具有准确乘方伏-安特性的半导体二极管制造技术

本发明专利技术提供一种用电路综合方法设计的具有准确乘方ｖ－ｉ（伏－安）特性的半导体二极管，本器件电路结构的主电路单元具有一个模拟乘法器１，它的一个乘法输入端Ｘ↓［１１］与其加法输入端Ｚ↓［１］相连作为二极管的一个极ａ，另一个乘法输入端Ｙ↓［１１］作为乘方电压变量输入端，用于输入与Ｘ↓［１１］端的输入电压ｖ成幂次关系的电压变量ｖ↑［ｎ］，其输出端Ｗ↓［１］与Ｘ↓［１１］端之间接有反馈电阻Ｒ，其它公共端连接在一起作为器件的另一个极ｂ，本半导体二极管即具有准确ｎ＋１次方的ｖ－ｉ特性。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有准确乘方伏－安特性的半导体二极管，其特征在于具有如下电路单元，该电路单元具有模拟乘法器１，由该模拟乘法器的其中一个乘法输入端Ｘ↓［１１］与其加法输入端Ｚ↓［１］相连作为半导体二极管的一个极ａ，由该模拟乘法器的另一个乘法输入端Ｙ↓［１１］作为乘方电压变量输入端，用于输入与输入端Ｘ↓［１１］所输入的电压ｖ成幂次关系的电压变量，该模拟乘法器的输出端Ｗ↓［１］与乘法输入端Ｘ↓［１１］之间接有线性电阻Ｒ作为反馈回路，由该模拟乘法器的其它公共端（Ｘ↓［１２］和Ｙ↓［１２］）连接在一起作为该半导体二极管的另一个极ｂ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟国群，
申请(专利权)人：中国科学院广州电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]