【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体发光元件，特别涉及具备具有量子阱构造的活性层的半导体发光元件。
技术介绍
[0002]以往，激光被用于加工用途，需要高输出且高效率的激光源。作为这样的激光源而使用半导体激光元件等半导体发光元件。在加工用途中，特别是在焊接加工用途中，希望激光源的进一步的高输出化。
[0003]在专利文献1中记载了用来使半导体发光元件高输出化的技术的一例。在专利文献1中记载了以下技术：在具有量子阱构造的活性层中，使阱层中的重空穴(heavy hole)的第一量子能级与势垒层(barrier layer)的价带顶部的能级之间的能量差δEv较小，并且，使阱层中的电子的第一量子能级与势垒层的导带底部的能级之间的能量差δEc较大。在专利文献1所记载的半导体发光元件中，通过使能量差δEv较小，使空穴容易运动，从而提高空穴与电子的复合的概率，并且，通过使能量差δEc较大来抑制电子从阱层的溢出(即，泄漏)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献>[0006]专利文本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：基板；n型包层，配置在上述基板的上方；活性层，配置在上述n型包层的上方；以及p型包层，配置在上述活性层的上方；上述活性层具有：阱层；n侧第一势垒层，配置在上述阱层的上述n型包层侧；以及p侧势垒层，配置在上述阱层的上述p型包层侧；上述p侧势垒层包含In；上述n侧第一势垒层的In组份比低于上述p侧势垒层的In组份比；上述n侧第一势垒层的带隙能量小于上述p侧势垒层的带隙能量。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，上述n侧第一势垒层的组份由Al
ybn1
Ga1‑
xbn1
‑
ybn1
In
xbn1
As表示；上述p侧势垒层的组份由Al
ybp1
Ga1‑
xbp1
‑
ybp1
In
xbp1
As表示；0≦ybn1≦1、0≦xbn1<1、0<ybp1<1、0<xbp1<1以及xbn1<xbp1的关系成立。3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，进而ybn1<ybp1的关系成立。4.如权利要求2或3所述的半导体发光元件，其特征在于，进而，0.2≦ybn1≦0.4ybp1≦xbp1+0.975ybn1+0.069，ybp1≧0.4xbp1+0.975ybn1+0.029，以及xbp1≦0.15的关系成立。5.如权利要求2～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，还具备配置在上述阱层与上述p侧势垒层之间的p侧中间层；上述p侧中间层的组份由Al
ykp1
Ga1‑
ykp1
As表示；ybp1≦xbp1+0.975ykp1+0.069，ybp1≧0.4xbp1+0.975ykp1+0.029，以及0.2≦ykp1≦0.4的关系成立。6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，还具备配置在上述n侧第一势垒层与上述阱层之间的n侧第二势垒层；上述n侧第二势垒层的组份由Al
ybn2
Ga1‑
xbn2
‑
ybn2
In
xbn2
As表示；ybn2≧xbn2+ybn1，ybn2≦0.4xbn2+0.975ybn1+0.061，xbn2≦0.15，以及0.2≦ybn1≦0.35的关系成立。7.如权利要求6所述的半导体发光元件，其特征在于，
还具备配置在上述阱层与上述n侧第二势垒层之间的n侧第三势垒层；上述n侧第三势垒层的组份由Al
ybn3
Ga1‑
ybn3
As表示；ybn2≧xbn2+ybn3，ybn2≦0.4xbn2+0.975ybn3+0.061，以及0.2≦ybn3≦0.35的关系成立。8.如权利要求2～7中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，还具备配置在上述p侧势垒层与上述p型包层之间、折射率比上述p型包层大的p侧导引层。9.如权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于，上述p侧导引层的组份由Al
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高山彻，油本隆司，横山毅，中谷东吾，高须贺祥一，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：
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