【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及发光装置
[0001]本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种具有大出光角度的发光二极管及发光装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。发光二极管具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。
[0003]对于背光应用，Mini LED一般是采用直下式背光设计，通过大数量的密布，从而实现更小范围内的区域调光，相对于传统的背光设计，其能在更小的混光距离内实现更好的亮度均匀性、更高对比度，且不需要额外透镜二次配光，从而实现终端产品更薄、高显色性和省电。
[0004]就达到相同的混光效果以及发光均匀性而言，使用无大角度发光的Mini LED芯片需要芯片排布更为紧密，使用的芯片数量较多；使用大角度发...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：外延层，包括依次堆叠的第一半导体层、用于发出光线的发光层以及第二半导体层，并具有相对的第一表面与第二表面；第一绝缘反射层，设置于所述外延层的第一表面侧；第二绝缘反射层，设置于所述外延层的第二表面侧；其中，所述第一绝缘反射层对于具有第一入射角的光线的反射率低于所述第二绝缘反射层对于具有第三入射角光线的反射率，所述第一入射角介于0～10
°
，所述第三入射角介于0～10
°
。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘反射层对于具有所述第一入射角的光线的反射率低于90％，所述第一绝缘反射层对于具有第二入射角的光线的反射率至少为90％，所述第二入射角大于所述第一入射角，且所述第二入射角介于60～90
°
。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘反射层对于具有所述第二入射角的光线的反射率高于所述第二绝缘反射层对于具有第四入射角的光线的反射率，所述第二入射角和第四入射角介于60～80
°
。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层发出的光线的中心辐射波长介于430～460纳米。5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第二绝缘反射层对于具有所述第三入射角的光线的反射率至少为90％。6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第二绝缘反射层对于具有第四入射角的光线的反射率低于90％，所述第四入射角介于60～80
°
。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘反射层与所述第二绝缘反射层均包括低折射率材料层与高折射率材料层重复堆叠形成的多层结构。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为倒装发光二极管，所述第二绝缘反射层与所述外延层之间设置有透明衬底。9.根据权利要求1或8所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘反射层的厚度小于等于4微米，所述第二绝缘反射层的厚度小于等于3微米。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为正装发光二极管，所述第一绝缘反射层与所述外延层之间设置有透明衬底。11.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：外延层，包括依次堆叠的第一半导体层、用于发出光线的发光层以及第二半导体层，并具有相对的第一表面与第二表面；第一绝缘反射层，设置于所述外延层的第一表面侧；其中，所述第一绝缘反射层对于具有第一入射角的光线的反射率低于90％，所述第一入射角介于0～10
°
。12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘反射层对于具有第二入射角的光线的反射率高于所述第一绝缘反射层对于具有所述第一入射角的光线的反射率，所述第二入射角大于所述第一入射角，所述第二入射角介于60～90
°
。13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘反射层对于具有所
述第一入射角的光线的反射率低于90％，所述第一绝缘反射层对于具有所述第二入射角的光线的反射率至少为90％。14.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层发出的光线的中心辐射波长介于430～460微米。15.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第二绝缘反射层，所述第二绝缘反射层设置于所述外延层的第二表面侧。16....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘士伟，徐瑾，张中英，王水杰，邓有财，王庆，石保军，吴霁圃，谢昆达，刘可，陈大钟，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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