三角波生成电路制造技术

技术编号:3409570 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种可以降低从输入放电开始信号到实际开始放电为止的时滞的三角波生成电路。三角波振荡电路的充放电电路具有:反相电路,其对来自比较电路的切换信号进行反相;放电基准电位生成电路,其生成作为从电容放电的基准电位的放电基准电位;第1NMOS晶体管,其漏极与第1电流源电路和电容之间的连接点连接,栅极与放电基准电位生成电路生成的放电基准电位连接;第2NMOS晶体管,切换信号经由反相电路被输入其栅极,其漏极与第1NMOS晶体管的栅极连接,源极与第1NMOS晶体管的源极连接;以及第3NMOS晶体管,切换信号被输入其栅极,其漏极与第1NMOS晶体管的源极和第2NMOS晶体管的源极之间的连接点连接,源极接地。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及三角波生成电路,特别涉及利用恒流对电容进行充电并 利用比较器对充电电位和基准电压进行比较,从而控制对电容的充放电 的三角波生成电路。
技术介绍
已经公知有利用以下方法得到三角波的装置(以下称为三角波生成 电路)禾U用恒流对电容进行充电并利用比较器对电容的充电电位和基准 电压进行比较,从而控制对上述电容的充放电(参照专利文献l)。在该三角波生成电路中,基准电压存在高电位(以下称为VH)和低电位(以下称为VL),利用从基准电压VH和基准电压VL中选择任意一 个的切换器,选择基准电压VH和基准电压VL中的任意一个作为基准电 压,选择出的基准电压被输入比较器。在该三角波生成电路中,当基准电压VH被输入比较器时,电容处 于充电状态,当电容的电位达到基准电压VH时,比较器产生反应进行 控制,使得从电容进行电荷放电,并且,输入比较器的基准电压被切换 至基准电压VL。接着,当电容的电位由于放电而降至基准电压VL时,比较器再次 产生反应并再次进行控制,使得进行对电容的充电,并且,输入比较器 的基准电压被切换至基准电压VH。三角波生成电路通过重复以上的动作,生成三角波。接着,利用图3和图4具体说明该专利文献1所示的三角波生成电路。首先,使用图3说明三角波产生电路1的结构。三角波产生电路1 由以下部分构成产生与电源电压成正比的电流的电流源电路2、电容3、充放电电路4、产生与电源电压成正比的第1基准电压VH和与电源电压 成正比的第2基准电压VL的基准电压电路5、比较电路6、开关控制电 路7、第1开关电路8、第2开关电路9以及输出端子OUT。从输出端子 OUT输出三角波信号。图中的A、 B、 E、 F、 G、 J分别为信号布线。以 下,将各信号布线的电位表示为VA、 VB、 ...、 VJ,并且分别将各信号 布线中传送的信号表示为OA、 OB、 ...、 OJ。在图3的结构中,电流源电路2是产生与电源电压成正比的电流的 电路。由电流源电路2产生的电流通过信号布线A,规定充放电电路4 产生的充放电电流。利用充放电电路4产生的充放电电流,电容3被充 放电。电容3的电压端子与输出端子OUT和比较电路6的一个输入即非 反相输入端子连接。基准电压电路5产生与电源电压成正比的第1基准 电压VH和与电源电压成正比的第2基准电压VL。在此,设为第l基准 电压VH高于第2基准电压VL。第1基准电压VH和第2基准电压VL 被输入第2开关电路9。第2开关电路9的输出与比较电路6的另一个输 入即反相输入端子连接。比较电路6的输出与开关控制电路7的输入连 接。开关控制电路7的一个输出与第1开关电路8的输入连接,另一个 输出与第2开关电路9的输入连接。第1开关电路8的输出与充放电电 路4连接,进行充放电电路4的充电和放电的切换控制。第2开关电路9 的输出与比较电路6的另一个输入即反相输入端子连接,进行将布线E 的电压VE设为第1基准电压VH还是第2基准电压VL的切换控制。接着,说明图3的各结构的动作。在此,设VDD为电源电压,VSS 为接地电压。设电流源电路2产生的电流为12。 12是与电源电压成正比 地变化的电流。电流源电路2产生的电流12通过信号布线A,规定充放电电路4产 生的充放电电流。设充放电电路4产生的充放电电流为14。充电时通过 充放电电流14向电容3蓄积电荷,电容3的电压即输出端子OUT的电 压VOUT上升。比较电路6对输入反相输入端子的布线E的电压VE和输入非反相 输入端子的电压VOUT进行比较,输出信号OF。在此,比较电路6的输出信号OF是在VOUT<VE时为低电平,在VOUT>VE时为高电平的信 号。在此,设高电平表示电位为VDD,低电平表示电位为VSS。比较电 路6输出的信号<DF被输入开关控制电路7。开关控制电路7按照来自比较电路6的信号OF,输出信号OG和OJ。 设信号是当信号则为低电平时其为高电平,当信号OF为高电平时 其为低电平的信号。