一种发光二极管及其发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光二极管，包括：半导体层序列，具有侧壁以及相对设置的第一表面和第二表面，包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的半导体层序列，第二表面具有至少贯穿有源层、第二类型半导体层和部分第一类型半导体层的凹处，第一电连接层通过凹处与第一类型半导体层电连接，第一电连接层包括反射金属；凹处位于侧壁，至少凹处上方的侧壁具有表面粗化，防止因为反射金属造成芯片工艺黄光制程异常，提升产品良率。提升产品良率。提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种发光二极管及其发光装置


[0001]本专利技术涉及一种光电元件，尤其涉及一种发光二极管结构及其发光装置。

技术介绍

[0002]现行垂直产品工艺仅使用发光区内的N型导电孔来达到电流扩展及降电流的功能，缺点是N孔面积增大后让发光区（粗化面）也随之变小，使之亮度降低。当芯粒尺寸越来越小时进行N型导电孔制作，工艺窗口因工艺平台受限造成制程中的困难。

技术实现思路

[0003]为了解决
技术介绍
中的技术问题，提出了一种发光二极管，包括：半导体层序列，具有侧壁以及相对设置的第一表面和第二表面，包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的第一类型半导体层、设计用于产生辐射的有源层、第二类型半导体层，与第一类型半导体层电连接的第一电连接层，与第二类型半导体层电连接的第二电连接层，半导体层序列的第二表面具有凹处，凹处至少贯穿有源层、第二类型半导体层和部分第一类型半导体层，绝缘层从凹处延伸至第二表面，第一电连接层在凹处内形成突出部，第一电连接层通过凹处与第一类型半导体层电连接，利用绝缘层将第一电连接层和第二电连接层电隔离，第一电连接层包括金属；凹本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，包括：半导体层序列，具有侧壁以及相对设置的第一表面和第二表面，包括在所述第一表面和第二表面之间顺序排列的第一类型半导体层、设计用于产生辐射的有源层、第二类型半导体层，与第一类型半导体层电连接的第一电连接层，与第二类型半导体层电连接的第二电连接层，半导体层序列的第二表面具有凹处，凹处至少贯穿有源层、第二类型半导体层和部分第一类型半导体层，绝缘层从凹处延伸至第二表面，第一电连接层在凹处内形成突出部，第一电连接层通过凹处与第一类型半导体层电连接，在第一电连接层和第二电连接层之间设置绝缘层，利用绝缘层将第一电连接层和第二电连接层电隔离，第一电连接层包括反射金属；其特征在于，凹处位于侧壁边缘，部分从侧壁露出，至少凹处上方的侧壁具有表面粗化。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，凹处上方的侧壁表面粗化的平均粒径0.05μm至2μm。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，凹处沿着侧壁连续或者离散设置。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管单边尺寸小于500μm时，凹处沿侧壁连续设置，发光二极管单边尺寸不小于500μm时，凹处沿侧壁离散分布。5.根据权利要求4所述的一种发光二极管，其特征在于，凹处离散设置时，凹处之间的侧壁包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层。6.根据权利要求4所述的一种发光二极管，其特征在于，侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁包括第一类型半导体层，第二侧壁包括第二类型半导体层，第一侧壁的平均粗糙度不小于第二侧壁。7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一侧壁的高度高于第二侧壁。8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一侧壁和/或第二侧壁与竖直面的角度为20
°
至60
°
。9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，侧壁表面具有阶梯，阶梯数量不小于3。10.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于，所述阶梯宽度范围为1nm~5000nm。11.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于，至...

【专利技术属性】
技术研发人员：张博扬，林凡威，林信泰，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：