一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法技术

本发明专利技术公开了一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。本发明专利技术通过以上净化方式的优化，即可大浮动降低减薄Grinding过程的Dimple率，还可以避免Grinding过程Dimple位于边缘的问题，避免硅片因纳米形貌不良造成报废、提高产品良率。品良率。品良率。

A self purification method to reduce the dimple rate in grinding process

【技术实现步骤摘要】
一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法。

技术介绍

[0002]随着IC工业的飞速发展,芯片尺寸不断加大,集成电路设计线宽不断减小,对硅材料晶体内部及硅片表面的质量要求也越来越高，随着器件特征尺寸的减小,对硅材料表面的要求越来越苛刻,表面好坏,直接影响到器件的加工质量和成品率，在光刻工艺中,对于0.18微米以下线宽的器件,可以发现在光刻后,CD的变化趋势与硅片表面纳米形貌的变化是一致的，这就很好的说明,纳米形貌对光刻质量有着很直接的影响，在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场(massmarket)的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
[0003]其中现有的硅片制造Grinding会发生Dimple问题，严重影响纳米形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其特征在于：其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。S3、最后将Table的外圈气量进行实时调大、将Table的水量进行实时调...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘姣龙，蒋文斌，李苏峰，邓欢，武卫，刘建伟，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：