一种强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法技术

技术编号:34092817 阅读:41 留言:0更新日期:2022-07-11 21:36
本发明专利技术公开了一种TiAl/Ti2AlC强结合耐腐蚀涂层。首先,利用高功率脉冲磁控溅射系统,通过溅射纯度为99.95%的TiAl靶(Ti:Al=1:1),在基体表面沉积晶体结构为密排六方结构的TiAl层;然后,同时利用高功率脉冲磁控溅射源和直流磁控溅射源共溅射TiAl靶和石墨靶,在TiAl层表面沉积Ti

【技术实现步骤摘要】
一种强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法


[0001]本专利技术属于表面工程
,具体涉及一种强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法。

技术介绍

[0002]目前,随着科技技术的不断发展,材料器件应用的领域也越来越广泛,服役环境也越来越严苛,对耐腐蚀涂层的要求也越来越高,如海洋环境下的耐腐蚀涂层。
[0003]针对不断变化的应用环境,耐腐蚀涂层也经历了从单元到多元的发展过程,涂层结构也从单层逐步发展为复合多层。现有研究表明,众多涂层体系中过渡金属氮/碳化物是常用的涂层体系。
[0004]专利号CN113046703A的中国专利公开了一种高硬度纳米复合涂层及其制备方法与应用,包括依次形成于基体表面的过渡层和TiAlCN层,所述TiAlCN层的物相结构包括硬质纳米金属相及非晶相,所述非晶相均匀分布于所述硬质纳米金属相中,所述硬质纳米金属相包括Ti(C,N)相、TiN相、TiC相、AlN相中的任意一种或两种以上的组合,所述非晶相包括非晶碳相。但是这类涂层在海洋等严苛环境下的服役时耐蚀性能显得略有不足,难以满足复杂工况下的性能需求。
[0005]与传统过渡金属氮/碳化物不同,MAX相是一种兼具金属和陶瓷特性的具有热力学稳定、具有密排六方结构的层状材料,其中,M代表前过渡金属,A代表IIIA或IVA主族元素,X代表C或N,层与层之间依靠M原子和A原子之间弱的金属键结合,使其具有良好的导电导热性、自愈合性、抗氧化性能等。Ti2AlC是MAX相中常见的化合物,目前多以电弧、喷涂等技术得到,但喷涂、电弧离子镀等技术制备得到的涂层表面粗糙,且涂层中存在较多杂相,这些缺陷不仅为腐蚀离子提供了快速扩散通道,而且易产生电偶腐蚀,这都会降低涂层在实际应用过程中的氧化/腐蚀寿命。
[0006]专利号CN107620033B的中国专利公布一种高纯强致密MAX相涂层的制备方法,包括采用电弧离子镀与磁控溅射技术相结合,其中电弧提供M位元素,磁控提供A位Al元素,通入氮气或碳氢反应气体沉积,之后采用热处理,实现高纯强致密MAX相涂层的制备。该方法制备的MAX相涂层纯度高、致密性好、无微观缺陷。利用该方法制备的MAX相纯度较低,无法满足在海洋恶劣环境下耐腐蚀的要求。
[0007]因此,发展以MAX相为主的耐蚀涂层制备工艺,制备表面光滑、结构致密、相纯度较高的Ti2AlC涂层显得尤为重要。

技术实现思路

[0008]本专利技术公开了一种强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,该制备方法能够制备高纯度的Ti2AlC MAX相涂层,以及具有较高耐腐蚀相,较强结合力的TiAl/Ti2AlC涂层。
[0009]一种强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,包括:
[0010](1)选用TiAl合金作为靶材,氩气作为反应气体,采用高功率脉冲磁控溅射的方法
在基体表面沉积TiAl涂层;
[0011](2)然后打开C靶材,采用高功率脉冲磁控溅射和直流磁控技术共溅射方法在TiAl涂层表面沉积Ti

