CVD反应器及其应用的导流组件制造技术

本申请提供一种CVD反应器及其应用的导流组件。导流组件应用于CVD反应器。具体地，导流组件包括至少两个导流块，该至少两个导流块形成环状结构，用于引导反应流体进行排放。不同导流块之间相互独立，即本申请每个导流块均为独立的个体。本申请导流组件的制造成本及维护成本较低，且本申请导流组件的结构可靠性较高、使用寿命较长。使用寿命较长。使用寿命较长。

CVD reactor and its application of diversion components

【技术实现步骤摘要】
CVD反应器及其应用的导流组件


[0001]本申请涉及化学气相沉积设备
，具体涉及一种CVD反应器及其应用的导流组件。

技术介绍

[0002]CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)是指利用化学气体在基质表面反应合成膜层的方法，其是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。CVD设备提供反应腔室，供化学气体在基质表面沉积形成膜层。
[0003]目前，CVD设备中通常会设置导流环，用于引导反应气体进行排放。然而，目前的导流环往往需要大块的原材料制作，而大块的原材料获取难度较高且材料利用率较低，导致导流环的成本较高；并且，目前的导流环局部磨损后只能更换整个导流环，导致导流环的维护成本较高；此外，目前的导流环不利于释放导流环的热应力，导致导流环的结构可靠性较低、使用寿命较短。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种CVD反应器及其应用的导流组件。本申请导流组件的制造成本及维护成本较低，且本申请导流组件的结构可靠性较高、使用寿命较长。
[0005]本申请提供一种应用于CV本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于CVD反应器的导流组件，其特征在于，所述导流组件包括至少两个导流块；不同所述导流块之间相互独立，且所述至少两个导流块能够沿预设圆周方向依次排布，以形成环状结构，所述导流组件用于引导反应流体进行排放。2.根据权利要求1所述的导流组件，其特征在于，所述导流组件还包括连接结构；相邻所述导流块之间通过所述连接结构连接，用于限制相邻所述导流块在所述预设圆周方向的径向上的相对移动。3.根据权利要求2所述的导流组件，其特征在于，所述连接结构包括连接块和连接槽；相邻所述导流块分别设有所述连接槽，所述连接块分别嵌设于相邻所述导流块的所述连接槽中。4.根据权利要求3所述的导流组件，其特征在于，所述连接槽位于所述导流块的顶部；其中，所述导流块的顶面不低于所述连接块的顶面。5.根据权利要求1所述的导流组件，其特征在于，所述至少两个导流块包括目标导流块；位于所述目标导流块两侧的导流块之间在预设直线方向上具有最小距离；所述目标导流块在所述预设直线方向上具有最大宽度；其中，所述预设直线方向为所述预设圆周方向上所述目标导流块中心所处位置的切线方向，且所述最小距离小于所述最大宽度，以限制所述目标导流块朝所述预设圆周方向的圆心移动。6.根据权利要求1至5中任一项所述的导流组件，其特征在于，相邻所述导流块中的一者设有第一台阶部，另一者设有第二台阶部，所述第一台阶部的台阶面与所述第二台阶部的台阶面彼此搭接；所述第一台阶部的台阶面及所述第二台阶部的台阶面均具有交替设置的第一台...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：无锡先为科技有限公司，
类型：发明
国别省市：