采用ＭＯＳ器件接近开关制造技术

采用ＭＯＳ器件的接近开关中使用了两ＭＯＳ器件，一用于整形放大，另一用于末级功率放大，从而使接近开关体积缩小，成本降低，功率增大，抗干扰能力强。能在零下２０℃低温下或５０℃高温下工作。适用于各种定位控制或信号检测的装置或场合。（*该技术在1997年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无接触电磁感应的接近开关，由高频振荡、整形放大、末级功放，电路封装固定在金属壳体内组成，其特征在于整形放大和末级功放采用ＭＯＳ器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏士华，
申请(专利权)人：夏士华，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]