阵列基板及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种阵列基板、一种阵列基板制备方法，该阵列基板包括衬底、第一金属层、第二金属层，第一金属层设置于衬底上方，第一金属层包括第一凸部，第二金属层设置于第一金属层远离衬底的一侧，其中，衬底设置有凹槽，凹槽的开口朝向第一金属层，第一凸部与凹槽在膜层厚度方向上重叠设置；通过在衬底上表面设置凹槽，使第一凸部与凹槽相对应设置，第一凸部与凹槽在膜厚方向上重叠，提高了第一凸部处的膜层平整性，避免了第一金属层与第二金属层之间发生短路。属层之间发生短路。属层之间发生短路。

Array substrate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、一种阵列基板制备方法。

技术介绍

[0002]Mini LED直显在印刷白油制程中，在丝网印刷或滚轮传输后，通过Test pad测量得到多种信号间存在短路，短路的主要原因是基板在第一金属层和第二金属层金属线交叉处，第一金属层呈凸起导致应力局部集中，导致交叉处的绝缘膜层破裂，造成第一金属层和第二金属层短路。
[0003]因此，现有阵列基板存在第一金属层与第二金属层发生短路的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板、一种阵列基板制备方法，可以缓解现有阵列基板存在第一金属层与第二金属层发生短路的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一金属层，所述第一金属层设置于所述衬底上方，所述第一金属层包括第一凸部；
[0008]第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧，
[0009]其中，所述衬底设置有凹槽，所述凹槽的开口朝向所述第一金属层，所述第一凸部与所述凹槽在膜层厚度方向上重叠设置。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一金属层还包括与所述第一凸部间隔设置的第二凸部，所述凹槽包括与所述第一凸部重叠设置的第一凹槽、与所述第二凸部重叠设置的第二凹槽。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一凹槽的深度与所述第一凸部的厚度的比值范围小于或等于1.1，所述第二凹槽的深度与所述第二凸部的厚度的比值范围小于或等于1.1。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一凸部为栅极，所述栅极设置于所述第一凹槽内。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一凹槽的深度与所述栅极的厚度的比值范围大于或等于1。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一凹槽内填充设置有第一补偿层，所述第一补偿层远离衬底一侧的表面与衬底的顶面平齐设置。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二凸部为扫描线，所述扫描线设置于所述第二凹槽内。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二凹槽的深度与所述扫描线的厚度的比值范围大于或等于1。
[0017]本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，包括：
[0018]提供一衬底；
[0019]在所述衬底的上表面刻蚀形成有凹槽；
[0020]在衬底上方制备得到第一金属层，所述第一金属层包括第一凸部，所述第一凸部与所述凹槽在膜厚方向上重叠设置；
[0021]在所述第一金属层远离所述衬底的一侧制备得到第二金属层。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，在衬底上方制备得到第一金属层的步骤还包括：在所述衬底上方制备一层负性光阻层，所述负性光阻层包括与所述凹槽对应的图案设置区，所述图案设置区外侧的所述负性光阻层的侧壁呈底切设置，在所述负性光阻层远离所述衬底的一侧整面涂布一整层金属材料，剥离所述负性光阻层以及位于所述负性光阻层上方的金属材料，在所述图案设置区制备得到所述第一金属层。
[0023]有益效果：通过在衬底上表面设置凹槽，使第一凸部与所述凹槽相对应设置，所述第一凸部与所述凹槽在膜厚方向上重叠，提高了所述第一凸部处的膜层平整性，避免了所述第一凸部导致上方的绝缘膜层破裂，缓解了现有阵列基板存在第一金属层与第二金属层发生短路的技术问题。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本申请提供的阵列基板的第一种截面示意图；
[0026]图2是本申请提供的阵列基板的第二种截面示意图；
[0027]图3A至图3D是本申请提供的阵列基板制备方法的步骤流程图；
[0028]图4是本申请提供的阵列基板制备方法的流程示意图。
[0029]附图标记说明：
[0030]具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0032]请参阅图1，本申请提供的阵列基板1包括衬底10、第一金属层20、第二金属层50，所述第一金属层20设置于所述衬底10上方，所述第一金属层20包括第一凸部，所述第二金属层50设置于所述第一金属层20远离所述衬底10的一侧，其中，所述衬底10设置有凹槽，所述凹槽的开口朝向所述第一金属层20，所述第一凸部与所述凹槽在膜层厚度方向上重叠设置。
[0033]在本实施例中，通过在衬底10上表面设置凹槽，使第一凸部与所述凹槽相对应设置，所述第一凸部与所述凹槽在膜厚方向上重叠，提高了所述第一凸部处的膜层平整性，所述第一凸部处不容易发生绝缘膜层的破裂，避免了第一金属层20与第二金属层50之间发生短路。
[0034]其中，所述绝缘膜层可以为栅绝缘层30、钝化层60、层间绝缘层中的任一种。
[0035]现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
[0036]需要注意的是，下述实施例以底栅结构的阵列基板1作为举例进行说明，本申请同样适用于顶栅结构的阵列基板1及其他膜层设置方案下的阵列基板1，在此不再赘述。
[0037]在一种实施例中，所述第一金属层20还包括与所述第一凸部间隔设置的第二凸部，所述凹槽包括与所述第一凸部重叠设置的第一凹槽70、与所述第二凸部重叠设置的第二凹槽80。
[0038]其中，所述第一金属层20可以为栅极201层，所述第一凸部可以为栅极201，所述第二凸部可以为扫描线202。
[0039]其中，所述第一凹槽70的宽度可以大于或等于所述第一凸部的宽度，所述第二凹槽80的宽度可以大于或等于所述第二凸部的宽度；通过限定第一凹槽70和第二凹槽80的宽度，能提升栅极201和扫描线202在膜厚方向对应位置的膜厚平整度。
[0040]可以理解的是，例如：所述第一金属层20为栅极201层时，所述栅极201层除了栅极201外还包括与栅极201同层的扫描线202，栅极201和扫描线202处都存在平整性不足的缺陷，因此，根据栅极201和扫描线202的宽度不同，设置不同的第一凹槽70和第二凹槽80本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一金属层，所述第一金属层设置于所述衬底上方，所述第一金属层包括第一凸部；第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧，其中，所述衬底设置有凹槽，所述凹槽的开口朝向所述第一金属层，所述第一凸部与所述凹槽在膜层厚度方向上重叠设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括与所述第一凸部间隔设置的第二凸部，所述凹槽包括与所述第一凸部重叠设置的第一凹槽、与所述第二凸部重叠设置的第二凹槽。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的深度与所述第一凸部的厚度的比值范围小于或等于1.1，所述第二凹槽的深度与所述第二凸部的厚度的比值范围小于或等于1.1。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凸部为栅极，所述栅极设置于所述第一凹槽内。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的深度与所述栅极的厚度的比值范围大于或等于1。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽内填充设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦文，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：