分解清洗组合物的制造方法技术

本发明专利技术提供改善蚀刻速度的保持率的分解清洗组合物的制造方法。一种分解清洗组合物的制造方法，所述分解清洗组合物含有(A)氢原子未直接键合于氮原子的N

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】分解清洗组合物的制造方法


[0001]本公开涉及分解清洗组合物的制造方法。特别是，本公开涉及在半导体晶圆的薄型化工艺中可以为了对残留在器件晶圆上的用于将器件晶圆与支撑晶圆(载体晶圆)临时粘接的包含粘接性聚合物的粘接剂进行分解清洗而使用的组合物的生产方法。

技术介绍

[0002]在用于半导体的高密度化的三维安装技术中，每1片半导体晶圆的厚度变薄，通过硅通孔电极(TSV)而被接线的多个半导体晶圆被层叠。具体而言，在将形成了半导体器件的器件晶圆的未形成器件的面(背面)通过研磨而薄型化后，在其背面进行包含TSV的电极形成。
[0003]在器件晶圆的背面的研磨工序中，为了向器件晶圆赋予机械强度，使用粘接剂将也被称为载体晶圆的支撑晶圆临时粘接在器件晶圆的半导体器件形成面。作为支撑晶圆，使用例如玻璃晶圆或硅晶圆。在研磨工序后，根据需要在器件晶圆的研磨面(背面)形成包含Al、Cu、Ni、Au等的金属布线或电极焊盘、氧化膜、氮化膜等无机膜、或包含聚酰亚胺等的树脂层。然后，通过将器件晶圆的背面与用环形框架进行了固定的具有丙烯酸系粘着层的胶带贴合，从而器件晶圆被固定于胶带。然后，将器件晶圆从支撑晶圆分离(脱粘)，将器件晶圆上的粘接剂剥离，使用清洗剂将器件晶圆上的粘接剂的残留物清洗除去。
[0004]在器件晶圆的临时粘接用途中，使用包含耐热性良好的聚有机硅氧烷化合物作为粘接性聚合物的粘接剂。特别是，在粘接剂是已交联的聚有机硅氧烷化合物的情况下，对清洗剂要求Si
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O键的切断及通过溶剂实现的分解产物的溶解这2个作用。作为这样的清洗剂，可举出例如，使四丁基氟化铵(TBAF)等氟系化合物溶解于极性的非质子性溶剂而得到的清洗剂。由于TBAF的氟化物离子参与经由Si
‑
F键的生成而切断Si
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O键，因此能够向清洗剂赋予蚀刻性能。极性非质子性溶剂能够将TBAF溶解，并且对氟化物离子不形成经由了氢键的溶剂化，因此能够提高氟化物离子的反应性。
[0005]在非专利文献1(Advanced Materials(先进材料),11,6,492(1999))中，使用了非质子性的THF作为溶剂的1.0M TBAF溶液被用于聚二甲基硅氧烷(PDMS)的分解及溶解除去。
[0006]在非专利文献2(Advanced Materials(先进材料),13,8,570(2001))中，作为TBAF的溶剂，使用了与THF同样地为非质子性溶剂的NMP、DMF及DMSO。
[0007]在非专利文献3(Macromolecular Chemistry and Physics(高分子化学与物理),217,284
‑
291(2016))中，记载了针对各溶剂研究通过TBAF/有机溶剂对PDMS的蚀刻速度而得到的结果，关于蚀刻速度高的THF及DMF，也记载了使用改变了THF/DMF的比率的混合溶剂的TBAF溶液的蚀刻速度的比较。
[0008]现有技术文献
[0009]非专利文献
[0010]非专利文献1：Advanced Materials(先进材料),11,6,492(1999)
[0011]非专利文献2：Advanced Materials(先进材料),13,8,570(2001)
[0012]非专利文献3：Macromolecular Chemistry and Physics(高分子化学与物理),217,284
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291(2016)