Al

C层;其中,TiAl合金靶材是采用高功率脉冲磁控溅射方法,C靶采用直流磁控技术溅射
[0012](3)通过退火工艺使Ti

Al

C层发生固相反应转变为Ti2AlC MAX相防护涂层。
[0013]在退火热处理过程中,通过TiAl层向Ti

Al

C层提供Al原子,补充热处理过程中Ti

Al

C层中的Al原子向外扩散而造成的损失,进而使得Ti

Al

C层获得足够Al原子形成Ti2AlC MAX相防护涂层,并且TiAl层阻碍了基体的杂质元素向Ti

Al

C层的扩散从而获得了较高纯度的Ti2AlC MAX相,达到获得较高耐腐蚀性的涂层的目的。
[0014]所述TiAl层的结构为密排六方结构,与Ti2AlC MAX相的拓扑结构类似,从而使得制备的得到的涂层具有较高的结合力。
[0015]所述基体包括TC4或不锈钢。
[0016]步骤(1)中,所述TiAl合金靶材的功率为80

120W,基体偏压为

150

0V。进一步的,所述TiAl合金靶材的功率为110

120W,基体偏压为

100
‑‑
50V。
[0017]TiAl合金靶材功率过低,Al原子受到氩离子的撞击,Al原子提供过少进而影响MAX相的转变,TiAl合金靶材功率过高,使得Al原子间的碰撞增大进而造成了Al原子的缺失,进而影响MAX相的转变。
[0018]步骤(2)中,基体偏压为

150

0V,所述碳靶功率为20

50W;
[0019]进一步的,所述TiAl靶的功率为35

45W,基体偏压为

100
‑‑
50V。
[0020]所述碳靶功率过低,则容易在MAX相中存在较多的TiAl杂质相,所述碳靶功率过高,则容易在MAX相表面形成大颗粒,使得表面不光滑,影响MAX相的结晶,且还会生成TiC相杂质,所述TiC相、TiAl相杂质能够与MAX相形成电势差,从而影响涂层的耐腐蚀性。
[0021]所述退火工艺为:退火温度为600

900℃,时间为1

5h。
[0022]所述TiAl涂层为密排六方结构,厚度为0.5

1μm,元素原子比为Ti:Al=1

6:4,所述Ti

Al

C层厚度为3

7μm,元素原子比大致在6:5:2

4:3:3比例区间。
[0023]进一步的,所述TiAl层厚度为0.5

0.7μm,所述Ti

Al

C层厚度3

6μm。
[0024]在所述退火温度和时间下,当TiAl的厚度过薄则Al原子过快的扩散至外部,Ti

Al

C层无法获得足够的Al原子,当TiAl的厚度过厚,TiAl层的Al原子无法获得足够的能够扩散至Ti

Al

C层,同样Ti

Al

C层无法获得足够的Al原子。
[0025]在沉积TiAl层和Ti

Al

C层过程中,腔体的气压为0.4

2Pa。进一步的,在沉积TiAl层和Ti

Al

C层过程中本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,其特征在于,包括:(1)选用TiAl合金作为靶材,氩气作为反应气体,采用高功率脉冲磁控溅射的方法在基体表面沉积TiAl涂层;(2)然后打开C靶材,采用高功率脉冲磁控溅射和直流磁控技术共溅射方法在TiAl涂层表面沉积Ti

Al

C层;(3)通过退火工艺使Ti

Al

C层发生固相反应转变为Ti2AlC MAX相防护涂层得到强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层。2.根据权利要求1所述的强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,其特征在于,所述基体包括TC4或不锈钢。3.根据权利要求1所述的强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述TiAl合金靶材的功率为80

120W,基体偏压为

150

0V。4.根据权利要求3所述的强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,其特征在于,所述TiAl合金靶材的功率为110

120W,基体偏压为

100
‑‑
50V。5.根据权利要求1所述的强结合高耐蚀TiAl/Ti2AlC涂层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,基体偏...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪爱英周定伟王振玉周广学李忠昌
申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
类型:发明
国别省市:

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