彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制造方法，其中，所述的彩膜基板，包括：衬底基板；彩膜层，设置在衬底基板一侧；缓冲层，设置在彩膜层的远离衬底基板的一侧；缓冲层包括高折射率区域和低折射率区域；黑矩阵，设置在缓冲层的远离衬底基板的一侧；黑矩阵的开口区位于高折射率区域的表面，黑矩阵的非开口区位于低折射率区域的表面。本发明专利技术能够有效提高显示面板的出光率。发明专利技术能够有效提高显示面板的出光率。发明专利技术能够有效提高显示面板的出光率。

Color film substrate, display panel, display device and manufacturing method of color film substrate

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制造方法。

技术介绍

[0002]目前广泛采用的显示面板技术包括OLED(Organic Light Emission Diode，有机电致发光器件)显示面板和LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示面板。显示面板的出光率是衡量显示面板性能的重要指标。例如，在OLED显示面板中为了提高出光率，采用顶发射器件工艺制造；顶发射器件因光线从阴极发射，可以提高开口率，并且顶发射的OLED器件的阳极具有高反射特性，阴极为半透明的金属，从而可以从一定程度上提高显示面板的出光率，但是效果依旧有限。
[0003]由此可见，如何进一步的提高显示面板的出光率成为了目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制造方法，可有效提高显示面板的出光率。
[0005]第一方面，提供彩膜基板，包括：衬底基板；彩膜层，设置在所述衬底基板一侧；缓冲层，设置在所述彩膜层的远离所述衬底基板的一侧；所述缓冲层包括高折射率区域和低折射率区域；黑矩阵，设置在所述缓冲层的远离所述衬底基板的一侧；所述黑矩阵的开口区位于所述高折射率区域的表面，所述黑矩阵的非开口区位于所述低折射率区域的表面。
[0006]可选的，所述彩膜层包括多个色阻单元；所述低折射率区域的纵截面的宽度由靠近所述黑矩阵的一侧向靠近所述衬底基板的一侧减小；所述纵截面为任一相邻的两个色阻单元之间，且垂直于所述衬底基板的截面。
[0007]可选的，所述纵截面为梯形。
[0008]可选的，所述高折射率区域和所述低折射率区域的交界面与所述黑矩阵之间的夹角为65
°
～90
°
。
[0009]可选的，所述高折射率区域和所述低折射率区域的交界面与所述黑矩阵的表面之间的夹角满足：
[0010]使入射光线的入射角度大于预设的临界角；所述入射光线为从远离所述衬底基板的方向入射所述交界面的光线，所述临界角为光线由所述高折射率区域入射所述低折射率区域发生全反射的角度。
[0011]可选的，所述高折射率区域的折射率范围为：1.7～2；所述低折射率区域的折射率范围为：1.3～1.5。
[0012]可选的，所述缓冲层的厚度范围为：0.5um～5um。
[0013]可选的，所述高折射率区域的材料包括含硫环氧树脂、含多个苯环的环氧树脂、含硅的树脂材料、三氧化钼以及二氧化钛中的一种或多种；所述低折射率区域的材料包括氮
化硅和/或二氧化硅。
[0014]第二方面，基于同一专利技术构思，还提供一种显示面板，包括：TFT阵列基板和前述第一方面中所述的彩膜基板，所述彩膜基板设置所述黑矩阵的一面与所述TFT阵列基板的出光侧贴合。
[0015]第三方面，基于同一专利技术构思，还提供一种显示装置，包括前述第一方面中所述的显示面板。
[0016]第四方面，基于同一专利技术构思，还提供一种彩膜基板的制造方法，包括：
[0017]提供衬底基板；
[0018]在所述衬底基板上形成彩膜层；
[0019]在所述彩膜层上形成缓冲层，所述缓冲层包括高折射率区域和低折射率区域；
[0020]在所述缓冲层上形成黑矩阵，所述黑矩阵的开口区位于所述高折射率区域，所述黑矩阵的非开口区位于所述低折射率区域。
