一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法技术

本发明专利技术公开了一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。本发明专利技术通过以上净化方式的优化，即可大浮动降低减薄Grinding过程的Dimple率，还可以避免Grinding过程Dimple位于边缘的问题，避免硅片因纳米形貌不良造成报废、提高产品良率。品良率。品良率。

A self purification method to reduce the dimple rate in grinding process

【技术实现步骤摘要】
一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法。

技术介绍

[0002]随着IC工业的飞速发展,芯片尺寸不断加大,集成电路设计线宽不断减小,对硅材料晶体内部及硅片表面的质量要求也越来越高，随着器件特征尺寸的减小,对硅材料表面的要求越来越苛刻,表面好坏,直接影响到器件的加工质量和成品率，在光刻工艺中,对于0.18微米以下线宽的器件,可以发现在光刻后,CD的变化趋势与硅片表面纳米形貌的变化是一致的，这就很好的说明,纳米形貌对光刻质量有着很直接的影响，在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场(massmarket)的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
[0003]其中现有的硅片制造Grinding会发生Dimple问题，严重影响纳米形貌，所以降低Grinding过程的Dimple率至关重要，同时大大增加硅片的报废率，增加了生产加工的整体成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，以解决上述
技术介绍
中提出的其中现有的硅片制造Grinding会发生Dimple问题，严重影响纳米形貌，所以降低Grinding过程的Dimple率至关重要，同时大大增加硅片的报废率，增加了生产加工的整体成本的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其自净化方法包括以下步骤：
[0006]S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。
[0007]S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。
[0008]S3、最后将Table的外圈气量进行实时调大、将Table的水量进行实时调大，将Table的内圈气量进行实时调小、将Table的水量进行实时调小，中心陶瓷孔更多、更容易排除、且中心Dimple对后道影响较小。
[0009]优选的，所述Table的材质为陶瓷，所述Table的尺寸为12英寸，且Table的表面环绕设置有多层陶瓷孔。
[0010]优选的，所述Table调整的内圈验证内流量需保证圈1
‑
1.5ml/min，外圈介于内圈2
‑
3倍效果最佳。
附图说明
[0011]图1为本专利技术的Dimple的形成原理图；
[0012]图2为本专利技术的Dimple杂质形成示意图；
[0013]图3为本专利技术的加工研磨过程示意图；
[0014]图4为本专利技术的Table示意图结构示意图。
[0015]图中：1、磨轮；2、硅片；3、Table。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0017]本专利技术在进行硅片研磨净化的过程中，通过以上净化方式的优化，即可大浮动降低减薄Grinding过程的Dimple率，还可以避免Grinding过程Dimple位于边缘的问题，避免硅片因纳米形貌不良造成报废、提高产品良率。
具体实施方式
[0018]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]实施例一：
[0020]本实施例的自净化方法包括以下步骤：
[0021]S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。
[0022]S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。
[0023]S3、最后将Table的外圈气量进行实时调大、将Table的水量进行实时调大，将Table的内圈气量进行实时调小、将Table的水量进行实时调小，中心陶瓷孔更多、更容易排除、且中心Dimple对后道影响较小。
[0024]本实施例中，Table的材质为陶瓷，Table的尺寸为12英寸，且Table的表面环绕设置有多层陶瓷孔。
[0025]本实施例中，Table调整的内圈验证内流量需保证圈1
‑
1.5ml/min，外圈介于内圈2
‑
3倍效果最佳，使得中心陶瓷孔更多、并且能够更容易排除、且中心Dimple对后道影响较小。
[0026]实施例二：
[0027]与实施例一的区别特征在于：
[0028]本实施例的自净化方法包括以下步骤：
[0029]首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将
需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片，通过设定磨轮加工过程转速等于净化(即不研磨过程)转速，且通过设定Table加工过程转速等于净化(即不研磨过程)转速，同时通过设定Table陶瓷孔每个孔的吹气量、吹水流量大小都一致。
[0030]综上：本专利技术实施例一中的本专利技术结果表明，相比于实施例二中传统的自净化方法结果，本专利技术在进行硅片研磨净化的过程中，可大浮动降低减薄Grinding过程的Dimple率，还可以避免Grinding过程Dimple位于边缘的问题，更加有效的避免硅片因纳米形貌不良造成报废、提高产品良率，更加有效的降低了生产整体成本，因此本专利技术的自净化方法更加优于传统的自净化方法。
[0031]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0032]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其特征在于：其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修复。S3、最后将Table的外圈气量进行实时调大、将Table的水量进行实时调...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘姣龙，蒋文斌，李苏峰，邓欢，武卫，刘建伟，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：