一种金属膜的生产加工设备制造技术

技术编号:34142495 阅读:21 留言:0更新日期:2022-07-14 18:09
本发明专利技术涉及一种金属膜的生产加工设备,真空镀膜腔体内设有第一蒸镀区、第一磁控溅射区、第二蒸镀区和第二磁控溅射区,且第一蒸镀区和第一磁控溅射区之间,以及第二蒸镀区和第二磁控溅射区之间均设有隔板,薄膜从第一蒸镀区和第一磁控溅射区之间、及第二蒸镀区和第二磁控溅射区之间的区域穿过,且从第一磁控溅射区穿出后反向走膜、再进入第二蒸镀区。本发明专利技术在不同工艺区域之间设置隔板,防止蒸镀工艺或磁控溅射工艺对另一种工艺造成干扰,实现兼容蒸镀工艺和磁控溅射工艺,综合了镀膜层的厚度、镀膜层的结合力以及镀膜成本的多重因素,获得高性价比的金属膜,同时解决了传统镀膜操作过程产生额外成本的问题,也避免了该过程中薄膜被氧化的风险。薄膜被氧化的风险。薄膜被氧化的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种金属膜的生产加工设备


[0001]本专利技术涉及金属膜镀膜领域,具体的说,是涉及一种金属膜的生产加工设备。

技术介绍

[0002]金属膜是指已经金属化的薄膜,具体工艺是在薄膜膜面上镀上金属层,使其具有金属一样的导电性能,且比纯金属薄膜质量更轻。
[0003]目前生产金属薄膜的主要方式有真空蒸镀和磁控溅射镀膜,这两种工艺本身所产生的能量不一样,金属沉积到薄膜表面所获得的薄膜表面性能也略有不同,例如,磁控溅射镀膜过程所需要的能量更高,金属原子在受到氩离子轰击后所获得的能量高,层积到薄膜上和薄膜结合更加紧密,结合力较高;蒸镀是金属受热融化,形成原子蒸汽层积到薄膜上,结合力不如磁控溅射,但是相对于磁控溅射,真空蒸镀的成本较低,且能够获得的镀膜层厚度高。
[0004]因此,业内提出了结合两种镀膜工艺来生产金属膜,而现有生产设备往往是单独使用蒸镀工艺或单独使用磁控溅射工艺,若想要采用两种工艺结合,则需要通过转运的方式将层积好的薄膜运到下一个蒸镀炉或磁控溅射炉处,这无疑增加了额外的成本,包括运输、开关炉等,而且转运过程中半成品薄膜还可能被氧化。
[0005]以上问题,值得解决。