[0021]本专利技术实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0022]本专利技术实施例提供的一种彩膜基板、显示面板及显示装置，其中彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，设置在衬底基板一侧；缓冲层，设置在彩膜层的远离衬底基板的一侧；缓冲层包括高折射率区域和低折射率区域；黑矩阵，设置在缓冲层的远离衬底基板的一侧；黑矩阵的开口区位于高折射率区域，黑矩阵的非开口区位于低折射率区域。在本专利技术的实施例中通过在黑矩阵与彩膜层之间设置了缓冲层，使用该彩膜基板制造的显示面板，可使得黑矩阵更加靠近TFT阵列基板，使得TFT阵列基板一侧发出的光线不被黑矩阵遮挡和吸收，同时光线从高折射率区域入射向低折射率区域时可发生全反射保证光线可从对应像素位置的彩膜层射出，避免漏光，有效提高了显示面板的出光率。
[0023]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0024]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0025]图1为现有技术中的一种显示面板的结构示意图；
[0026]图2为本专利技术实施例中的一种彩膜基板的结构示意图；
[0027]图3为使用图2所示的彩膜基板的显示面板的结构示意图；
[0028]图4为图3的显示面板的提高出光率的光路远离示意图；
[0029]图5为本专利技术实施例中确定交界面与黑矩阵的表面之间夹角的原理示意图；
[0030]图6为本专利技术实施例中一种彩膜基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0031]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例
所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0032]通过分析发现在现有的显示面板中，黑矩阵的透光率基本为零，在显示面板的TFT阵列基板发出光线后，入射到黑矩阵上的部分光线几乎被黑矩阵遮挡或吸收，因此显示面板的TFT阵列基板发出的光线没有得到充分利用。以顶发射OLED显示面板为例进行说明，请参阅图1，在图1中现有技术方案的显示面板100的结构，其中包括彩膜基板10和TFT阵列基板20，彩膜基板10和TFT阵列基板20通过封装胶30封装，彩膜基板10包括衬底基板11，设置在衬底基板11上的彩膜层12和设置在彩膜层12远离衬底基板11一侧的黑矩阵13；TFT阵列基板20，包括衬底基板21，设置在衬底基板21上的像素结构层22和用于分隔像素的像素界定层23；像素结构层22包括多个像素发光单元，这些像素发光单元分别与彩膜层12的色阻单元一一对应。TFT阵列基板20一侧的像素发光单元发出的光线Ⅰ可通过彩膜基板10的彩膜层12和衬底基板11，但是大角度(与垂直于显示面板100方向的夹角)光线Ⅱ由于射向黑矩阵13，从而被黑矩阵13遮挡、吸收而损耗掉，最终使得显示面板100出光率不高。
[0033]而在本实施例中提供的一种彩膜基板，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底基板；彩膜层，设置在所述衬底基板一侧；缓冲层，设置在所述彩膜层的远离所述衬底基板的一侧；所述缓冲层包括高折射率区域和低折射率区域；黑矩阵，设置在所述缓冲层的远离所述衬底基板的一侧；所述黑矩阵的开口区位于所述高折射率区域的表面，所述黑矩阵的非开口区位于所述低折射率区域的表面。2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜层包括多个色阻单元；所述低折射率区域的纵截面的宽度由靠近所述黑矩阵的一侧向靠近所述衬底基板的一侧减小；所述纵截面为任一相邻的两个色阻单元之间，且垂直于所述衬底基板的截面。3.如权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述纵截面为梯形。4.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述高折射率区域和所述低折射率区域的交界面与所述黑矩阵之间的夹角为65
°
～90
°
。5.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述高折射率区域和所述低折射率区域的交界面与所述黑矩阵的表面之间的夹角满足：使入射光线的入射角度大于预设的临界角；所述入射光线为从远离所述衬底基板的方向入射所述交界面的光线，所述临界角为光...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小宁，黄文同，贾文斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：