本发明专利技术提供了一种提高表面氧化层契合度的方法和应用，所述方法包括以下步骤：将退火后的太阳能电池硅片依次进行进舟、升温、一步抽真空、催化提纯、二步抽真空、回压和降温出舟；其中，所述催化提纯的气氛包括氯化烷烃、氯硅烷和笑气，本发明专利技术通过采用含氯介质，在高温，低压的氛围中催化提纯氧化层接合面的杂质，降低表面复合度，增加氧化层契合度，从而提升效率，改善PID等。改善PID等。
【技术实现步骤摘要】
一种提高表面氧化层契合度的方法和应用
[0001]本专利技术属于太阳能电池
，涉及一种提高表面氧化层契合度的方法和应用。
技术介绍
[0002]太阳能电池的正面受光面积是影响其光电转换效率的重要因素，然而，常规的太阳能电池的正面存在栅线结构的遮挡，其会导致电流损失，从而会导致光电转换效率降低。
[0003]另外，对于晶硅太阳能电池来说，电池内部电子空穴对的复合决定了太阳能电池的光电转换效率，然而，常规扩散形成的扩散层存在电子空穴对复合速率大等问题，一直是制约太阳能电池效率的重要因素之一。目前单晶PERC电池效率优势已经表现的不明显。
[0004]CN110690319A公开了一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺，其将常压氧化改为低压氧化，并在退火过程中采用恒温680
‑
710℃以及降温620
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650℃退火，使得工艺过程中气体氛围能够精确控制，退火环境洁净得到提升，使得电池效率提升。
[0005]CN112670373A公开了一种晶硅太阳能电池的氧化退火方法及其应用，对氧化过程进行拆分，在第一次形成氧化层后迅速升温，进行第二次氧化，由于温度提升，使之需要的通氧时间减少，从而大幅降低工艺时间。
[0006]上述方案制备的太阳能电池存在有氧化层和硅基层契合度较低的问题，这严重影响了太阳能电池的敦化性能和抗诱导力性能，因此，开发一种可以提高表面氧化层契合度的方法是十分必要的。
技术实现思路
[0007]本专利技术的目的在于提供一种提高表面氧化层契合度的方法和应用，本专利技术通过采用含氯介质，在高温，低压的氛围中催化提纯氧化层接合面的杂质，降低表面复合度，增加氧化层契合度，从而提升效率，改善PID等。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供了一种提高表面氧化层契合度的方法，所述方法包括以下步骤：
[0010]将退火后的太阳能电池硅片依次进行进舟、升温、一步抽真空、催化提纯、二步抽真空、回压和降温出舟；
[0011]其中，所述催化提纯的气氛中的气体包括氯化烷烃、氯硅烷和笑气。
[0012]本专利技术通过在太阳能硅片退火后使用氯化烷烃、氯硅烷等氯介质和笑气对硅片进行催化提纯处理，可以改善Si
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SiO2接合面的缺陷，提升表面氧化层契合度，增加氧化钝化效果，增加抗诱导能力，提升转换效率。
[0013]优选地，所述氯化烷烃包括二氯乙烷、三氯乙烷或三氯丙烷中的任意一种或至少两种的组合，优选为二氯乙烷。
[0014]优选地，所述氯化烷烃的通入量为1500～2500sccm，例如：1500sccm、1800sccm、
2000sccm、2200sccm或2500sccm等。
[0015]优选地，所述氯硅烷包括二氯硅烷和/或三氯硅烷，优选为二氯硅烷。
[0016]优选地，所述氯硅烷的通入量为900～1200sccm，例如：900sccm、950sccm、1060sccm、1100sccm或1200sccm等。
[0017]优选地，所述笑气的通入量为1800～2500sccm，例如：1800sccm、1900sccm、2000sccm、2200sccm或2500sccm等。
[0018]优选地，所述催化提纯的温度为800～1000℃，例如：800℃、850℃、900℃、950℃或1000℃等。
[0019]优选地，所述催化提纯的压力为200～400Pa，例如：200℃、250℃、300℃、350℃或400℃等。
[0020]优选地，所述催化提纯的时间为1000～2000s，例如：1000s、1100s、1200s、1500s、1800s或2000s等。
[0021]优选地，所述进舟的温度为900～1200℃，例如：900℃、950℃、1000℃、1100℃或1200℃等。
[0022]优选地，所述进舟的压力为1000～1100Pa，例如：1000Pa、1020Pa、1060Pa、1080Pa或1100Pa等。
[0023]优选地，所述进舟的时间为600～800s，例如：600s、650s、700s、750s或800s等。
[0024]优选地，所述进舟的同时通入氮气。
