胶带制备工艺制造技术

技术编号:34105363 阅读:59 留言:0更新日期:2022-07-12 00:20
本发明专利技术公开了一种胶带制备工艺,该胶带制备工艺包括:如下步骤:S1、制备基材;S2、制备胶层配料;S3、将胶层配料均匀涂覆于基材一侧表面制得胶带;S4、对制得的胶带进行收卷、复卷、剪切、抽检以及包装;步骤S1中采用超疏水PET薄膜作为基材;步骤S2中采用有机硅压敏胶作为胶层配料。本发明专利技术所揭示的胶带制备方法采用超疏水PET薄膜作为基材制备胶带,从而能够在尽可能保持胶带轻薄以及高透明度的同时,有效增加胶带表面的疏水性能;胶带的超疏水表面具有超疏水、自清洁、防污以及减阻等特性,于此同时,超疏水PET薄膜还具有高透明度、耐化学性能以及强韧性等优异的物理性能,从而改良胶带的结构强度以及耐腐蚀性能。构强度以及耐腐蚀性能。构强度以及耐腐蚀性能。

【技术实现步骤摘要】
胶带制备工艺


[0001]本专利技术涉及胶带
,特别是涉及一种胶带制备工艺。

技术介绍

[0002]胶带作为人们日常生活中的常用物品被广泛应用于各个领域,其能够粘附于各种不同材质的物品表面,从而实现其胶带的粘结功能。尤其在电子产品这类以电能为工作基础的相关产品,如电脑、手机等,其内部零件、外部壳体的连接在许多场景下离不开胶带的使用,在这类需要与液体隔绝应用场景中,胶带的防腐蚀、放浸润性能则变得尤为重要。
[0003]现有的胶带通常采用PET聚酯薄膜作为基材,来增强胶带的物理性,然而,改性钱的PET聚酯薄膜表面的疏水性不足,从而使得水溶液在胶带表面容易浸润并且不易清洁分离,从而导致粘贴面收到水溶液浸润而导致漏电甚至腐蚀。

技术实现思路

[0004]基于此,有必要针对现有的胶带基材表面疏水性不足的问题,提供一种胶带制备工艺。
[0005]一种胶带制备工艺,该胶带制备工艺包括如下步骤:S1、制备基材;S2、制备胶层配料;S3、将胶层配料均匀涂覆于基材一侧表面制得胶带;S4、对制得的胶带进行收卷、复卷、剪切、抽检以及包装。
[0006]在其中一个实施例中,上述的步骤S1中采用超疏水PET薄膜作为基材。
[0007]在其中一个实施例中,上述的步骤S2中采用有机硅压敏胶作为胶层配料。
[0008]在其中一个实施例中,上述的步骤S3中的基材厚度范围为0.025mm
±
0.02mm,胶层厚度范围为0.065mm
±
0.02mm,胶带总厚度为0.090mm
±
0.02mm。
[0009]在其中一个实施例中,上述的步骤S1还包括如下步骤:S11、制备二氧化硅溶胶;S12、取预设尺寸的PET薄膜在无水乙醇环境中进行超声清洗10min,PET薄膜完成超声清洗后用离子水进行洗涤,并在70℃条件下烘干2h;S13、在空气气氛下对步骤S12处理后的PET薄膜以200W功率等离子体处理60s;S14、采用浸渍提拉法镀膜方式将步骤S13处理后的PET薄膜浸入步骤S1制得的二氧化硅溶胶中以2.0mm/s的提拉速度进行提拉镀膜;S15、将步骤S14完成镀膜后的PET薄膜置于70℃的烘箱中加热2h;S16、制备FAS修饰剂,对步骤S15中加热2h后的PET薄膜在FAS修饰剂环境中进行液相修饰30min;S17、将步骤S16中的PET薄膜从FAS修饰剂中取出,并在80℃的烘箱中烘干6h,从而制得高透明度的超疏水PET薄膜基材。
[0010]在其中一个实施例中,上述的步骤S11还包括如下步骤:S111、分别取5

