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半导体发光元件(1)具备基板(10)、配置在基板(10)的上方的n型包层(12)、配置在n型包层(12)的上方的活性层(14)和配置在活性层(14)的上方的p型包层(17)；活性层(14)具有阱层(14d)、配置在阱层(14d)的n型包层(...
该专利属于新唐科技日本株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技日本株式会社授权不得商用。

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