半导体激光装置制造方法及图纸

半导体激光装置包括：具有至少一个第一量子点层(242)和至少一个第二量子点层(243)的激活层(24)，第二量子点层(243)比第一量子点层(242)具有更长的发射波长。活性层(24)的增益光谱在分别对应于第一量子点层(242)的发射波长和第二量子点层(243)的发射波长的第一波长和长于第一波长的第二波长处具有最大值。将第一波长处的增益光谱最大值定义为第一最大值，将第二波长处的增益光谱最大值定义为第二最大值。第一最大值大于第二最大值。最大值。第一最大值大于第二最大值。最大值。第一最大值大于第二最大值。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光装置


[0001]本公开涉及一种包括量子点层的半导体激光装置。

技术介绍

[0002]在使用SOA(半导体光放大器)的半导体激光装置中，提出了一种通过量子点层对电子进行三维约束并在活性层附近掺杂p型杂质从而在宽温度范围内获得高输出功率的方法。
[0003]这种半导体激光装置通常具有增益在一个波长处达到峰值的特性。当环境温度变化时，增益峰值不会发生显著变化，但增益在峰值处的波长会发生显著变化。因此，当工作波长固定时，由于温度变化引起的输出波动变大。
[0004]对此，在专利文献1中，通过使用具有不同发射波长的多个量子点层来获得具有平坦峰值的增益特性。取峰值的波长段对应于工作温度范围内的波长偏移量，从而减小由于温度变化引起的增益波动。
[0005][专利文献1]JP 2008
‑
244235 A

技术实现思路

[0006]然而，如果量子点的状态密度不是完全离散的，则增益峰值随温度而波动，因此，当工作波长固定时，输出波动很大。此外，可能很难完全离散量子点的状态密度。因此，即使当增益峰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光装置，包括：活性层(24)，其具有包括一个或多个第一量子点层(242)和一个或多个第二量子点层(243)的结构，所述第二量子点层具有的发射波长长于所述第一量子点层的发射波长，其中：所述活性层的增益光谱具有在对应于所述第一量子点层的发射波长和所述第二量子点层的发射波长的第一波长和长于所述第一波长的第二波长处的最大值；将所述增益光谱在所述第一波长处的最大值定义为第一最大值；将所述增益光谱在所述第二波长处的最大值定义为第二最大值；和所述第一最大值大于所述第二最大值。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中：所述活性层中所述第一量子点层的数量大于所述第二量子点层的数量。3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中：将在所述第一波长和所述第二波长之间当所述增益光谱取最小值时的波长定义为第三波长；将所述增益光谱的强度最大时的温度定义为T
p
；低于温度T
p
的温度T
L
下的所述第二波长、温度T
p
下的所述第三波长和高于温度T
p
的温度T
H
下的所述第一波长相等；将所述第一量子点层的数量定义为X；将所述第二量子点层的数量定义为Y；将温度T
p
下的所述第一最大值定义为G
MAX1
(T
p
)；将温度T
p
下的所述第二最大值定义为G
MAX2
(T
p
)；将温度T
L
下的所述第二最大值定义为G
MAX2
(T
L
)；将温度T
H
下的所述第一最大值定义为G
MAX1
(T
H
)；和X是最接近{G
MAX2
(T
L
)/G
MAX2
(T
p
)}
·
{G
MAX1
(T
p
)/G
MAX1
(T
H
)}
·
Y的整数。4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中：所述第一量子点层中的量子点(242a)的密度大于所述第二量子点层中的量子点(243a)的密度。5.一种半导体激光装置，包括：产生激光的光源(2)，其中：所述光源包括活性层(24)，所述活性层具有带有第一量子点(242a)的一个或多个第一量子点层(242)和带有第二量子点(243a)的一个或多个第二量子点层(243)；所述第二量子点中每个的尺寸大于所述第一量子点中每个的尺寸；和所述第一量子点层的数量大于所述第二量子点层的数量。6.一种半导体激光装置，包括：产生激光的光源(2)，其中：所述光源包括活性层(24)，所述活性层(24)具有带有第一量子点(242a)的第一量子点层(242)和带有第二量子点(243a)的第二量子点层(243)；所述第二量子点中每个的尺寸大于所述第一量子点中每个的尺寸；和所述第一量子点层中所述第一量子点的密度高于所述第二量子点层中所述第二量子
点的密度。7.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其中：所述活性层的增益光谱具有在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：镰田裕树，樽见浩幸，大山浩市，武政敬三，西研一，大西裕，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社QD激光公司，
类型：发明
国别省市：