一种化学气相沉积反应器的气体入口结构制造技术

本实用新型专利技术公布了一种化学气相沉积反应器的气体入口结构，包括反应器壳体，反应器壳体上前后对称设有进气组件，进气组件下方的反应器壳体外壁固接有电机，进气组件包括阀筒、转轴和阀座，阀筒上固接有集气罩，集气罩位置的阀筒上开设有出气孔，集气罩上固接有出气管，出气管的头部固接有加热筒，本实用新型专利技术的有益效果是，通过进气组件的设置使得两种气态原材料输送到反应器壳体中的时间错开，从而使得一种气态原材料输送完成后，并在反应器壳体中大致分布均匀后，另一种气态原材料才会输送，可以有效提高反应的均匀程度，进而使得沉积膜的厚度均匀，通过加热筒可以对输送到反应器壳体中的气态原材料进行加热而提高其温度，提高反应的效果。提高反应的效果。提高反应的效果。

A gas inlet structure of chemical vapor deposition reactor

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积反应器的气体入口结构


[0001]本技术涉及化学气相沉淀
，具体涉及一种化学气相沉积反应器的气体入口结构。

技术介绍

[0002]化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，在化学气相沉积的时候，将两种气态的原材料通入到反应室，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。
[0003]现有技术中，两种气态的原材料一般同时通入到反应室中，导致气态原料还没有均匀分布在反应室中时即发生反应，从而导致各处的反应不均匀，进而导致晶片上沉积膜的厚度不均匀，且气态的原材料在输送的过程中，其温度不断下降，现有技术中，未在入口处设置加热装置对气态的原材料进行温度的补充，导致反应器中的气态的原材料温度不够高，进而导致反应效果不好。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本技术提供了一种化学气相沉积反应器的气体入口结构，本技术是通过以下技术方案来实现的。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积反应器的气体入口结构，包括反应器壳体，其特征在于：所述反应器壳体上前后对称设有进气组件，进气组件下方的反应器壳体外壁固接有电机；所述进气组件包括阀筒、转轴和阀座；所述阀筒的右端固定连接在反应器壳体中，阀筒的内腔截面尺寸为矩形，阀筒的中部固接有集气罩，所述集气罩所罩合区域的阀筒各侧板上开设有出气孔，集气罩的各侧板上固接有出气管，所述出气管的头部与反应器壳体连通，阀筒的左端固接有连接罩，所述连接罩所罩合区域的阀筒各侧板上开设有进气孔，连接罩的左侧板上固接有进气管，所述转轴转动连接在阀筒的左右侧板之间，转轴的右端伸出到阀筒外并固接有传动轮，阀筒内的转轴上开设有往复螺纹槽，前后两侧转轴上的往复螺纹槽旋向相反，所述阀座滑动连接在阀筒中，阀座的中心固接有与往复螺纹槽啮合的往复螺纹套；所述电机设有水平向右的输出轴，电机...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟兴进，何淑英，何浩梁，林玉章，
申请(专利权)人：广州市鸿浩光电半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：