【技术实现步骤摘要】
一种高增益的带间级联激光器及制备方法
[0001]本专利技术属于带间级联激光器领域,尤其涉及一种高增益的带间级联激光器及制备方法。
技术介绍
[0002]最近,II型带间级联激光器(ICL)被公认为中红外光谱带的重要相干光源。它结合了相对较长的上能级寿命(半导体带间跃迁的特征)和最初为量子级联激光器(QCL,利用子带间跃迁产生光)引入的电压有效级联方案。电子和空穴都存在于ICL级联有源区的每个阶段,即只通过触点注入和移除电子。
[0003]鉴于中红外光谱区的诸多应用,II型带间级联激光器(ICL)具备很高的技术重要性。最普遍的应用涉及环境空气中痕量气体的传感,如甲烷、二氧化碳、一氧化碳、甲醛等。这通常要求连续波发射进入单一光谱模式,但1mW量级的低输出功率通常就能满足要求。在军事方面的应用主要是红外对抗源干扰热寻的导弹,虽然这种应用通常不需要高光谱纯度,但大量连续波输出功率是必不可少的。中红外光源的其他潜在应用包括工业过程控制、燃烧诊断、临床呼吸分析、同位素鉴别、自由空间光通信、红外场景投影和爆炸物探测等。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高增益的带间级联激光器,其特征在于,包括:正面电极层、衬底(1)、超晶格下限制层(2)、第一波导层(3)、级联区(4)、第二波导层(5)、超晶格上限制层(6)、上接触层(7)和背面电极层;衬底(1)连接正面电极层;衬底(1)上表面为超晶格下限制层(2),超晶格下限制层(2)上表面为第一波导层(3),第一波导层(3)上表面为级联区(4),级联区(4)上表面为第二波导层(5),第二波导层(5)上表面为超晶格上限制层(6),超晶格上限制层(6)上表面为上接触层(7);衬底(1)、超晶格下限制层(2)、第一波导层(3)、级联区(4)、第二波导层(5)、超晶格上限制层(6)和上接触层(7)的相邻区域之间过度层均为InAs/AlSb多量子阱;级联区(4)由5~10个周期组成,级联区(4)每个周期包括W型有源区(8)、空穴注入区(9)和电子注入区(10),电子注入区(10)位于级联区(4)每个周期底层,空穴注入区(9)位于级联区(4)每个周期中层,W型有源区(8)位于级联区(4)每个周期上层;W型有源区(8)为GaAsSb/InAs/InGaAs/InAs/GaAsSb对称结构,符号/表示层与层之间相互连接。2.根据权利要求1所述高增益的带间级联激光器,其特征在于:衬底(1)材质为n
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型的GaSb,超晶格下限制层(2)为InAs层和AlSb层复合的超晶格;第一波导层(3)材质为GaSb,第二波导层(5)材质为GaSb;超晶格上限制层(6)为InAs层和AlSb层复合的超晶格;上接触层(7)材质为InAs。3.根据权利要求2所述高增益的带间级联激光器,其特征在于:超晶格上限制层(6)和超晶格下限制层(2)的生长周期为100~300个周期;每个生长周期里InAs层的厚度为1~3nm,AlSb层的生长厚度为1~3nm;正面电极层包括Ti/Pt/Au多层电极层,其中Ti层厚度为50nm,Pt层厚度为50nm,Au层厚度为300nm;背面电极层包括Ti/Au双层电极层,其中Ti层厚度为50nm,Au层厚度为300nm。4.根据权利要求1所述高增益的带间级联激光器,其特征在于:W型有源区(8)内上下两个GaAsSb层厚度均为2~3nm,W型有源区(8)内上下两个InAs层厚度均为1~6nm,W型有源区(8)内上下两个InGaAs层厚度均为3~5nm;电子注入区(10)包括3~7组InAs/AlSb量子阱,每组量子阱的InAs层的厚度为2~7nm,AlSb层的厚度为1~3nm;空穴注入区(9)包括1~3组GaSb/AlSb量子阱,每组量子阱的GaSb的厚度为3~6nm,AlSb的厚度为...
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