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本发明公开了一种反应离子刻蚀掩膜。传统的反应离子刻蚀掩膜制作是在不需要刻蚀的区域涂上掩膜层，需要刻蚀的区域不做任何处理，这样，刻蚀之后就会有边缘效应，出现掩膜边界出现台阶的问题。在反应离子刻蚀修型的工艺中，检测的波像差是连续面型，而不是离散...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。

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