能减少失真和噪声及增加绝缘度的开关电容结构制造技术

一种开关电容级，所述开关电容级包括一个缓冲晶体管和一个采样电容，串连在第一个和第二个采样开关之间，这两个开关在运行的采样模式中闭合，并包括第一个和第二个转移开关在运行的转换模式中闭合，并分别连接到所述缓冲晶体管的控制端和电流端；所述改进包括： 第二个缓冲晶体管，含有一个控制端，接收输入信号；和一个电流端，连接到所述第一个采样开关，以将所述输入信号传递给所述第一个采样开关。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：S·G·巴兹利，R·K·库马拉贡特勒，
申请(专利权)人：模拟设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：