微型LED芯片的制备方法、微型LED芯片及显示设备技术

本发明专利技术涉及一种微型LED芯片的制备方法、微型LED芯片及显示设备。微型LED芯片的制备方法包括步骤：提供发光芯片结构，发光芯片结构包括生长衬底以及生长于生长衬底的发光层部；在发光层部远离生长衬底的一侧制备防串扰层部，防串扰层部的部分结构电连接于发光层部，且防串扰层部的另一部分与发光层部的侧壁间隔设置；将发光芯片结构通过至少部分的防串扰层部与驱动芯片键合；将发光层部与生长衬底剥离。使用上述实施例中的微型LED芯片制备方法时，通过在发光层部上制备形成防串扰层部，不仅可以减少发光层部之间的光串扰现象，并且发光层部发出的光线可以通过防串扰层部仅反射，以达到限制光的发射角度，增强背光出光效率的目的，使用效果好。使用效果好。使用效果好。

【技术实现步骤摘要】
微型LED芯片的制备方法、微型LED芯片及显示设备


[0001]本专利技术涉及半导体光电
，尤其涉及一种微型LED芯片的制备方法、微型LED芯片及显示设备。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(MicroLight
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Emitting Diode，Micro
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LED)具有自发光显示特性，其是一种全固态发光二极管，具有寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、超高分辨率等优良特性，可应用于高温或辐射等极端环境。相较于传统的LED显示技术，Micro
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LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，还能避免产生残影现象等。
[0003]Micro
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LED显示技术是将传统的LED结构进行微缩化和阵列化，并采用CMOS集成电路工艺制作驱动芯片，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术，Micro
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LED的亮度、对比度、寿命、响应时间、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED显示技术。
[0004]Micro<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供发光芯片结构，所述发光芯片结构包括生长衬底以及生长于所述生长衬底的发光层部；在所述发光层部远离所述生长衬底的一侧制备防串扰层部，其中，所述防串扰层部的部分结构电连接于所述发光层部，且所述防串扰层部的另一部分与所述发光层部的侧壁间隔设置；将所述发光芯片结构通过至少部分的所述防串扰层部与驱动芯片键合；将所述发光层部与所述生长衬底剥离。2.根据权利要求1所述的微型LED芯片的制备方法，其特征在于，所述发光层部包括沿所述防串扰层朝向所述生长衬底方向上依次设置的导电层、p基层、发光层、n基层和u基层。3.根据权利要求2所述的微型LED芯片的制备方法，其特征在于，所述发光层部还包括载流子限制层，所述载流子限制层设于所述p基层与所述发光层之间。4.根据权利要求2所述的微型LED芯片的制备方法，其特征在于，所述防串扰层部包括第一电极部、第二电极部和挡光电极部，所述第一电极部分别电连接于所述n基层和所述驱动芯片，所述第二电极部分别电连接于所述导电层和所述驱动芯片，所述挡光电极部电连接于所述第一电极部或所述第二电极部；所述挡光电极部与所述发光层部的外壁间隔设置，且所述发光层在所述挡光电极部的侧壁上的正投影位于所述挡光电极部内。5.根据权利要求4所述的微型LED芯片的制备方法，其特征在于，当所述挡光电极部电连接于所述第一电极部，至少部分所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杭，张珂，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：