一种UVCLED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供的UVC LED芯片包括导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、粘结层、柱状N电极、P/N隔离绝缘层、P电极金属层、刻蚀阻挡层、反射金属层、电流拓展层、LED外延层和柱状P电极；导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、粘结层、柱状N电极、P/N隔离绝缘层、P电极金属层、刻蚀阻挡层、反射金属层、电流拓展层、LED外延层按照从下向上的顺序依次排列；柱状N电极依次穿过P/N隔离绝缘层、P电极金属层、刻蚀阻挡层、反射金属层、电流拓展层、LED外延层，柱状N电极底部与粘结层接触形成电导通；柱状P电极位于UVC LED芯片边缘，与P电极金属层接触形成电导通；P/N隔离绝缘层位于柱状N电极与LED外延层、电流拓展层、反射金属层、刻蚀阻挡层之间。间。间。

A UVLED chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种UVC LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片制造
，具体涉及一种UVC LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]紫外线作为一种常用的物理消毒方法，已广泛用于医疗、卫生、制药等
的空气消毒，也常用于饮用水、污水及物体表面的消毒处理。目前市场上大部分紫外线消毒杀菌产品以汞灯居多，技术成熟且价格便宜，因此很受大家的欢迎，但是其也存在诸多问题：如汞灯容易破碎，金属汞对人体危害比较大，具有一定的安全隐患；汞灯的发射光谱很宽，真正起有效固化作用的紫外光谱段只占其中的一部分，同时光电转换效率低，能源消耗大；传统汞灯会产生红外线，并发出大量热量，易对热敏感基材造成损伤等。而UVC LED由于具有小型化、无毒害、节省能量、维护成本低、使用便捷等优点，具备极其广阔的应用前景，得到了研究人员的广泛关注。
[0003]UVC LED主要包括正装和倒装结构。由于UVC LED芯片中P
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GaN层对 UVC的强吸收，导致UVC LED的正面出光被大量吸收，影响了出光效率。而倒装结构UVC LED芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种UVC LED芯片，其特征在于，包括导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、粘结层、柱状N电极、P/N隔离绝缘层、P电极金属层、刻蚀阻挡层、反射金属层、电流拓展层、LED外延层和柱状P电极；所述导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、粘结层、柱状N电极、P/N隔离绝缘层、P电极金属层、刻蚀阻挡层、反射金属层、电流拓展层、LED外延层按照从下向上的顺序依次排列；所述柱状N电极依次穿过P/N隔离绝缘层、P电极金属层、刻蚀阻挡层、反射金属层、电流拓展层、LED外延层，并且柱状N电极底部与粘结层接触形成电导通；柱状P电极位于UVC LED芯片边缘，与P电极金属层接触形成电导通；P/N隔离绝缘层位于柱状N电极与LED外延层、电流拓展层、反射金属层、刻蚀阻挡层之间。2.根据权利要求1所述的UVC LED芯片，其特征在于，所述LED外延层从下至上依次包括p型GaN层、AlGaN电子阻挡层、AlGaN多量子阱层、n型AlGaN层。3.根据权利要求1所述的UVC LED芯片，其特征在于，所述电流拓展层与所述P
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GaN层形成欧姆接触，所述柱状N电极与所述n型AlGaN层形成欧姆接触。4.根据权利要求1所述的UVC LED芯片，其特征在于，所述柱状P电极与LED外延层、电流拓展层、反射金属层、刻蚀阻挡层之间设有钝化层。5.根据权利要求1所述的UVC LED芯片，其特征在于，所述第一键合金属层、第二键合金属层为AuSn、NiSn、CuSn和AuSi中的至少一种，第一键合金属层和第二键合金属层的总厚度为1000～9000nm。6.根据权利要求1所述的UVC LED芯片，其特征在于，所述粘结层为Cr、Ni、Ti、Al、Pt和Au中的一种或几种组合层结构，粘结层的厚度为10nm～1000nm。7.根据权利要求1所述的UVC LED芯片，其特征在于，所述柱状N电极为Ni、Ti、Al、Au中的一种或几种组...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：