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夏士华专利技术

夏士华共有1项专利

采用ＭＯＳ器件接近开关制造技术

采用ＭＯＳ器件的接近开关中使用了两ＭＯＳ器件，一用于整形放大，另一用于末级功率放大，从而使接近开关体积缩小，成本降低，功率增大，抗干扰能力强。能在零下２０℃低温下或５０℃高温下工作。适用于各种定位控制或信号检测的装置或场合。

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：150