一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构制造技术

本发明专利技术适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及钝化接触的接触电阻测试结构，钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺包括：在硅片表面形成钝化层；在钝化层上形成掺杂层，并在掺杂层上形成掩膜；利用激光去除掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；利用湿法刻蚀在相邻掩膜栅线之间形成至少贯穿掺杂层及钝化层的沟槽；去除掩膜栅线；制备与掺杂层接触的金属电极。本发明专利技术提供的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺无需采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺开设沟槽，制备工艺简单，且大大降低了制备成本。且大大降低了制备成本。且大大降低了制备成本。

Preparation process and test structure of a contact resistance test structure with passive contact

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构。

技术介绍

[0002]太阳能电池的钝化接触结构，如钝化层/掺杂层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能，促进多数载流子的有效传输。对于大面积全尺寸的量产技术而言，开发出一种简单、快捷且能准确测定钝化接触结构的接触电阻率的测试结构，对于钝化接触结构接触性能的优化具有重要的意义。
[0003]现有技术中，太阳能电池的钝化接触结构的接触电阻的测试需要先制作测试结构，利用测试结构采用TLM(Transmission
‑
Line Modeling)方法进行测试接触电阻率。现有的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺一般先在硅片上依次制备钝化层、掺杂层及金属电极。采用TLM方法测试钝化接触的接触电阻时，相邻金属电极的电流存在两个传输通道：1、金属电极
→
掺杂层
→
金属电极；2、金属电极
→
掺杂层
→
钝化层
→
硅片
→
钝化层
→
掺杂层
→
金属电极。为了测试金属电极/掺杂层/钝化层/硅片整个界面的接触电阻，需要开设沟槽切断上述传输通道1，使相邻金属电极的电流的只能经金属电极
→
掺杂层
→
钝化层
→
硅片
→
钝化层
→
掺杂层
→
金属电极。而现有技术中，通常需要采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺来开设该沟槽，使得钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺复杂且制备成本高。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，旨在解决现有技术中的钝化接触的接触电阻测试结构制备工艺复杂且制备成本高的问题。
[0005]本专利技术是这样实现的，提供了一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，包括：
[0006]在硅片表面形成钝化层；
[0007]在所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜；
[0008]利用激光去除所述掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；
[0009]利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽；
[0010]去除所述掩膜栅线；
[0011]制备与所述掺杂层接触的金属电极。
[0012]优选的，所述沟槽仅贯穿所述掺杂层及所述钝化层。
[0013]优选的，所述沟槽贯穿所述掺杂层及所述钝化层，且所述沟槽贯穿部分所述硅片，以减薄相邻所述掩膜栅线之间的硅片厚度。
[0014]优选的，所述硅片的减薄厚度为0.1～200um，且所述硅片的减薄厚度小于所述硅片的厚度。
[0015]优选的，所述硅片的减薄厚度为20～60um。
[0016]优选的，所述钝化层为氧化层、氮化层、氮氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。
[0017]优选的，所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜的步骤包括:
[0018]在所述钝化层上沉积本征层；
[0019]将所述本征层进行扩散工艺处理，以使所述本征层形成所述掺杂层，并在所述掺杂层上形成硼硅玻璃或磷硅玻璃作为所述掩膜。
[0020]优选的，所述本征层为氧化层、氮化层、氮氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。
[0021]优选的，所述掩膜的厚度为2～500nm.
[0022]优选的，所述钝化层的厚度为0.2～20nm。
[0023]优选的，所述掩膜栅线的宽度为10～1000μm。
[0024]优选的，所述金属电极的宽度为5～1000μm。
[0025]优选的，所述沟槽的宽度为0.1mm～5mm。
[0026]优选的，所述去除所述掩膜栅线步骤之后，所述制备与掺杂层接触的金属电极的步骤之前还包括：
[0027]制备覆盖所述沟槽底部及所述掺杂层的钝化膜。
[0028]优选的，所述利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽具体包括：
[0029]利用碱溶液在相邻所述掩膜栅线之间刻蚀形成至少贯穿所述钝化层及所述掺杂层的沟槽。
[0030]优选的，所述去除所述掩膜栅线的步骤具体包括：
[0031]采用酸洗去除掩膜栅线。
[0032]本专利技术还提供一种钝化接触的接触电阻测试结构，由上述钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺制得。
[0033]本专利技术提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺通过先在掺杂层上形成掩膜，并利用激光处理掩膜形成掩膜栅线，并利用湿法刻蚀去除相邻掩膜栅线之间的掺杂层及钝化层或去除掺杂层、钝化层及部分硅片，形成至少贯穿掺杂层及钝化层的沟槽，再去除掩膜栅线并制备金属电极，无需采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺开设沟槽，采用价格低廉的太阳能电池常规工艺设备即可完成钝化接触的接触电阻测试结构整个制备工艺，制备工艺简单，实现成本低，大大降低了钝化接触的接触电阻测试结构的制备成本。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例一提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的示意图；
[0035]图2为本专利技术实施例一提供的另一种钝化接触的接触电阻测试结构的示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例二提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的示意图；
[0037]图4为本专利技术实施例二提供的另一种钝化接触的接触电阻测试结构的示意图；
[0038]图5为本专利技术实施例三提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的示意图；
[0039]图6为本专利技术实施例三提供的另一种钝化接触的接触电阻测试结构的示意图；
[0040]图7为本专利技术实施例四提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺流程图；
[0041]图8为本专利技术实施例五提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺流程图。
具体实施方式
[0042]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0043]本专利技术实施例提供的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺通过先在掺杂层上形成掩膜，并利用激光处理掩膜形成掩膜栅线，并利用湿法刻蚀去除相邻掩膜栅线之间的掺杂层及钝化层或去除掺杂层、钝化层及部分硅片，形成至少贯穿掺杂层及钝化层的沟槽，再去除掩膜栅线并制备金属电极，无需采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺开设沟槽，采用价格低廉的太阳能电池常规工艺设备即可完成钝化接触的接触电阻测试结构整个制备工艺，制备工艺简单，实现成本低，大大降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，包括：在硅片表面形成钝化层；在所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜；利用激光去除所述掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽；去除所述掩膜栅线；制备与所述掺杂层接触的金属电极。2.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述沟槽仅贯穿所述掺杂层及所述钝化层。3.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述沟槽贯穿所述掺杂层及所述钝化层，且所述沟槽贯穿部分所述硅片，以减薄相邻所述掩膜栅线之间的硅片厚度。4.根据权利要求3所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述硅片的减薄厚度为0.1～200um，且所述硅片的减薄厚度小于所述硅片的厚度。5.根据权利要求3所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述硅片的减薄厚度为20～60um。6.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述钝化层为氧化层、氮化层、氮氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。7.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜的步骤包括:在所述钝化层上沉积本征层；将所述本征层进行扩散工艺处理，以使所述本征层形成所述掺杂层，并在所述掺杂层上形成硼硅玻璃或磷硅玻璃作为所述掩膜。8.根据权利要求7所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述本征层为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文杰，邱开富，倪文虎，吴宜尚，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：