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本发明公开了一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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