【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺
[0001]
[0002]本专利技术涉及太阳能电池片生产设备
,更具体地说,涉及一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺。
技术介绍
[0003]太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能并利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P
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N结上,形成新的空穴
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电子对,在P
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N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。太阳能电池主要包括晶体硅电池和薄膜电池两种,它们各自的特点决定了它们在不同应用中拥有不可替代的地位。单晶硅太阳能电池,是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池,是当前开发得最快的一种太阳能电池。它的构造和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。单晶硅太阳能电池的制造工艺有6道工序,分别为制绒、扩散、去磷硅玻璃和背结、镀膜、丝网印刷和烧结。
[0004]扩散工序是在硅片正面形成电池的核心部件PN结。在太阳光的照射下,PN结两侧形成电势差,接通电路后就形成电流,并且扩散后还需要进行氧化处理,而扩散和氧化都需要在高温扩散炉体中进行,但是现有的扩散炉的炉体内,加热喷嘴一般都设置在炉体的内壁中,导致炉体内部温度不均匀,即靠近内壁处温度较高而中间部位温度降低的现象,影响单晶硅电池片的扩散和氧化效果。
技术实现思路
[0005]1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,可 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,其特征在于:包括以下步骤:S1、将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内,准备进行扩散提效;S2、开启快速平衡高温加热炉,将炉体内温度升高至700
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800℃并快速达到温度平衡状态,通入含有POC13的氮气和氧气,进行第一次扩散;S3、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度升高至800
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850℃并快速达到温度平衡状态,通入含有POC13的氮气和氧气,进行第二次扩散;S4、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度降至780
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795℃并快速达到温度平衡状态,通入含有POC13的氮气和氧气,进行第三次扩散;S5、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度降至500
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600℃,通入氧化气体,对扩散后的单晶硅电池片进行氧化处理,在单晶硅电池片的表面生成一层氧化膜;S6、通过湿化学清洗,将单晶硅电池片表面的氧化膜腐蚀剥离,完成整个处理工艺。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,其特征在于:所述S2中,含有POC13的氮气为500
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550sccm,通入的氧气为850
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850sccm;所述S3中,含有POC13的氮气为680
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840sccm,通入的氧气为640
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690sccm;所述S4中,含有POC13的氮气为550
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600sccm,通入的氧气为550
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590sccm。所述S5中,氧化处理时间为5
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8min,氧化气体为水蒸汽,且氧化气体内还包括有氯气。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,其特征在于:所述S5中,氧化处理时间为5
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8min,氧化气体为水蒸汽,且氧化气体内还包括有氯气。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺,其特征在于:所述快速平衡高温加热炉包括炉体(1),所述炉体(1)内部设有扩散和氧化工作区,所述炉体(1)的内壁上固定有多个等间距分布的高温炉嘴(2),所述炉体(1)的内部中心处插接有搅动轴(3),所述搅动轴(3)的顶端贯穿炉体(1)设置,所述炉体(1)的内底部中心处固定有轴承座(7),所述搅动轴(3)底端与轴承座(7)连接,所述炉体(1)的上表面固定有电机支架(4),所述电机支架(4)的顶端固定有驱动电机(5),所述驱动电机(5)的输出端与搅动轴(3)的顶端相连接,所述驱动电机(5)的外壁上固定有多组呈环形分布的扰流板(6),所述扰流板(6)上开设有扰流孔(8),所述扰流孔(8)为一端孔径大于另一端的喇叭状,相邻扰流板(6)上的所述扰流孔(8)反向设置,所述炉体(1)的左右两侧内壁上固定...
【专利技术属性】
技术研发人员:王泉龙,李琪,孙珠珠,周国栋,
申请(专利权)人:徐州中辉光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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