一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制作方法；属于太阳能电池技术领域，包括在电池基底上形成栅线电极，所述电池基底包括异质结基底和在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；所述栅线电极包括：在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，所述栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽；在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两侧打印第二掩膜层；在栅线图案中电镀导电栅线。电镀导电栅线。电镀导电栅线。

A solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]栅线电极是金属栅线从发射极收集电流的组件，为了能增加电池的受光面积，电极栅线的宽度越小越好，但是，电极栅线越细，同等高度下，其表面积S越小，电极损失越高。
[0003]现有的栅线制作方法为，在透明氧化导电层上制作种子层，在种子层上打印具有栅线图案的掩膜，随后在栅线图案中的种子层上制作导电栅线，去除掩膜，这种工艺，由于掩膜打印时为熔融状态，掩膜贴附种子层固化时，掩膜层形成的栅线图案凹槽侧壁具有弧形凸面，在电镀时，若电镀电极继续在栅线图案中形成，造成的结果是电镀电极的远离种子层的一端宽度大于靠近种子层的宽度，电镀电极层与种子层形成类T型结构(如图3、图4)，减少了太阳能电池表面的受光面积，也导致后续掩膜层不易剥离。

技术实现思路

[0004]针对上述存在的技术不足，为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种太阳能电池的制作方法，包括在电池基底上形成栅线电极，所述电池基底包括异质结基底和在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；所述栅线电极包括：在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，所述栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽；在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两侧打印第二掩膜层；在栅线图案中电镀导电栅线。
[0005]优选地，所述异质结基底包括在掺杂硅基异质结基底相对的两侧面上分别形成的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成第一掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成的第二掺杂非晶硅层。
[0006]为了进一步提高栅线的质量，减少栅线边缘的不平整，增加太阳能电池的受光面积，优选地，在打印电镀导电栅线之前，将第一掩膜层和第二掩膜层加热至玻璃态转变温度以上，使用具有栅线图案的模具，对第一掩膜层和第二掩膜层进行压印。
[0007]优选地，所述第一掩膜层厚度为10
‑
15μm，第二掩膜层厚度为5
‑
10μm。
[0008]优选地，所述第一掩膜层和第二掩膜层材料均为热可塑形材料。
[0009]优选地，第一掩膜层和第二掩膜层材料均为石蜡。
[0010]优选地，为了减少反射，所述掺杂硅基异质结基底靠近第一本征非晶硅层的侧面具有蜂窝状的绒面结构。
[0011]优选地，还包括在导电栅线上继续电镀制作锡叠层作为导电栅线的助焊层。
[0012]本专利技术的另一目的是提供一种太阳能电池，该太阳能电池通过以下方法制作：
[0013]在掺杂硅基异质结基底相对的两侧面上分别形成的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成第一掺杂非晶硅
层；在第二本征非晶硅层远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成的第二掺杂非晶硅层，形成异质结基底，掺杂硅基异质结基底靠近第一本征非晶硅层的侧面具有蜂窝状的绒面结构；
[0014]在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；透明导电氧化层材料为氧化铟、氧化锌、氧化锌镓中的一种或多种；
[0015]在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；所述种子层材料为：铜、镍、银、铝、钛、钯中的一种或多种，优选为银种子层；
[0016]在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，第一掩膜层厚度为10
‑
15μm，栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽，多个凹槽形成H形或者网格形的栅线图案，栅线图案的凹槽之间的距离≤4mm；
[0017]在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两壁上打印第二掩膜层，第二掩膜层厚度为5
‑
10μm；
[0018]将第一掩膜层和第二掩膜层加热至达到玻璃态转变温度或者玻璃态转变温度以上，第一掩膜层和第二掩膜层材料均为热可塑形材料；
[0019]使用与栅线图案配合的模具，对第一掩膜层和第二掩膜层的形成的栅线图案的凹槽处进行压印；
[0020]在栅线图案中，即栅线图案的凹槽中暴露出的种子层上采用水平电镀的方法电镀导电栅线，形成导电栅线；
[0021]去除第一掩膜层和第二掩膜层，在导电栅线上继续电镀制作锡叠层作为导电栅线的助焊层。
[0022]本专利技术的有益效果在于：1、本专利技术通过增加栅线的高度提高电极的横截面积S，减少电极了损失；2；本专利技术通过在透明导电氧化层上制作种子层，增加了栅线电极在种子层上的附着力，以减少栅线图案的脱落，也便于后续电镀形成高宽比大的栅线图案，减少栅线图案自身电阻带来的损失；3、本专利技术通过打印第一掩膜层和第二掩膜层，使栅线电极具有高高宽比的同时，使栅线图案平直且均匀，保证太阳能电池的受光面积，也使后续掩膜易于剥离。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本专利技术实施例提供的一种太阳能电池的制作方法流程示意图。
[0025]图2为本专利技术实施例2提供的一种太阳能电池的制作方法的电池结构侧视图。
[0026]图3为现有技术中制作的太阳能电池电镀栅线的栅线和掩膜结构侧视图。
[0027]图4为现有技术中制作的太阳能电池电镀栅线的栅线结构侧视图。
[0028]附图标记说明：电池基底11；掺杂硅基异质结基底101；第一本征非晶硅层102；第二本征非晶硅层103，第一掺杂非晶硅层104；第二掺杂非晶硅层105；透明氧化导电层2；种子层3；第一掩膜层4；第二掩膜层5；导电栅线6；模具16；掺杂硅基异质结基底101
’
；透明氧化导电层2
’
；种子层3
’
；第一掩膜层4
’
；导电栅线6
’
。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]实施例1：如图1和图2所示，一种太阳能电池的制作方法：
[0031](1)在电池基底11上形成栅线电极，电池基底11包括异质结基底1和在异质结基底1相对的两侧面上形成的透明氧化导电层2，透明导电氧化层2采用物理气相沉积法或反应等离子体沉积法形成，透明导电氧化层2材料为氧化铟、氧化锌、氧化锌镓中的一种或多种，本实施例采用氧化铟；
[0032本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括在电池基底上形成栅线电极，所述电池基底包括异质结基底和在异质结基底相对的两侧面上形成的透明氧化导电层；所述栅线电极包括：在透明导电氧化层上沉积形成覆盖透明导电氧化膜的种子层；在种子层上进行第一次喷墨打印形成具有栅线图案的第一掩膜层，所述栅线图案为与种子层垂直、暴露出种子层的凹槽；在第一掩膜层上，栅线图案凹槽的两侧打印第二掩膜层；在栅线图案中电镀导电栅线。2.如权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述异质结基底包括在掺杂硅基异质结基底相对的两侧面上分别形成的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成第一掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层远离掺杂硅基异质结基底的一侧形成的第二掺杂非晶硅层。3.如权利要求1所述的一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，在打印电镀导电栅线之前，将第一掩膜层和第二掩膜层加热至玻璃态转变...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：王涛，
类型：发明
国别省市：