一种急停无延迟的电路制造技术

一种急停无延迟的电路，包括有电源输入端AC+和电源输出端AC

【技术实现步骤摘要】
一种急停无延迟的电路


[0001]本技术涉及电子
，尤其是一种急停无延迟的电路。

技术介绍

[0002]现有技术背景的电路，当其输入端的入电与其他电机设备共用入电来源时，在入电端电力中断时，会受到使用相同入电来源的设备所影响使得此电路断电延迟，会让一些需要此电路能反应及时的场合，给造成很大的困扰。当此电路回路加入金氧半场效晶体管 MOSFET后，通过控制金氧半场效晶体管MOSFET的电压控制特性，来降低外界电机设备的影响，提升电路反应特性。尤其是需要断电后及时反应的场合。

技术实现思路

[0003]为了解决上述现有技术中存在的问题，本技术提供一种急停无延迟的电路。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0005]一种急停无延迟的电路，包括有电源输入端AC+和电源输出端AC
‑
，其中，支路L1 上设置有氧化锌压敏电阻ZNR1，支路L2设置有二极管D2，支路L8上设置有二极管D1，支路L3上设置有氧化锌压敏电阻ZNR2和金氧半场效晶体管MOSFET，金氧半场效晶体管MOSFET的支路L6和支路L7分别连接于开关控制回路；开关控制回路的支路L4和支路L5分别连接于全波控制回路；支路L5设置有二极管D3，支路L9设置有二极管D4。
[0006]优化的：全波控制回路电路包括有二极管D11和二极管D12。
[0007]优化的：开关控制回路电路包括有基纳二极管ZD11和基纳二极管ZD12。
[0008]本技术和现有技术相比，其优点在于：<br/>[0009]本技术的电路可以实现急停，无需延迟反应。
[0010]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为本技术的电路结构示意图；
[0013]图2为本技术的全波控制回路的电路结构示意图；
[0014]图3为本技术的开关控制回路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面将参照附图更详细地描述本技术公开的示例性实施例，这些实施例是为
了能够更透彻地理解本技术，并且能够将本技术公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。虽然附图中显示了本技术公开的示例性实施例，然而应当理解，本技术而不应被这里阐述的实施例所限制。
[0016]一种急停无延迟的电路，包括有电源输入端AC+和电源输出端AC
‑
，其中，支路L1 上设置有氧化锌压敏电阻ZNR1，支路L2设置有二极管D2，支路L8上设置有二极管D1，支路L3上设置有氧化锌压敏电阻ZNR2和金氧半场效晶体管MOSFET，金氧半场效晶体管MOSFET的支路L6和支路L7分别连接于开关控制回路；开关控制回路的支路L4和支路L5分别连接于全波控制回路；支路L5设置有二极管D3，支路L9设置有二极管D4。
[0017]优化的：图2所示，全波控制回路电路包括有二极管D11和二极管D12。
[0018]优化的：图3所示，开关控制回路电路包括有基纳二极管ZD11和基纳二极管ZD12。
[0019]急停无延迟的电路的工作原理：
[0020]当此电路输入端的入电电力与其他电机设备共用入电来源时，在入电端电力中断时，会受到使用相同入电来源的电机设备所影响—断电逆向回馈电压，使得此电路断电延迟，断电反应时间变长，会让一些需要此电路能反应及时的场合，给造成很大的困扰。而利用金氧半场效晶体管MOSFET的电压控制特性作为回路开关，将其动作电压控制在一定的范围，来降低断电逆向回馈电压的影响，提升电路反应特性。
[0021]其工作原理为，电路输入端入电后，通过全波控制回路把开关控制回路一直维持导通状态，让作为开关的金氧半场效晶体管MOSFET维持在开通状态，使得整个电路是导通状态的。
[0022]若是电路输入端的入电电力与其它电机设备是共用入电来源的情形下，当断电时，由於此电路与其它电机设备为并联状态，此电路所并联的其它电机设备产生的断电逆向回馈电压，在断电的当下，让此电路回路输入端仍有电压存在，并不会立即断电。
[0023]现有技术背景的电路无论断电逆向回馈电压的高低都会有输出反应，而造成断电延迟。而此现有技术背景的电路加入金氧半场效晶体管MOSFET及全波控制回路后，通过开关控制回路的电压钳位控制，限制了来自断电逆向回馈电压的影响避免了延迟情况。
[0024]本技术的电路可以实现急停，无需延迟反应。
[0025]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，上面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行了清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0026]因此，以上对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种急停无延迟的电路，其特征在于：包括有电源输入端AC+和电源输出端AC
‑
，其中，支路L1上设置有氧化锌压敏电阻ZNR1，支路L2设置有二极管D2，支路L8上设置有二极管D1，支路L3上设置有氧化锌压敏电阻ZNR2和金氧半场效晶体管MOSFET，金氧半场效晶体管MOSFET的支路L6和支路L7分别连接于开关控制回路；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈裕丰，
申请(专利权)人：产华机电上海有限公司，
类型：新型
国别省市：