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本发明公开一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括基底、第一介电层、第二介电层、电荷存储层、氧化物层与导体层。第一介电层设置在基底上。第二介电层设置在第一介电层上。电荷存储层设置在第一介电层与第二介电层之间。氧化物层位于电荷存储层的两末端...
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