15份的正硅酸乙酯、10

30份的无水乙醇、5

10份的去离子水以及0.5

1.5份的氨水(0.24mol/l);S112、取5

15份的无水乙醇与正硅酸乙酯混合,并在室温环境下磁力搅拌30min,从而制备成A溶液;S113、取与所述步骤S112中等质量分数的无水乙醇与5

10份的去离子水以及0.5

1.5份的氨水(0.24mol/l)混合制备成B溶液;S114、取A溶液进行继续搅拌,与此同时,将B溶液缓慢滴加至A溶液中,在密封室温环境下继续搅拌2h;S115、所述步骤S114中的混合溶液搅拌完成后,将该混合溶液置于室温环境下陈化4d,从而得到二氧化硅溶胶。
[0011]在其中一个实施例中,上述的步骤S16还包括如下步骤:S161取氟癸基三甲氧基硅烷以正己烷为溶剂配制成质量分数为1%的FAS修饰剂。
[0012]综上所述,本专利技术所揭示的胶带制备方法采用超疏水PET薄膜作为基材制备胶带,从而能够在尽可能保持胶带轻薄以及高透明度的同时,有效增加胶带表面的疏水性能。胶带的超疏水表面具有超疏水、自清洁、防污以及减阻等特性,于此同时,超疏水PET薄膜还具有高透明度、耐化学性能以及强韧性等优异的物理性能,从而改良胶带的结构强度以及耐腐蚀性能;而本专利技术的胶带制备方法通过对PET薄膜进行等离子改性,并以二氧化硅溶胶对PET薄膜进行浸渍提拉镀膜,从而改良FAS修饰剂对PET薄膜超疏水改性效果。
附图说明
[0013]图1为一个实施例中胶带制备工艺的工艺流程示意图;图2为一个实施例中胶带制备工艺的基材制备流程示意图;图3为一个实施例中胶带制备工艺的二氧化硅溶胶制备流程示意图;图4为一个实施例中胶带制备工艺的FAS修饰剂制备流程示意图。
具体实施方式
[0014]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进,因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0015]在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0016]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三
个等,除非另有明确具体的限定。
[0017]在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0018]在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0019]需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种胶带制备工艺,其特征在于,包括:如下步骤:S1、制备基材;S2、制备胶层配料;S3、将胶层配料均匀涂覆于基材一侧表面制得胶带;S4、对制得的胶带进行收卷、复卷、剪切、抽检以及包装。2.根据权利要求1所述的胶带制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中采用超疏水PET薄膜作为所述基材。3.根据权利要求1所述的胶带制备工艺,其特征在于,所述步骤S2中采用有机硅压敏胶作为所述胶层配料。4.根据权利要求1所述的胶带制备工艺,其特征在于,所述步骤S3中的所述基材厚度范围为0.025mm
±
0.02mm,所述胶层厚度范围为0.065mm
±
0.02mm,所述胶带总厚度为0.090mm
±
0.02mm。5.根据权利要求2所述的胶带制备工艺,其特征在于,所述步骤S1还包括如下步骤:S11、制备二氧化硅溶胶;S12、取预设尺寸的PET薄膜在无水乙醇环境中进行超声清洗10min,PET薄膜完成超声清洗后用离子水进行洗涤,并在70℃条件下烘干2h;S13、在空气气氛下对所述步骤S12处理后的PET薄膜以200W功率等离子体处理60s;S14、采用浸渍提拉法镀膜方式将所述步骤S13处理后的PET薄膜浸入所述步骤S1制得的二氧化硅溶胶中以2.0mm/s的提拉速度进行提拉镀膜;S15、将所述步骤S14完成镀膜后的PET薄膜置于70℃的烘箱中加热2h;S16、制备FAS修饰剂...

【专利技术属性】
技术研发人员:田仁杰肖红江罗远菊
申请(专利权)人:惠州联茂新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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