半导体激光器制造技术

一种半导体激光器，具备：光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的发光层；以及脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对光谐振器注入激励能量，其中，发光层具有5个周期以上的多量子阱结构，半导体激光器以比光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光器


[0001]本专利技术涉及一种半导体激光器。

技术介绍

[0002]半导体激光器被用作光盘、光通信等的光源。例如，在专利文献1中提出了一种GaAs/AlGaAs系半导体激光器。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开昭59
‑
104191号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术的目的在于提供一种产生超短脉冲的半导体激光器。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本专利技术的一个方式，提供一种半导体激光器，
[0010]该半导体激光器具备：
[0011]光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的发光层；以及
[0012]脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对所述光谐振器注入激励能量，
[0013]其中，所述发光层具有5个周期以上的多量子阱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光器，具备：光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的发光层；以及脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对所述光谐振器注入激励能量，其中，所述发光层具有5个周期以上的多量子阱结构，所述半导体激光器以比所述光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。2.根据权利要求1所述的半导体激...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村考宏，黑田隆之助，秋山英文，金昌秀，伊藤隆，中前秀一，
申请(专利权)人：国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：