【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及制备方法和显示面板
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及发光二极管及制备方法和显示面板。
技术介绍
[0002]在LED领域中，随着显示应用领域的需求，一种将原本发光二极体晶片的尺寸减小而获得的微型LED（mLED）的新技术发展起来。微型LED（mLED）具有自发光、高效率、低功耗、高亮度、高稳定性、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，已经在显示、光通信、室内定位、生物和医疗领域获得了相关的应用，并有望进一步扩展到可穿戴/可植入器件、增强显示/虚拟现实、车载显示、超大型显示以及光通信/光互联、医疗探测、智能车灯、空间成像等多个领域，具有明确可观的市场前景。进一步提高微型LED（mLED）的发光效率仍然是当前行业发展的重点。
[0003]微型LED（mLED）的发光效率主要由两个效率决定，第一个是电子空穴在有源区的辐射复合效率，即通常说的内量子效率；第二个是光的提取效率。欲提升发光效率可通过以下几个方式，其包括改善外延生长的品质，通过增加电子和空穴结合的几率，提升内部量子效率（I...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.发光二极管，包括：半导体外延叠层，包含相对的第一表面和第二表面，包含第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，以及位于所述第二半导体层和第三半导体层之间的有源层；其特征在于：所述第一半导体层包括第一子层和第二子层，其中第一子层提供第一表面，第一表面为粗化的表面，第二子层相对第一子层更靠近第二表面，所述第一子层和第二子层具有包含Al的化合物半导体材料，并且第一子层的Al组分的含量低于所述第二子层的Al组分的含量。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层由组合式(Al
X1
Ga1‑
X1
)
Y1
In1‑
Y1
P的化合物半导体材料组成，第二子层由组合式(Al
X2
Ga1‑
X2
)
Y
In1‑
Y2
P的化合物半导体材料组成，其中所述 0＜X1＜X2≤1，且所述X1和X2的差异介于0.1和0.35之间。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层中X1的范围为0.35~0.45。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第二子层的X2的范围为0.5~0.7。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的厚度范围为0~0.5um。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二子层的厚度范围为0.8~4um。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的粗化的第一表面的粗糙度Ra值为100~300nm。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的粗化的第一表面的粗糙度Ra值为200~300nm。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层还包含第三子层，所述第三子层位于所述第二子层之上，且较第二子层靠近第二表面。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第三子层跟第二子层具有包含Al的化合物半导体材料，所述第三子层的Al含量低于第二子层的Al含量。11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第三子层由组合式(Al
X3
Ga1‑
X3
)
Y3
In1‑
Y3
P的化合物半导体材料组成，其中所述 X3的范围为0.35~0.45。12.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于：所述第三子层的厚度为1~2μm。13.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于：所述第二子层的厚度为0.8~2μm。14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包含绝缘保护层，形成于所述半导体外延叠层的表面和侧壁。15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管具有从2μm到5μm、5μm到10μm、10μm到20μm、20μm到50μm或从50μm到100μm的宽度或长度或高度。16.发光二极管，包括：半导体外延叠层，包含相对的第一表面和第二表面，包含第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，以及位于所述第二半导体层和第三半导体层之间的有源层；所述第一半导体层提供第一表面，第一表面为粗化的表面；
技术研发人员：王彦钦，陈劲华，郭桓邵，彭钰仁，黄少华，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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