本技术属于原子层沉积技术领域，尤其为原子层沉积装置，包括下腔体，所述下腔体的正面设有控制面板，所述下腔体的顶部设有上腔体，所述下腔体内设有加热板和放置板，所述控制面板和加热板电性连接，本技术通过设置插杆、卡块、锁紧座、安装槽、弹簧、锁架...

本申请的实施例提供了一种局域原子层刻蚀模块

本发明公开了一种半导体刻蚀设备离子源控制系统，包括：第一探测元件，用以收集半导体刻蚀设备的离子源束流密度，第一探测元件放置在离子源束流的有效区域的边缘；第二探测元件，用以收集半导体刻蚀设备的离子源射出的能量数据；PLC，PLC分别与第一...

本发明公开了一种对射频离子源线圈耦合效率的估算优化方法，包括使用等离子变压器模型，其优化步骤如下：确定线圈几何形状和放电室几何形状，确定相关参数和确定射频频率；计算出线圈电感值和电阻值；计算出品质因子Q，计算出射频离子源最大功率转换效率...

本发明公开了一种射频离子源放电室内气体电离临界条件的计算方法，包括如下步骤：确定线圈几何形状及其相关参数，确定射频频率，确定放电室内的压强值p，计算出线圈内均匀磁场和磁通，计算出电动势V的值，确定线圈内在的方向上的感应电场，建立放电室内...

本发明提供了一种离子发生装置及粒子移除方法，所述离子发生装置包括：本体，其内设有收容腔，所述收容腔用于收容衬底；离子源，收容于所述收容腔中，并与所述衬底相对设置；第一栅网和第二栅网，相互连接；栅网驱动机构，连接并驱动所述第一栅网和第二栅...

本发明公开了一种射频离子源实现阻抗匹配网络设计的优化方法，包括给两个真空电容器分别设定一个初始电容值；测量输入阻抗的值并且确定其实部和虚部的值；求出射频离子源等效阻抗实部、虚部及阻抗的值；求出两个真空电容器相对应的实际电容值，按照所求的...

本发明公开了一种用于真空镀膜或刻蚀设备真空环境内的温度监测及补偿系统，包括多个温度传感器，多个所述温度传感器分别位于腔体内部的多个测温区内，每个所述测温区内设置有用以补偿温度的温度补偿器，多个所述温度传感器分别与PLC的温度采集模块连接...

本发明公开了一种V型槽的径向密封结构，包括第一压环，第一压环的下端面具有压环斜面；第二压环，第二压环的内壁上设置有斜面台阶，形成第一内壁、第二内壁，第一内壁的口径大于第二内壁的口径，第一压环装配于第一内壁上，斜面台阶与压环斜面之间留有间...

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种等离子体发生装置，包括外筒和气体扩散桶，外筒和气体扩散桶通过CF法兰密封连通，外筒上安装有等离子发生器，外筒底部通过螺栓固定有石英筒固定板，外筒内密封设有用于传输等离子气体的石英筒，外筒顶部设有用...

本发明公开了一种固态前驱体源升华装置，包括固态源瓶主体，固态源瓶主体顶部的上盖板上设置有填料管以及进气管、出气管，出气管的下端终止于上盖板的下端面，其上端通过管路连通薄膜沉积腔体，管路上包裹有加热套；固态源瓶主体内设置有铜衬套，铜衬套卡...

本实用新型的实施例公开了一种原子层刻蚀机，包括：腔室；离子源装置，用于在腔室内的整个区域中形成离子束；以及设置在腔室内并用于承载衬底的承载平台；其中，离子源装置包括：射频离子源；以及多级栅网，设置在腔室内，多级栅网设置有相对的输入端和输...

本实用新型的实施例公开了一种原子层沉积反应装置，应用于粉末镀膜，其包括：反应罐体，其内部中空以形成一反应腔体；以及旋转驱动组件，其布置于所述反应罐体的外周，且所述旋转驱动组件与所述反应罐体传动连接；其中，所述反应腔体包括依次连通的第一反...

本实用新型的实施例公开了一种原子层刻蚀装置，其包括：反应腔体，其内部中空以形成一反应腔室，所述反应腔体具有轴向及围绕所述轴向的周向；加热盘，其设置于所述反应腔室内；以及承载盘，其安装于所述加热盘上；其中，所述反应腔体内具有沿周向布置的内...

本实用新型的实施例公开了一种远程控制装置，包括采集组件，采集组件包括温控结构和气控结构，温控结构和气控结构用于电连接原子层沉积设备；前端组件、数据处理组件和终端组件，前端组件与温控结构电连接，前端组件通过数据处理组件与气控结构电连接，前...

本申请实施例公开了一种原子层沉积或刻蚀装置，通过在容纳空间内设置至少两喷射单元，至少两喷射单元被布置成沿容纳空间的长度方向前进或者后退，而且一喷射单元被布置成在沿长度方向前进的过程中喷射第一反应气体，另一喷射单元被布置成在沿长度方向后退...

本申请公开了一种尾气处理装置，包括：尾气处理主体，其包括反应腔以及与所述反应腔相连通的进气管和排气管；以及过滤内芯，其设置于所述反应腔的内部，所述过滤内芯包括至少两个过滤网，每一过滤网开设有若干个网孔，相邻的两个过滤网的网孔交错设置，以...

本发明的实施例公开了一种原子层刻蚀反应装置，其中原子层刻蚀反应装置包括：真空机构，真空机构为原子层刻蚀反应提供场所；离子源，与真空机构相连通，离子源用于在真空机构内部产生离子场，形成一定的离子束流分布；平台总成，平台总成设置在真空机构内...

本申请的实施例公开了一种旋转式内壁镀膜装置，其包括：反应罐体，其内部中空以形成一反应腔，所述反应腔内设置有待镀膜的产品，所述产品内部中空以形成一镀膜腔；进气管，所述进气管用于输送前驱体气体及惰性气体，所述进气管具有第一纵长方向，所述进气...

本发明的实施例公开了一种用于原子层刻蚀设备的连接端子，其中用于原子层刻蚀设备的连接端子包括：主体部，主体部上开设有直线通道，直线通道的其中一端可设置固定结构，另一端则设为压接区，一个真空电极能安装至固定结构，一个电线能安装至压接区，一个...