技术实现思路

[0006]为了解决现有金属膜生产设备无法兼容真空蒸镀和磁控溅射镀膜的问题,本专利技术提供一种金属膜的生产加工设备。
[0007]本专利技术技术方案如下所述:一种金属膜的生产加工设备,包括真空镀膜腔体,所述真空镀膜腔体设有镀膜装置,薄膜依次绕过所述镀膜装置的第一蒸镀区、第一磁控溅射区、第二蒸镀区和第二磁控溅射区,并穿过所述第一蒸镀区和所述第一磁控溅射区之间的区域,也穿过所述第二蒸镀区和所述第二磁控溅射区之间的区域;且所述薄膜从所述第一磁控溅射区穿出后、反向走膜,使得所述薄膜翻面、再进入所述第二蒸镀区。
[0008]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述第一蒸镀区和所述第一磁控溅射区之间设有第二隔板,所述第二蒸镀区和所述第二磁控溅射区之间设有第六隔板。
[0009]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述第一蒸镀区内设有第一蒸发舟,所述第一蒸发舟位于所述薄膜的下方,所述第三隔板设于所述第一蒸发舟的一侧,与该侧相对的另一侧设有第一隔板。
[0010]进一步的,所述第一蒸发舟的上方还设有第一冷却板,且所述第一冷却板位于所述薄膜的上方。
[0011]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述第一磁控溅射区和所述第二磁控溅射区均设有磁控溅射装置,所述第一磁控溅射区的第一磁控溅射装置朝向远离所述第一蒸镀
区的一侧,且该侧设有第二冷却板,所述第二冷却板与所述第一磁控溅射装置位于所述薄膜两侧。
[0012]进一步的,所述磁控溅射装置包括安装座和柱状靶材,所述柱状靶材与所述安装座可拆卸连接,所述柱状靶材为空心的圆柱体,该柱状靶材内设有磁性材料的冷却管,所述冷却管内设有冷却液。
[0013]进一步的,所述第二冷却板紧挨着所述薄膜的膜面。
[0014]进一步的,所述第一磁控溅射装置的底部设有第三隔板,该第三隔板将所述第一磁控溅射装置与所述真空镀膜腔体隔开。
[0015]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述第二蒸镀区设有第二蒸发舟,所述薄膜翻面后其未被蒸镀的一面朝向所述第二蒸发舟。
[0016]进一步的,所述第六隔板设于所述第二蒸发舟的一侧,与该侧相对的另一侧设有第五隔板。
[0017]进一步的,所述第二蒸发舟的上方设有第三冷却板,且所述第三冷却板位于所述薄膜的上方。
[0018]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述第二蒸发舟的下方设有第四隔板,所述第四隔板、所述第五隔板、所述第六隔板和所述第三冷却板围绕在所述第二蒸发舟的外侧。
[0019]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述第六隔板内设有循环冷却液,且其冷却面朝向所述薄膜。
[0020]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述薄膜在所述第一蒸镀区和所述第一磁控溅射区之间呈“S”型走膜,且在所述第二蒸镀区呈“口”字型走膜。
[0021]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述真空镀膜腔体内设有四个所述镀膜装置,分别设置在所述真空镀膜腔体的四个侧壁处。
[0022]根据上述方案的本专利技术,其特征在于,所述镀膜装置还包括放卷装置和收卷装置,所述薄膜由所述放卷装置放出,经蒸镀区和磁控溅射区镀上金属层后,收纳于所述收卷装置。
[0023]进一步的,所述放卷装置为放卷辊,所述收卷装置为收卷辊,且所述放卷辊的端部和所述收卷辊的端部均垂直设置在所述真空镀膜腔体的侧壁上。
[0024]根据上述方案的本专利技术,其有益效果在于:本专利技术将蒸镀工艺和磁控溅射工艺进行结合,综合了镀膜层的厚度、镀膜层的结合力以及镀膜成本的多重考量因素,获得高性价比的金属膜;解决了传统镀膜操作过程需要开炉、闭炉及薄膜运输产生额外成本的问题,也避免了该过程中因运输导致薄膜被氧化的风险;本专利技术的蒸镀工艺和磁控溅射工艺交错设置,避免短时间内连续对薄膜进行高温蒸镀,影响上一道蒸镀效果;且相邻两个镀膜区隔开作业,避免在薄膜的同一个膜段的正反两面,同时进行镀膜;另一方面,本专利技术合理的镀膜区先后顺序的配置(依次为蒸镀区、磁控溅射区、蒸镀区、磁控溅射区),令薄膜先蒸镀的一面间隔较长时间后再进行磁控溅射镀膜,让镀膜层冷却、与膜面充分结合,有效提升了先蒸镀后磁控溅射的镀膜层的结合力;进一步的,本专利技术利用在第一蒸镀区和第一磁控溅射区之间,以及在第二蒸镀区
和第二磁控溅射区之间设置隔板的方式,防止蒸镀的镀料飞溅或磁控溅射的氩气轰击对另一种工艺造成干扰或影响,保障在同一个真空镀膜腔体内兼容蒸镀工艺和磁控溅射工艺。
附图说明
[0025]图1为本专利技术的结构示意图。
[0026]在图中,1、真空镀膜腔体;2、薄膜;3、放卷装置;4、第一隔板;5、第一冷却板;6、第二隔板;7、第一蒸发舟;8、第三隔板;9、第二冷却板;10、第一磁控溅射装置;11、第二蒸发舟;12、第四隔板;13、第五隔板;14、第三冷却板;15、第四冷却板;16、第六隔板;17、第二磁控溅射装置;18、过辊;19、转向辊;20、收卷装置。
具体实施方式
[0027]为了更好地理解本专利技术的目的、技术方案以及技术效果,以下结合附图和实施例对本专利技术进行进一步的讲解说明。同时声明,以下所描述的实施例仅用于解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0028]需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0029]术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”和“第六”仅用于便于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。
[0030]如图1所示,一种金属膜的生产加工设备,包括真空镀膜腔体1,真空镀膜腔体1设有镀膜装置,薄膜2依次绕过镀膜装本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属膜的生产加工设备,包括真空镀膜腔体,所述真空镀膜腔体设有镀膜装置,其特征在于,薄膜依次绕过所述镀膜装置的第一蒸镀区、第一磁控溅射区、第二蒸镀区和第二磁控溅射区,并穿过所述第一蒸镀区和所述第一磁控溅射区之间的区域,也穿过所述第二蒸镀区和所述第二磁控溅射区之间的区域;且所述薄膜从所述第一磁控溅射区穿出后、反向走膜,使得所述薄膜翻面、再进入所述第二蒸镀区。2.根据权利要求1所述的金属膜的生产加工设备,其特征在于,所述第一蒸镀区和所述第一磁控溅射区之间设有第二隔板,所述第二蒸镀区和所述第二磁控溅射区之间设有第六隔板。3.根据权利要求1所述的金属膜的生产加工设备,其特征在于,所述第一蒸镀区内设有第一蒸发舟,所述第一蒸发舟位于所述薄膜的下方,所述第三隔板设于所述第一蒸发舟的一侧,与该侧相对的另一侧设有第一隔板。4.根据权利要求3所述的金属膜的生产加工设备,其特征在于,所述第一蒸发舟的上方还设有第一冷却板,且所述第一冷却板位于所述薄膜的上方。5.根据权利要求1所述的金属膜的生产加工设备...

【专利技术属性】
技术研发人员:臧世伟
申请(专利权)人:重庆金美新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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