并且,设信号OJ是当信号OF为低电平时其为低电 平,当信号O)F为高电平时其为高电平的信号。开关控制电路7输出的信号①G被输入第1开关电路8。第1开关电 路8进行充放电电路4的充电和放电的切换控制。当信号OG为高电平 时,充放电电路4进行电容3的充电,当信号OG为低电平时,充放电 电路4进行电容3的放电。基准电压电路5产生第1基准电压VH和第2基准电压VL。在此, 第1基准电压VH和第2基准电压VL分别是与电源电压成正比地变化的 电压。第1基准电压VH和第2基准电压VL被输入第2开关电路9。并 且,进行开关控制的信号OJ被输入第2开关电路9,进行将布线E的电 压VE设为第1基准电压VH还是第2基准电压VL的切换控制。在此, 设第2开关电路9如下这样动作当信号OJ为低电平时使VE二VH,当 信号OJ为高电平时使VE=VL。第2开关电路9输出的布线E的电压被 输入比较电路6的反相输入端子。接着,说明以上这样构成的图3的三角波产生电路1的动作。当VOUT<VE时,比较电路6的输出信号OF为低电平,开关控制 电路7输出的信号OG为高电平,信号OJ为低电平。当信号(DJ为低电 平时,第2开关电路9进行控制以使VE二VH。并且,当信号①G为高 电平时,第1开关电路8控制充放电电路4,以使充放电电路4进行电容 3的充电。从而通过大小为14的充电电流向电容3蓄积电荷,电容3的 电压即输出端子OUT的电压VOUT随时间经过而上升。当VOUT的电 压上升到高于VE二VH的电压时,VOUT〉VE,比较电路6的输出信号OF 从低电平变化为高电平。伴随信号OF向高电平的变化,信号OG从高电 平变化为低电平,信号OJ从低电平变化为高电平。当信号OJ为高电平时,第2开关电路9进行控制以使VE二VL。并且,当信号OG为低电平 时,第1开关电路8对充放电电路4进行控制,以使充放电电路4进行 电容3的放电。从而通过大小为14的放电电流蓄积在电容3中的电荷被 放电,电容3的电压即输出端子OUT的电压VOUT随时间经过而下降。 当VOUT的电压下降到低于VE二VL的电压时,VOUT<VE,因此,如 上所述,VOUT随时间经过而上升。以后,重复该动作,VOUT呈三角 波状变化。接着,使用图4对作为图3的三角波产生电路1的构成的一例的电 路进行说明。图4的1 9及各布线分别与图3的1 9及各布线对应, 图4的1 9的电路相对各布线的信号的动作与图3的电路的动作对应。 此外,图4中的10表示电源电压端子,ll表示接地电压端子。在此,设 电源电压为VDD,接地电压为VSS=GND。在图4中,电流源电路2由电阻21、电阻22、电阻26、运算放大 器23、 PMOS晶体管24以及NMOS晶体管25构成。电阻21和电阻22 串联连接,电阻21和电阻22的连接点K与运算放大器23的非反相输入 端子连接。电阻21的另一个端子与电源电压端子10连接,电阻22的另 一个端子与接地电压端子11连接。运算放大器23的输出与NMOS晶体 管25的栅极连接。NMOS晶体管25的源极与电阻26的一个端子在连接 点M处连接,并与运算放大器23的反相输入端子连接。NMOS晶体管 25的漏极与PMOS晶体管24本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三角波振荡电路,其特征在于,该三角波振荡电路具有:    产生电流的第1电流源电路;    电容;    产生多个基准电压的基准电压电路;    比较电路,其比较所述电容的电压和所述基准电压,根据所述比较结果输出切换对所述电容的充电和放电的切换信号;    充放电电路,其根据所述比较电路的切换信号,对所述电容充电或从所述电容放电由所述第1电流源电路规定的电流;以及    开关电路,其根据所述比较电路的切换信号切换所述多个基准电压,    所述充放电电路具有:    反相电路,其对来自所述比较电路的切换信号进行反相;    放电基准电位生成电路,其生成作为从所述电容放电的基准电位的放电基准电位;    第1NMOS晶体管,其漏极与所述第1电流源电路和所述电容之间的连接点连接,栅极与放电基准电位生成电路生成的放电基准电位连接;    第2NMOS晶体管,所述切换信号经由所述反相电路被输入其栅极,其漏极与所述第1NMOS晶体管的栅极连接,源极与所述第1NMOS晶体管的源极连接;以及    第3NMOS晶体管,所述切换信号被输入其栅极,其漏极与所述第1NMOS晶体管的源极和所述第2NMOS晶体管的源极之间的连接点连接,源极接地。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:出口充康
申请(专利权)人:精工电子有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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