应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法和系统技术方案

本申请公开了一种应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法和系统，该方法包括：检测晶圆是否位于目标位置，该晶圆是进行刻蚀工艺后的晶圆；当确定晶圆位于目标位置时，控制清洁装置向晶圆喷出吹扫气体以清除残留在所述晶圆上的反应气体，该反应气体包括含氟气体和/或含氯气体。本申请通过检测进行刻蚀工艺后的晶圆是否位于目标位置，当确定晶圆位于目标位置时，控制清洁装置向晶圆喷出吹扫气体以清除残留在晶圆上的反应气体，从而避免了进行刻蚀工艺后的晶圆对未进行刻蚀工艺的晶圆的污染，提高了产品的良率。高了产品的良率。高了产品的良率。

Wafer cleaning method and system applied in etching process

【技术实现步骤摘要】
应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法和系统


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法和系统。

技术介绍

[0002]刻蚀是半导体制造工艺中的一种重要的工艺步骤，是与光刻相联系的图形化处理工艺，在刻蚀工艺中通常会使用大量的碳氟气体，在常温常压下易产生气体释放。
[0003]参考图1，其示出了相关技术中提供的刻蚀设备的晶圆存储腔室内部的示意图。示例性的，如图1所示：刻蚀设备的晶圆存储腔室110中的晶舟(图1中未示出)上放置有晶圆，包括进行刻蚀工艺后的晶圆101和还未进行刻蚀工艺的晶圆102，经过刻蚀后的晶圆101会挥发工艺过程中产生的碳氟气体，这些气体不能通过晶圆存储腔室110完全排出，从而附着在未进行刻蚀工艺的晶圆102表面，进而对产品质量产生影响。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法和系统，可以解决相关技术中提供的刻蚀设备中刻蚀后的晶圆会挥发气体污染未刻蚀的晶圆的问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法，包括：
[0006]检测晶圆是否位于目标位置，所述晶圆是进行刻蚀工艺后的晶圆；
[0007]当确定所述晶圆位于所述目标位置时，控制清洁装置向晶圆喷出吹扫气体以清除残留在所述晶圆上的反应气体，所述反应气体包括含氟气体和/或含氯气体。
[0008]在一些实施例中，所述目标位置位于刻蚀设备的反应腔室的上方，所述晶圆的出舱口。
[0009]在一些实施例中，所述吹扫气体包括氮气。
[0010]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0011]检测所述目标位置的吹扫的气体指标是否触发警报；
[0012]当确定所述氮气的气体指标触发警报时，进行报警并停止所述清洁装置的吹扫气体供应。
[0013]在一些实施例中，所述气体指标包括压力、流量和浓度中的至少一种。
[0014]另一方面，本申请实施例提供了一种应用于刻蚀工艺中的清洁系统，包括：
[0015]晶圆监测模块，用于检测晶圆是否位于目标位置，所述晶圆是进行刻蚀工艺后的晶圆；
[0016]控制模块，用于当确定所述晶圆位于所述目标位置时，控制气体进出模块喷出吹扫气体以清除残留在所述晶圆上的反应气体，所述反应气体包括含氟气体和/或含氯气体。
[0017]在一些实施例中，所述目标位置位于刻蚀设备的反应腔室的上方，所述晶圆的出舱口。
[0018]在一些实施例中，所述吹扫气体包括氮气。
[0019]在一些实施例中，所述系统还包括：
[0020]气体监测模块，用于检测所述目标位置的吹扫的气体指标；
[0021]报警模块，用于当确定所述氮气的气体指标触发警报时，进行报警并向所述控制模块发送指令，该指令用于指示所述控制模块控制所述气体进出模块停止吹扫气体供应。
[0022]在一些实施例中，所述气体指标包括压力、流量和浓度中的至少一种。
[0023]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0024]通过检测进行刻蚀工艺后的晶圆是否位于目标位置，当确定晶圆位于目标位置时，控制清洁装置向晶圆喷出吹扫气体以清除残留在晶圆上的反应气体，从而避免了进行刻蚀工艺后的晶圆对未进行刻蚀工艺的晶圆的污染，提高了产品的良率。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是相关技术中提供的刻蚀设备的晶圆存储腔室内部的示意图；
[0027]图2是本申请一个示例性实施例提供的应用于刻蚀工艺中的清洁系统的拓扑图；
[0028]图3是本申请一个示例性实施例提供的应用于刻蚀工艺中的清洁装置的示意图；
[0029]图4是本申请一个示例性实施例提供的应用于刻蚀工艺中的清洁方法的流程图。
具体实施方式
[0030]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0031]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0033]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0034]参考图2，其示出了本申请一个示例性实施例提供的应用于刻蚀工艺中的清洁系统的拓扑图，如图2所示，该系统包括：
[0035]晶圆监测模块224，用于检测晶圆是否位于目标位置，当确定晶圆位于目标位置时，向控制模块210发送指令。其中，该晶圆是刻蚀设备中进行刻蚀工艺后的晶圆；目标位置位于刻蚀设备的反应腔室的上方，晶圆的出舱口的区域。
[0036]控制模块210，用于当接收到晶圆监测模块224发送的指令，确定晶圆位于目标位置时，控制气体进出模块221喷出吹扫气体以清除残留在该晶圆上的反应气体。其中，该反应气体包括含氟气体和/或含氯气体。在一些实施例中，该吹扫气体包括氮气。
[0037]气体监测模块223，用于检测目标位置的吹扫气体的气体指标。其中，气体指标包括压力、流量和浓度中的至少一种；气体监测模块223可包括气体压力检测单元、气体流量检测单元以及气体浓度检测单元中的至少一个单元。
[0038]报警模块222，用于当确定氮气的气体指标触发警报时，进行报警并向控制模块210发送指令，该指令用于指示控制模块210控制气体进出模块221停止吹扫气体供应。
[0039]控制模块210包括处理器211和存储器212，存储器212中存储有至少一条指令或程序，该指令或程序由处理器211加载并执行以实现如下任一实施例所述的应用于刻蚀工艺中的清洁方法。
[0040]参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于刻蚀工艺中的晶圆清洁方法，其特征在于，包括：检测晶圆是否位于目标位置，所述晶圆是进行刻蚀工艺后的晶圆；当确定所述晶圆位于所述目标位置时，控制清洁装置向晶圆喷出吹扫气体以清除残留在所述晶圆上的反应气体，所述反应气体包括含氟气体和/或含氯气体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标位置位于刻蚀设备的反应腔室的上方，所述晶圆的出舱口。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述吹扫气体包括氮气。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：检测所述目标位置的吹扫气体的气体指标是否触发警报；当确定所述氮气的气体指标触发警报时，进行报警并停止所述清洁装置的吹扫气体供应。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述气体指标包括压力、流量和浓度中的至少一种。6.一种应用于刻蚀工艺中的清洁系统，其特征在于，包括：晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金赟，石生宝，姜玮，李浩，李全鹏，沈荣亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：