本实用新型专利技术属于半导体技术领域，公布了一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，包括上腔体和下腔体，上腔体和下腔体之间设有反应腔，上腔体和下腔体接触处设有第一密封圈和第二密封圈，第一密封圈和第二密封圈之间开有一圈检测点，检测点底部连接有第一管路，第一管路的另一端连接有时控组件，时控组件的另一端连接有第二管路，第二管路远离时控组件的一端设有干泵，通过时控组件和干泵就能实现气体的流动，有效解决了氮气浪费的问题，简化了操作难度。难度。难度。
A leakage detection device for MOCVD double sealed reaction chamber
【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置
[0001]本技术属于半导体
，具体涉及一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置。
技术介绍
[0002]近年，半导体行业
发展前景非常广阔，基于密封反应室的MOCVD(Metal
‑
Organic Chemical Vapor Deposition)设备使用量也是数量庞大，但是目前现有技术中，MOCVD设备反应室双重密封法兰会有以下问题：
[0003](1)设备需要单独提供一路氮气管路，且运行过程中需要持续供应氮气，尾部直排排风系统，成本过高，造成极大的浪费；
[0004](2)氮气在排入排风系统中时会产生较大噪音，严重影响作业人员健康；
[0005](3)文丘里装置在设备维护时容易造成堵塞，增加设备维护难度。
技术实现思路
[0006]为解决上述问题，本技术提供了一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，通过时控组件和干泵就能实现气体的流动，有效解决了氮气浪费的问题，简化了操作难度。
[0007]本技术提供的技术方案如下：
[0008]一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，包括上腔体和下腔体，上腔体和下腔体之间设有反应腔，上腔体和下腔体接触处设有第一密封圈和第二密封圈，第一密封圈和第二密封圈之间开有一圈检测点，检测点底部连接有第一管路，第一管路的另一端连接有时控组件，时控组件的另一端连接有第二管路，第二管路远离时控组件的一端设有干泵。
[0009]进一步的，第一管路上在双重密封反应室和时控组件之间设置有压力传感器。
[0010]进一步的，第二管路上在时控组件和干泵之间设置有单向阀。
[0011]进一步的，时控组件包括时控开关和电磁阀。
[0012]进一步的，时控开关控制时间设置为开启1
‑
2min，关闭2
‑
3h。
[0013]进一步的，第一管路和第二管路为英制1/4管路。
[0014]进一步的，压力传感器设置压力检测范围为0torr
‑
300torr。
[0015]综上所述，本技术的有益效果是：
[0016](1)本技术时控组件和干泵就能实现气体的流动，以保证双重密封圈之间处于一个稳定的低压压力，有效解决了氮气浪费的问题，对因排氮气造成的噪音污染也可以完全消除。
[0017](2)本技术结构简单，无需使用文丘里装置，使用过程中设备不易堵塞，降低了维护难度，节约了成本。
[0018](3)本技术在时控组件和干泵之间设置了单向阀，可以防止干泵突然宕机造成气路倒灌，污染管路。
附图说明
[0019]图1为本技术结构示意图；
[0020]图2为本技术反应腔的俯视剖面图。
[0021]附图标记如下：
[0022]1、上腔体；2、下腔体；3、第一管路；4、第二管路；5、干泵； 6、压力传感器；7、单向阀；8、时控开关；9、电磁阀；10、反应腔；11、第一密封圈；12、第二密封圈；13、检测点。
具体实施方式
[0023]为了加深对本技术的理解，下面将结合实施例对本技术作进一步详述，以下实施例仅用于解释本技术，并不构成对本技术保护范围的限定。
[0024]如图1
‑
2所示，一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，包括上腔体1和下腔体2，上腔体1和下腔体2之间设有反应腔10，上腔体1和下腔体2接触处设有第一密封圈11和第二密封圈12，第一密封圈11和第二密封圈12用于密封上腔体1和下腔体2，第一密封圈 11和第二密封圈12之间开有一圈检测点13，检测点13底部连接有第一管路3，第一管路3的另一端连接有时控组件，时控组件的另一端连接有第二管路4，第一管路3通过时控组件与第二管路4时控连接，第二管路4远离时控组件的一端设有干泵5，干泵5不间断运行在MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置尾端，可持续为检测点13提供抽气来源，以保证双重密封圈之间处于一个稳定的低压压力。
[0025]在本实施例中，第一管路3上在检测点13和时控组件之间设置有压力传感器6，压力传感器6设置的压力检测范围为0torr
‑
300torr，保压时利用压力传感器6检测的压力数值，来判断双重密封反应室有无泄漏的情况出现。
[0026]在一些实施例中，优选的，第二管路3上在时控组件和干泵5之间设置有单向阀7，可以防止干泵5突然宕机造成气路倒灌，污染管路。
[0027]在本实施例中，因检测点13空间较小，所以第一管路3和第二管路4使用英制1/4管路。
[0028]在本实施例中，时控组件包括时控开关8和电磁阀9，利用时控开关8可以控制电磁阀9开启的时间和关闭的时间，即可以进行保压与抽低压，也可以减少部分功耗，当电磁阀9开启时，干泵5可以持续为检测点13抽低压，当电磁阀9关闭时，检测点13及第一管路3 和第二管路4进行保压处理，时控开关8控制时间设置为开启1
‑
2min，关闭2
‑
3h。
[0029]本技术的工作原理如下：
[0030]首先，当反应腔10正常工作时，打开干泵5，压力传感器6设置的压力检测范围为0torr
‑
300torr，时控开关8控制时间设置为开启1
‑
2min，关闭2
‑
3h，当时控开关8控制电磁阀9打开，此时为检测点13及第一管路3和第二管路4持续抽低压，1
‑
2min后时控开关 8控制电磁阀9关闭，此时处于保压状态；当保压时发现压力传感器 6检测的压力数值超过300torr时即判断密封异常，当保压时发现压力传感器6检测的压力数值在0torr到300torr时即判断密封正常； 2
‑
3h后重复时控开关8控制电磁阀9打开继续抽低压，以此来判断双重密封空间有无泄漏的情况出现。
[0031]需要说明的是，在附图或说明书正文中，未绘示或描述的实现方式，均为所属
中普通技术人员所知的形式，并未进行详细说明。此外，上述对各元件和方法的定义并
不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式。
[0032]还需要说明的是，本文可提供包含特定值的参数的示范，但这些参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应值。实施例中提到的方向用语，如涉及“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本申请的保护范围。
[0033]上述说明示出并描述了本技术的优选实施例，如前所述，应当理解本技术并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述技术构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，包括上腔体(1)和下腔体(2)，其特征在于，所述上腔体(1)和下腔体(2)之间设有反应腔(10)，所述上腔体(1)和下腔体(2)接触处设有第一密封圈(11)和第二密封圈(12)，第一密封圈(11)和第二密封圈(12)之间开有一圈检测点(13)，检测点(13)底部连接有第一管路(3)，所述第一管路(3)的另一端连接有时控组件，所述时控组件的另一端连接有第二管路(4)，所述第二管路(4)远离时控组件的一端设有干泵(5)。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，其特征在于，所述第一管路(3)上在双重密封反应室(2)和时控组件之间设置有压力传感器(6)。3.根据权利要求1所述的一种MOCVD双重密封反应室泄漏检测装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：房岩，张洪国，张海飞，王浩增，李正磊，唐继远，刘磊，
申请(专利权)人：江苏鹏举半导体设备技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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