一种芯片去层装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种芯片去层装置及方法，属于半导体集成电路技术领域，该芯片去层装置包括携带片及位于其正面的目标芯片，所述携带片的反面设置有一恒定质量且质地均匀的施力件，所述施力件的质量至多为500克，在所述目标芯片的外围的所述携带片的正面上至少固定设置一片伪片，且所述伪片的厚度不低于所述目标芯片的厚度。为解决人工按压芯片进行研磨的过程中，芯片受力难以控制且不均匀带来的负面问题，通过利用一恒定质量且质地均匀的施力件，依赖施力件本身的重力来对目标芯片施力，来进行研磨去层，施力件施力均匀，使目标芯片内部结构原始形貌保持度良好，避免内部结构出现变形。形。形。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片去层装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
，特别涉及一种芯片去层装置及方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路生产时，当芯片测试出现异常时，需要对芯片进行研磨摩擦处理，直至目标层露出，以对芯片内部电路结构进行电性和物性分析。
[0003]在实际操作中，一般采用研磨盘，通过人工按压固定芯片样品进行研磨去层，操作人员的手指按压对芯片施力，因此，芯片样品受到的手指向下的压力直接影响到去层后样品表面的均匀度以及前后段结构形貌保持度。研磨去层过程中，操作人员手指施加在芯片上压力大小难以控制，芯片易从指尖脱落，需停下重新调整，影响研磨效率，而且压力施加不均匀，芯片容易研磨不均匀，甚至还会使芯片内部布线结构改变。如图1的芯片切面电镜图，影响芯片内部电路结构的分析，芯片研磨的均匀度以及研磨时长过于依赖于研磨操作人员的个人经验。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种芯片去层装置及方法，以解决芯片研磨去层时受力不均匀以及研磨效率低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片去层装置，其特征在于，包括携带片（1）及位于其正面的目标芯片（2），所述携带片（1）的反面设置有一恒定质量且质地均匀的施力件（4），其中，所述携带片（1）正面的面积大于所述目标芯片（2）的面积，所述携带片（1）反面的面积小于或等于所述施力件（4）与所述携带片接触的一面的面积，所述施力件（4）的质量至多为500克，在所述目标芯片（2）的外围的所述携带片（1）的正面上至少固定设置一片伪片（3），且所述伪片（3）的厚度不低于所述目标芯片（2）的厚度。2.如权利要求1所述的芯片去层装置，其特征在于，所述施力件（4）的质量范围在300克~500克之间，所述施力件（4）与所述携带片（1）接触的一面光滑平整，所述施力件（4）采用的材质包括金属，所述施力件（4）的形状包括圆柱形、正方形、长条形。3.如权利要求1所述的芯片去层装置，其特征在于，通过粘贴或嵌合的方式在所述携带片（1）的正面上固定所述目标芯片（2）的反面，和/或，通过粘接或嵌合或键合的方式在所述携带片（1）的反面上固定所述施力件（4）。4.如权利要求1所述的芯片去层装置，其特征在于，所述目标芯片（2）与所述伪片（3）之间的缝隙中填充有固化胶（5），且所述固化胶至少填充至与所述目标芯片（2）的表面齐平。5.一种芯片去层方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待研磨的目标芯片（2）；在携带片（1）的正面上固定所述目标芯片（2）的反面，在所述携带片（1）的反面上固定一恒定质量且质地均匀的施力件（4），其中，所述携带片（1）正面的面积大于所述目标芯片（2）的面积，所述携带片（1）反面的面积小于或等于所述施力件（4）与所述携带片接触的一面的面积，所述施力件（4）的质量至多为500克；将所述施力件（4）连带所述携带片（1）和所述目标芯片（2）一同翻转，使所述目标芯片（2）的正面朝向研磨装置水平设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡金行，田斌伟，康绍磊，蔡信裕，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：