【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]用于存储数据的存储器元件可分为挥发性(volatile)存储器与非挥发性(non
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volatile)存储器。由于非挥发性存储器可进行多次数据的存入、读取与抹除等操作，且具有当电源供应中断时，所存储的数据不会消失、数据存取时间短以及低消耗功率等优点，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器。然而，当存储在非挥发性存储器中的电荷流失时，会导致存储器元件的数据保存能力与可靠度降低。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种存储器结构及其制造方法，其可有效地防止电荷流失，进而可提升存储器元件的数据保存能力与可靠度。
[0004]本专利技术提出一种存储器结构，包括基底、第一介电层、第二介电层、电荷存储层、氧化物层与导体层。第一介电层设置在基底上。第二介电层设置在第一介电层上。电荷存储层设置在第一介电层与第二介电层之间。氧化物层位于电荷存储...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：基底；第一介电层，设置在所述基底上；第二介电层，设置在所述第一介电层上；电荷存储层，设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间；氧化物层，位于所述电荷存储层的两末端，且设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间；以及导体层，设置在所述第二介电层上。2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述氧化物层连接在所述第二介电层的底面与所述第一介电层的顶面之间。3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一介电层、所述第二介电层与所述氧化物层围绕所述电荷存储层。4.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述导体层覆盖所述氧化物层的侧壁。5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一介电层的材料包括氧化物，所述第二介电层的材料包括氧化物，且所述电荷存储层的材料包括氮化物。6.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：隔离结构，位于所述基底中。7.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述氧化物层位于所述隔离结构上方。8.如权利要求6所述的存储器结构，其中部分所述第一介电层、部分所述电荷存储层与部分所述第二介电层位于所述隔离结构上方。9.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述隔离结构的上表面具有凹陷，且所述凹陷邻近于所述基底。10.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述隔离结构的上表面为平坦面。11.一种存储器结构的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介电材料层；在所述第一介电材料层上形成电荷存储材料层；在所述电荷存储材料层上形成第二介电材料层；对所述第二介电材料层、所述电荷存储材料层与所述第一介电材料层进行图案化制作工艺，而形成第二图案化介电材料层、图案化电荷存储材料层与第一图案化介电材料层；对所述图案化电荷存储材料层进行氧化制作工艺，而在所述图案化电荷存储材料层的末端形成氧化物材...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳宏，叶宇寰，王泉富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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