电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子装置。其包括第一基板、半导体层、第一金属层以及第二金属层；半导体层包括多个有源部，各有源部包括源极接触子部和漏极接触子部；第一金属层设置于半导体层远离第一基板的一侧，并包括多个源极和多个数据线，一源极的一端与一数据线电性连接，另一端与一有源部的源极接触子部电性连接；第二金属层设置于半导体层远离第一基板的一侧并与第一金属层异层设置，第二金属层包括多个漏极，一漏极与一有源部的漏极接触子部电性连接；其中，第一金属层包括多个数据线组，各数据线组包括多个数据线，任意相邻两数据线组之间的距离小于任一数据线组内任意相邻两数据线之间的距离。本发明专利技术可以提高电子装置的分辨率并降低工艺难度。并降低工艺难度。并降低工艺难度。

Electronic device

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种电子装置。

技术介绍

[0002]在目前的电子设备中，尤其是虚拟现实(Virtual Reality，VR)设备中，由于分辨率的限制，将严重影响观看效果，且会使得用户产生眩晕感。
[0003]目前，在电子设备的阵列基板上，由于同一金属层需要设置薄膜晶体管的源极、漏极以及数据线，且现有的面板厂曝光设备制得的线宽和线距皆有限制，并需要在源极、漏极以及数据线之间保留一定的距离，以预留空间并降低寄生电容，因此，阵列基板一侧难以再压缩空间以提高分辨率。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种电子装置，可以节省布线的空间，提高电子装置的分辨率。
[0005]本专利技术实施例提供一种电子装置，其包括：
[0006]第一基板；
[0007]半导体层，设置于所述第一基板的一侧，所述半导体层包括多个有源部，各所述有源部包括源极接触子部、漏极接触子部以及位于所述源极接触子部和所述漏极接触子部之间的沟道子部；
[0008]第一金属层，设置于所述半导体层远离所述第一基板的一侧，并包括多个源极以及多个数据线，一所述源极的一端与对应的一所述数据线电性连接，另一端与一所述有源部的所述源极接触子部电性连接；
[0009]第二金属层，设置于所述半导体层远离所述第一基板的一侧并与所述第一金属层异层设置，所述第二金属层包括多个漏极，一所述漏极与一所述有源部的所述漏极接触子部电性连接；
[0010]其中，所述第一金属层包括多个数据线组，且各所述数据线组包括多个所述数据线，任意相邻两所述数据线组之间的距离小于任一所述数据线组内任意相邻两所述数据线之间的距离。
[0011]在本专利技术的一种实施例中，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述半导体层的一侧，所述电子装置还包括设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层。
[0012]在本专利技术的一种实施例中，多个所述数据线沿第一方向排列且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相异，一所述漏极在所述第一基板上的正投影对应位于一所述数据线组内的相邻两所述数据线在所述第一基板上的正投影之间。
[0013]在本专利技术的一种实施例中，各所述漏极沿所述第一方向上的宽度大于或等于2微米。
[0014]在本专利技术的一种实施例中，一所述漏极沿所述第一方向上的宽度等于对应的一所
述数据线组内的相邻两所述数据线之间的间距。
[0015]在本专利技术的一种实施例中，一所述漏极沿所述第一方向上的宽度小于对应的一所述数据线组内的相邻两所述数据线之间的间距。
[0016]在本专利技术的一种实施例中，所述电子装置包括多个像素区，且一所述像素区与一所述数据线组相对应，每一所述像素区皆包括第一子像素区、沿所述第一方向与所述第一子像素区相邻的第二子像素区、以及沿所述第二方向与所述第一子像素区相邻的第三子像素区；
[0017]各所述数据线组包括第一数据线、第二数据线以及第三数据线，一所述像素区内的所述第一子像素区和所述第三子像素区皆位于对应的一所述数据线组内的所述第一数据线和所述第二数据线之间，一所述像素区内的所述第二子像素区位于对应的一所述数据线组内的所述第二数据线和所述第三数据线之间。
[0018]在本专利技术的一种实施例中，一所述数据线组内的所述第一数据线与相邻的一所述数据线组内的一所述第三数据线相邻，相邻两所述数据线组中且相邻的所述第一数据线与所述第三数据线之间的距离小于一所述数据线组内的所述第一数据线与所述第二数据线之间的距离，或小于一所述数据线组内的所述第二数据线与所述第三数据线之间的距离。
[0019]在本专利技术的一种实施例中，所述电子装置还包括设置于所述第一金属层与所述第二金属层皆远离所述第一基板一侧的第二基板、以及设置于所述第二基板靠近所述第一基板一侧的色阻层，所述色阻层包括与各所述像素区对应设置的多个第一色阻块、多个第二色阻块以及多个第三色阻块；
[0020]其中，一所述第一色阻块对应设置于一所述第一子像素区内并与相邻的所述第一数据线以及所述第二数据线部分重叠，一所述第二色阻块对应设置于一所述第二子像素区内并与相邻的所述第二数据线以及所述第三数据线部分重叠，一所述第三色阻块对应设置于一所述第三子像素区内并与相邻的所述第一数据线以及所述第二数据线部分重叠。
[0021]在本专利技术的一种实施例中，所述第一色阻块与所述第一数据线的重叠部分沿所述第一方向上的长度等于所述第一数据线沿所述第一方向上的宽度，所述第一色阻块与所述第二数据线的重叠部分沿所述第一方向上的长度小于所述第二数据线沿所述第一方向上的宽度；
[0022]所述第二色阻块与所述第二数据线的重叠部分沿所述第一方向上的长度小于所述第二数据线沿所述第一方向上的宽度，所述第二色阻块与所述第三数据线的重叠部分沿所述第一方向上的长度等于所述第三数据线沿所述第一方向上的宽度；