[0025]优选地，所述氮气的通入量为14000～16000sccm，例如：14000sccm、14500sccm、15000sccm、15500sccm或16000sccm等。
[0026]优选地，所述升温的温度为800～1000℃，例如：800℃、850℃、900℃、950℃或1000℃等。
[0027]优选地，所述升温的压力为1000～1100Pa，例如：1000Pa、1020Pa、1060Pa、1080Pa或1100Pa等。
[0028]优选地，所述升温的时间为400～600s，例如：400s、450s、500s、550s或600s等。
[0029]优选地，所述升温的同时通入氮气。
[0030]优选地，所述氮气的通入量为14000～16000sccm，例如：14000sccm、14500sccm、15000sccm、15500sccm或16000sccm等。
[0031]优选地，所述一步抽真空的温度为800～1000℃，例如：800℃、850℃、900℃、950℃或1000℃等。
[0032]优选地，所述一步抽真空的压力为0～10Pa，例如：0Pa、2Pa、5Pa、8Pa或10Pa等。
[0033]优选地，所述一步抽真空的时间为150～250s，例如：150s、180s、200s、220s或250s等。
[0034]优选地，所述二步抽真空的温度为800～1000℃，例如：800℃、850℃、900℃、950℃或1000℃等。
[0035]优选地，所述二步抽真空的压力为0～10Pa，例如：0Pa、2Pa、5Pa、8Pa或10Pa等。
[0036]优选地，所述二步抽真空的时间为150～250s，例如：150s、180s、200s、220s或250s等。
[0037]优选地，所述回压的温度为800～1000℃，例如：800℃、850℃、900℃、950℃或1000
℃等。
[0038]优选地，所述回压的压力为1000～1100Pa，例如：1000Pa、1020Pa、1060Pa、1080Pa或1100Pa等。
[0039]优选地，所述回压的时间为80～100s，例如：80s、85s、90s、95s或100s等。
[0040]优选地，所述回压的同时通入氮气。
[0041]优选地，所述氮气的通入量为14000～16000sccm，例如：14000sccm、14500sccm、15000sccm、15500sccm或16000sccm等。
[0042]优选地，所述降温出舟的温度为500～7本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高表面氧化层契合度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将退火后的太阳能电池硅片依次进行进舟、升温、一步抽真空、催化提纯、二步抽真空、回压和降温出舟；其中，所述催化提纯的气氛中的气体包括氯化烷烃、氯硅烷和笑气。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氯化烷烃包括二氯乙烷、三氯乙烷或三氯丙烷中的任意一种或至少两种的组合，优选为二氯乙烷；优选地，所述氯化烷烃的通入量为1500～2500sccm；优选地，所述氯硅烷包括二氯硅烷和/或三氯硅烷，优选为二氯硅烷；优选地，所述氯硅烷的通入量为900～1200sccm；优选地，所述笑气的通入量为1800～2500sccm。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述催化提纯的温度为800～1000℃；优选地，所述催化提纯的压力为200～400Pa；优选地，所述催化提纯的时间为1000～2000s。4.如权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述进舟的温度为900～1200℃；优选地，所述进舟的压力为1000～1100Pa；优选地，所述进舟的时间为600～800s；优选地，所述进舟的同时通入氮气；优选地，所述氮气的通入量为14000～16000sccm。5.如权利要求1
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4任一项所述的方法，其特征在于，所述升温的温度为800～1000℃；优选地，所述升温的压力为1000～1100Pa；优选地，所述升温的时间为400～600s；优选地，所述升...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑正明，周永安，何悦，任勇，陈德爽，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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