侧的顶角角度范围大于或等于60度，所述凸起的厚度范围大于或等于110纳米。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括一衬底以及位于所述衬底
一侧的源极、漏极，所述显示面板还包括与所述源极连接的阳极，所述第一电极与所述源极、漏极同层设置，所述第二电极与所述阳极同层设置。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阴极覆盖所述第二电极设置。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切凹槽的横向深度大于2微米。
[0019]本申请实施例提供一种显示面板制备方法，包括：
[0020]提供一阵列基板；
[0021]在所述阵列基板上方制备得到辅助电极，所述辅助电极与所述阵列基板之间形成底切凹槽；
[0022]在所述阵列基板上方依次制备得到钝化层、平坦层、像素定义层；
[0023]形成一贯穿所述钝化层、所述平坦层、所述像素定义层的过孔，使所述辅助电极位于所述过孔内；
[0024]在所述像素定义层远离所述阵列基板一侧制备得到发光材料层，在面阴极搭接区，所述发光材料层填充于所述底切凹槽内。
[0025]有益效果：在辅助电极与阵列基板之间形成底切凹槽，同时辅助电极上表面呈凸起状设置，使发光材料层填充于所述底切凹槽内，露出部分所述辅助电极，阴极与所述辅助电极面接触，通过增大所述阴极与所述辅助电极的接触面积，降低所述阴极的接触阻抗，缓解了现有显示面板存在阴极电压降较大的技术问题。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本申请提供的显示面板的截面示意图；
[0028]图2A是本申请提供的显示面板制备方法的第一种截面示意图；
[0029]图2B是本申请提供的显示面板制备方法的第二种截面示意图；
[0030]图2C是本申请提供的显示面板制备方法的第三种截面示意图；
[0031]图2D是本申请提供的显示面板制备方法的第四种截面示意图；
[0032]图2E是本申请提供的显示面板制备方法的第五种截面示意图；
[0033]图2F是本申请提供的显示面板制备方法的第六种截面示意图；
[0034]图2G是本申请提供的显示面板制备方法的第七种截面示意图；
[0035]图3是本申请提供的显示面板制备方法的流程示意图。
[0036]附图标记说明：
[0037]具体实施方式
[0038]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0039]在现有显示面板中，阴极的制备材料通常电阻率大、且厚度薄，导致显示面板的电压降较大，使得显示面板呈现大面积的亮度不均匀，从而影响显示效果；为了减小阴极压降，在面阴极搭接区1，通常使所述阴极通过一至少贯穿发光材料层的过孔与辅助电极接触设置，从而降低所述阴极的电阻，然而，阴极仅与辅助电极的上表面部分接触，由于接触面积较小，导致接触阻抗较大，降低所述阴极电阻的效果不明显，导致阴极仍然存在电压降较大的技术问题。
[0040]因此，现有技术亟需提供一种能降低面阴极搭接区1阴极接触阻抗的显示面板。
[0041]请参阅图1，本申请提供一种显示面板，在面阴极搭接区1，所述显示面板包括阵列基板10、辅助电极、发光材料层60、阴极70，所述辅助电极设置于所述阵列基板10上方，所述发光材料层60设置于所述阵列基板70上方，所述阴极70设置于所述发光材料层60、所述辅助电极上方，所述阴极70与所述辅助电极搭接，其中，所述阵列基板10上方还依次设置有钝化层102、平坦层40、像素定义层50，在所述面阴极搭接区1设置有一贯穿所述钝化层102、所述平坦层40、所述像素定义层50的过孔，所述辅助电极设置于所述过孔内，所述辅助电极与所述阵列基板10之间形成有底切凹槽2，所述底切凹槽2内填充有所述发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括面阴极搭接区，其特征在于，所述面阴极搭接区包括：阵列基板；辅助电极，所述辅助电极设置于所述阵列基板上方；发光材料层，所述发光材料层设置于所述阵列基板上方；阴极，所述阴极设置于所述发光材料层、所述辅助电极上方，所述阴极与所述辅助电极搭接；其中，所述阵列基板上方还依次设置有钝化层、平坦层、像素定义层，在所述面阴极搭接区设置有一贯穿所述钝化层、所述平坦层、所述像素定义层的过孔，所述辅助电极设置于所述过孔内，所述辅助电极与所述阵列基板之间形成有底切凹槽，所述底切凹槽内填充有所述发光材料层。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极远离所述阵列基板的表面呈凸起状设置，所述凸起朝向远离所述阵列基板的一侧。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极包括第一电极以及设置于所述第一电极远离所述阵列基板一侧的第二电极，所述第一电极与所述阵列基板形成所述底切凹槽，所述第二电极远离所述阵列基板的表面呈凸起状设置，所述凸起朝向远离所述阵列基板的一侧。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极包括第一部分、设置于所述第一部分远离所述阵列基板一侧的第二部分，所述第一部分在所述阵列基板上的正投影小于所述第二部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：章仟益，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：