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一种半导体激光器，具备：光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的发光层；以及脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对光谐振器注入激励能量，其中，发光层具...
该专利属于国立研究开发法人产业技术综合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过国立研究开发法人产业技术综合研究所授权不得商用。

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