提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法技术

本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。在n型AlGaN层上生长至少一个阱垒单元以得到发光层，阱垒单元包括AlGaN垒层与层叠在AlGaN垒层上且相互间隔的AlGaN量子点。AlGaN量子点的结构具有三维量子限制效应，提高发光效率。先在n型AlGaN层或阱垒单元上生长一层AlGaN垒层；在AlGaN垒层上沉积1～5nm的AlN材料层。对AlN材料层进行退火以使AlN材料层的表面具有多个凸起的岛状结构，释放应力。最后向反应腔通入镓源与氨气以与多个岛状结构反应生成多个质量较好且成形较快的AlGaN量子点，可以促进发光效率的同时提高发光层的成形效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法


[0001]本公开涉及到了发光二极管
，特别涉及到一种提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法。

技术介绍

[0002]随着发光二极管应用的发展，紫外发光二极管的市场需求越来越大，发光波长覆盖210～400nm的紫外发光二极管，具有传统的紫外光源无法比拟的优势。紫外发光二极管常用于照明、生物医疗、防伪鉴定、空气，水质净化、生化检测、高密度信息储存等方面。
[0003]近年来，已经开发出了AlGaN基高亮度的紫外发光二极管。AlGaN基紫外发光二极管的外延片的基本结构通常为，衬底以及依次沉积在衬底上的缓冲层、n型AlGaN层、发光层和p型AlGaN层。载流子从其他层进入发光层中复合发光。
[0004]紫外发光二极管的发光功率主要由外量子效率决定，而紫外发光二极管的外量子效率可以表述为注入效率、内量子效率和光提取效率的乘积，因此有源区的内量子效率直接决定了器件的效率和输出功率。然而，AlGaN基紫外发光二极管的内量子效率主要由发光层内载流子的数量及复合效率决定，在AlGaN基紫外发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长n型AlGaN层；在所述n型AlGaN层上生长至少一个阱垒单元以得到发光层，所述阱垒单元包括AlGaN垒层与层叠在所述AlGaN垒层上且相互间隔的AlGaN量子点；在所述发光层上生长p型AlGaN层；生长每个所述阱垒单元，包括：在所述n型AlGaN层或所述阱垒单元上生长一层AlGaN垒层；在所述AlGaN垒层上沉积1～5nm的AlN材料层；对所述AlN材料层进行退火以使所述AlN材料层的表面具有多个凸起的岛状结构；向反应腔通入镓源与氨气以与多个所述岛状结构反应生成多个所述AlGaN量子点。2.根据权利要求1所述的提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述AlN材料层的沉积速率为0.1nm/s～1nm/s。3.根据权利要求1所述的提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述AlN材料层的退火温度为1000～1200℃，所述AlN材料层的退火时长为800～1000s。4.根据权利要求1～3任一项所述的提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向所述反应腔通入的所述镓源与所述氨气的V/III摩尔...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚程成，易丁丁，张琰琰，陆香花，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：