[0023]所述第三色阻块与所述第一数据线的重叠部分沿所述第一方向上的长度等于所述第一数据线沿所述第一方向上的宽度，所述第三色阻块与所述第二数据线的重叠部分沿所述第一方向上的长度小于或等于所述第二数据线沿所述第一方向上的宽度。
[0024]在本专利技术的一种实施例中，每一所述像素区还包括沿所述第一方向与所述第三子像素区相邻以及沿所述第二方向与所述第二子像素区相邻的第四子像素区，所述第三色阻块设置于所述第三子像素区内并部分延伸至所述第四子像素区。
[0025]在本专利技术的一种实施例中，每一所述源极与一所述数据线对应连接，且每一所述源极通过对应的一所述有源部连接于对应的一所述漏极，多个所述漏极包括与所述第一数据线对应的第一漏极，在每一所述像素区内，所述第一漏极设置于所述第四子像素区内。
[0026]在本专利技术的一种实施例中，多个所述漏极还包括与所述第二数据线对应的第二漏极，多个所述源极包括与所述第三数据线对应的第三源极，且所述第一漏极、所述第二漏极以及所述第三源极沿所述第一方向排列，并位于沿所述第二方向相邻的两所述像素区之间。
[0027]在本专利技术的一种实施例中，所述电子装置还包括设置于所述第一金属层与所述第二金属层皆靠近所述半导体层一侧的第三金属层，且所述第三金属层包括沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列的多个扫描线，各所述扫描线位于沿所述第二方向排列的相邻两所述像素区之间，所述第一漏极、所述第二漏极以及所述第三源极皆位于所述扫描线远离所述第一基板的一侧。
[0028]在本专利技术的一种实施例中，所述电子装置还包括设置于所述第二基板靠近所述第一基板一侧的黑色矩阵层，且所述黑色矩阵层围绕各所述第一子像素区、各所述第二子像素区以及各所述第三子像素区设置；
[0029]其中，所述扫描线在所述第一基板上的正投影、所述第一漏极在所述第一基板上的正投影、所述第二漏极在所述第一基板上的正投影以及所述第三源极在所述第一基板上的正投影皆位于所述黑色矩阵层在所述第一基板上的正投影的覆盖范围以内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：第一基板；半导体层，设置于所述第一基板的一侧，所述半导体层包括多个有源部，各所述有源部包括源极接触子部、漏极接触子部以及位于所述源极接触子部和所述漏极接触子部之间的沟道子部；第一金属层，设置于所述半导体层远离所述第一基板的一侧，并包括多个源极以及多个数据线，一所述源极的一端与对应的一所述数据线电性连接，另一端与一所述有源部的所述源极接触子部电性连接；第二金属层，设置于所述半导体层远离所述第一基板的一侧并与所述第一金属层异层设置，所述第二金属层包括多个漏极，一所述漏极与一所述有源部的所述漏极接触子部电性连接；其中，所述第一金属层包括多个数据线组，且各所述数据线组包括多个所述数据线，任意相邻两所述数据线组之间的距离小于任一所述数据线组内任意相邻两所述数据线之间的距离。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述半导体层的一侧，所述电子装置还包括设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层。3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，多个所述数据线沿第一方向排列且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相异，一所述漏极在所述第一基板上的正投影对应位于一所述数据线组内的相邻两所述数据线在所述第一基板上的正投影之间。4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，各所述漏极沿所述第一方向上的宽度大于或等于2微米。5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，一所述漏极沿所述第一方向上的宽度小于或等于对应的一所述数据线组内的相邻两所述数据线之间的间距。6.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置包括多个像素区，且一所述像素区与一所述数据线组相对应，每一所述像素区皆包括第一子像素区、沿所述第一方向与所述第一子像素区相邻的第二子像素区、以及沿所述第二方向与所述第一子像素区相邻的第三子像素区；各所述数据线组包括第一数据线、第二数据线以及第三数据线，一所述像素区内的所述第一子像素区和所述第三子像素区皆位于对应的一所述数据线组内的所述第一数据线和所述第二数据线之间，一所述像素区内的所述第二子像素区位于对应的一所述数据线组内的所述第二数据线和所述第三数据线之间。7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，一所述数据线组内的所述第一数据线与相邻的一所述数据线组内的一所述第三数据线相邻，相邻两所述数据线组中且相邻的所述第一数据线与所述第三数据线之间的距离小于一所述数据线组内的所述第一数据线与所述第二数据线之间的距离，或小于一所述数据线组内的所述第二数据线与所述第三数据线之间的距离。8.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括设置于所述第一金属层与所述第二金属层皆远离所述第一基板一侧的第二基板、以及设置于所述第二基板
靠近所述第一基板一侧的色阻层，所述色阻层包括与各所述像素区对应设置的多个第一色阻块、多个第二色阻块以及多个第三色阻块；其中，一所述第一色阻块对应设置于一所述第一子像素区内并与相邻的所述第一数据线以及所述第二数据线部分重叠，一所述第二色阻块对应设置于一所述第二子像素区内并与相邻的所述第二数据线以及所述第三数据线部分重叠，一所述第三色阻块对应设置于一所述第三子像素区内并与相邻的所述第一数...

【专利技术属性】
技术研发人员：余文强，王超，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：