一种正装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种正装LED芯片，其中，包括衬底，以及在所述衬底上依次堆叠的外延层、电流通道层、全反射层、金属引脚层和焊盘层，所述电流通道层设于所述外延层背离所述衬底的一侧；所述全反射层覆盖在所述电流通道层和所述外延层的表面上，用于增加光反射；所述全反射层上形成有连接通孔，所述连接通孔的底部连通所述电流通道层；所述金属引脚层设于所述连接通孔内，所述焊盘层覆盖在所述金属引脚层上，与所述电流通道层电连接。本申请通过在外延层的表面上覆盖全反射层增加芯片内部的光反射，减少内部结构对反射光的吸收，增加芯片的光输出功率。片的光输出功率。片的光输出功率。

【技术实现步骤摘要】
一种正装LED芯片


[0001]本技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种正装LED芯片。

技术介绍

[0002]目前，半导体行业中发光二极管(light
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emitting diode，简称LED)的应用广泛。在LED芯片的制造过程中，需要对LED芯片进行封装，根据现有的封装方法，可以分为正装LED芯片和倒装LED芯片，其中，正装芯片通常在封装后驱动电流较小，发热量也相对较小，发光亮度高于倒装芯片。
[0003]但是，现有的正装LED芯片制程仍采用P\N电极同侧设置反射结构进行光反射的设计，首先，发光过程中的电流必须横向流过N型氮化镓层，导致电流拥挤，局部发热量高，限制了驱动电流；其次，电极结构以及导电通道的金属仍存在吸光现象，从而导致正装芯片在有限的发光面积基础上，出光效率低。总的来说，现有的LED芯片受到内部结构吸光的影响，光输出功率不足。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种正装LED芯片，旨在解决现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底，以及在所述衬底上依次堆叠的外延层、电流通道层、全反射层、金属引脚层和焊盘层，所述电流通道层设于所述外延层背离所述衬底的一侧；所述全反射层覆盖在所述电流通道层和所述外延层的表面上，用于增加光反射；其中，所述全反射层上形成有连接通孔，所述连接通孔的底部连通所述电流通道层；所述金属引脚层设于所述连接通孔内，所述焊盘层覆盖在所述金属引脚层上，与所述电流通道层电连接。2.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述全反射层包括依次堆叠的钝化层和金属层，所述钝化层一侧与所述电流通道层和所述外延层接触，另一侧与所述金属层接触，用于隔绝电流；所述金属层用于反射光线。3.根据权利要求2所述的正装LED芯片，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅钝化层，厚度为500
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1000埃；和/或，所述金属层为铝金属层或者银金属层，所述金属层的厚度为500
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2000埃。4.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述外延层包括N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层包括堆叠区和N电极蒸镀平台，所述发光层和所述P型氮化镓层依次堆叠设置于所述堆叠区上，所述N电极蒸镀平台上设有N型焊盘；所述电流通道层设于所述P型氮化镓层上；所述连接通孔在所述电流通道层上的投影位于所述电流通道层背离所述P型氮化镓层的表面上。5.根据权利要求4所述的正装LED芯片，其特征在于，所述衬底的形状为矩形；所述N电极蒸镀平台包括条形块，所述条形块位于所述衬底的中线上；所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：康志杰，马非凡，曹进，戴广超，赵世雄，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：