技术实现思路

[0013]专利技术所要解决的课题
[0014]可以认为包含TBAF等氟化合物及溶剂的分解清洗组合物中的溶剂的作用在于，使作为反应性物质的极性高的氟化合物充分溶解，确保氟化合物所包含的氟化物离子的反应性，并且将粘接剂的分解产物溶解。
[0015]本申请的专利技术人发现，即使在为了使极性高的氟化合物充分溶解、确保氟化合物所包含的氟化物离子的反应性，而使用了非质子性的N
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取代酰胺化合物作为溶剂的情况下，在调制分解清洗组合物后，也会随着保存时间的经过而发生分解清洗组合物的蚀刻速度降低的情况。
[0016]本公开的目的在于提供改善蚀刻速度的保持率的分解清洗组合物的制造方法。
[0017]用于解决课题的手段
[0018]本申请的专利技术人发现，通过在非活性气体气氛下将氟化烷基季铵或其水合物、及氢原子未直接键合于氮原子的N
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取代酰胺化合物混合，能够抑制蚀刻速度的降低。
[0019]即，本专利技术包含以下[1]～[14]。
[0020][1][0021]一种分解清洗组合物的制造方法，所述分解清洗组合物含有(A)氢原子未直接键合于氮原子的N
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取代酰胺化合物、及(B)氟化烷基季铵或其水合物，所述制造方法具有在非活性气体气氛下将所述(A)及(B)进行混合的调制工序。
[0022][2][0023]根据[1]所述的分解清洗组合物的制造方法，所述分解清洗组合物还含有(C)醚化合物，所述制造方法具有在非活性气体气氛下将所述(A)～(C)进行混合的调制工序。
[0024][3][0025]根据[1]或[2]所述的分解清洗组合物的制造方法，所述调制工序中的所述非活性气体为氮气。
[0026][4][0027]根据[1]～[3]中任一项所述的分解清洗组合物的制造方法，在所述调制工序之后，具有在非活性气体气氛下将所调制的所述分解清洗组合物封入容器中的封入工序。
[0028][5][0029]根据[4]所述的分解清洗组合物的制造方法，所述封入工序中的所述非活性气体为氮气。
[0030][6][0031]根据[1]～[5]中任一项所述的分解清洗组合物的制造方法，所述(A)N
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取代酰胺化合物为式(1)表示的2
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吡咯烷酮衍生物化合物，
[0032][0033](式(1)中，R1表示碳原子数1～4的烷基。)。
[0034][7][0035]根据[6]所述的分解清洗组合物的制造方法，所述(A)N
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取代酰胺化合物是式(1)中R1为甲基或乙基的2
‑
吡咯烷酮衍生物化合物。
[0036][8][0037]根据[2]所述的分解清洗组合物的制造方法，所述(C)醚化合物包含式(2)表示的二醇的二烷基醚，
[0038]R2O(C
n
H
2n
O)
x
R3ꢀꢀꢀ
(2)
[0039](式(2)中，R2及R3各自独立地表示选自由甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、及叔丁基组成的组中的烷基，n为2或3，x为1～4的整数。)。
[0040][9][0041]根据[8]所述的分解清洗组合物的制造方法，所述二醇的二烷基醚为二丙二醇二甲基醚。
[0042][10][0043]根据[2]、[8]或[9]中任一项所述的分解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种分解清洗组合物的制造方法，所述分解清洗组合物含有(A)氢原子未直接键合于氮原子的N
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取代酰胺化合物、及(B)氟化烷基季铵或其水合物，所述制造方法具有在非活性气体气氛下将所述(A)及(B)进行混合的调制工序。2.根据权利要求1所述的分解清洗组合物的制造方法，所述分解清洗组合物还含有(C)醚化合物，所述制造方法具有在非活性气体气氛下将所述(A)～(C)进行混合的调制工序。3.根据权利要求1或2所述的分解清洗组合物的制造方法，所述调制工序中的所述非活性气体为氮气。4.根据权利要求1～3中任一项所述的分解清洗组合物的制造方法，在所述调制工序之后，具有在非活性气体气氛下将所调制的所述分解清洗组合物封入容器中的封入工序。5.根据权利要求4所述的分解清洗组合物的制造方法，所述封入工序中的所述非活性气体为氮气。6.根据权利要求1～5中任一项所述的分解清洗组合物的制造方法，所述(A)N
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取代酰胺化合物为式(1)表示的2
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吡咯烷酮衍生物化合物，式(1)中，R1表示碳原子数1～4的烷基。7.根据权利要求6所述的分解清洗组合物的制造方法，所述(A)N
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取代酰胺化合物是式(1)中R1为甲基或乙基的2
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吡咯烷酮衍生物化合物。8.根据权利要求2所述的分解清洗组合物的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：中崎晋，宫原邦明，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：