【技术实现步骤摘要】
一种反应离子刻蚀掩膜
[0001]本专利技术属于微纳结构加工领域，具体涉及一种反应离子刻蚀掩膜。
技术介绍
[0002]容性耦合等离子体放电加工时间与口径无关，其原理是在平板电容器中产生辉光放电，使工件表面形成鞘层，鞘层电压驱动带电粒子运动到工件表面，进而与工件表面原子发生化学反应形成可挥发气体分子，反应产物被抽走后形成材料去除。容性耦合等离子体放电的去除束斑口径可以认为与样品口径相同，通过工件表面的掩蔽层对去除束斑口径进行修饰，实现面形修正。
[0003]本专利技术主要是针对工件表面的掩蔽层，即掩膜，进行改进，传统的反应离子刻蚀掩膜制作是在不需要刻蚀的区域涂上掩膜层，需要刻蚀的区域不做任何处理，这样，刻蚀之后就会有边缘效应，出现掩膜边界出现台阶的问题。在反应离子刻蚀修型的工艺中，由于检测的波像差是连续面型，而不是离散的，所以本专利技术刻蚀采用的掩膜最好是渐变的灰度，而不是非零即一的状态，这样刻蚀后的波前也不会出现台阶的情况。
技术实现思路
[0004]本专利技术不同于传统的反应离子刻蚀掩膜，解决了传...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反应离子刻蚀掩膜，其特征在于：它按以下步骤实现：步骤一，干涉仪检测被测镜的波像差，保存被测镜的波前数据；步骤二，根据波像差确定被测镜的高点区域，即需要修型的区域，将需要修型的区域进行分块；步骤三，确定每一个块的中心位置；步骤四，然后从中心向外散开，在需要修型的区域所对应的掩膜内，轴线方向上渐变地随机分布小孔，孔内区域透过刻蚀，孔外区域不透过不刻蚀；步骤五，重复步骤四，将掩膜上每一块都渐变地布满随机小孔，确保小孔之间不重叠，不相交。2.根据权利要求1所述的一种反应离子刻蚀掩膜，其特征在于：镜子的反应离子刻蚀修型的工艺过程中，步骤二中需要修型的区域是根据步骤一检测的波像差数据来确定的，而且修型过程不是一次就修好了，根据波像差的PV值，来确定需要修型的次数及深度，每进行一次修型，就需要重新进行步骤三至五，每一次修型的掩膜都不一样。3.根据权利要求1所述的一种反应离...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗倩，高国涵，邵俊铭，吴湘，范斌，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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