半导体器件及其制造方法技术

本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：电容器，设置在衬底上，包括下电极、介电层和上电极；以及放电结构，与电容器间隔开，连接至电容器的上电极，并适于将由用于形成电容器的上电极的等离子体工艺所诱导的电荷放电至衬底。诱导的电荷放电至衬底。诱导的电荷放电至衬底。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月5日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0000858号的优先权，其整体公开内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术的各实施方式涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及包括放电结构的半导体器件及其制造方法，该放电结构能够将等离子体诱导电荷放电到衬底。

技术介绍

[0004]半导体器件的制造包括等离子体工艺的多个步骤。等离子体工艺主要被应用于沉积或刻蚀工艺期间。然而，来自等离子体工艺的等离子体诱导电荷可能导致半导体器件的电性能劣化。需要新的改进的解决方案。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施方式涉及一种能够通过防止等离子体诱导损伤(PID)来提高半导体器件的性能的半导体器件及其制造方法。
[0006]根据本专利技术的一个实施方式，一种半导体器件包括设置在衬底上并包括下电极、介电层和上电极的电容器；以及放电结构，该放电结构与电容器间隔开，连接至电容器的上电极，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：电容器，设置在衬底之上并包括下电极、介电层和上电极；以及放电结构，与所述电容器间隔开，连接至所述电容器的上电极，并且适于将由用于形成所述电容器的上电极的等离子体工艺所诱导的电荷放电到所述衬底。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述放电结构包括：第二电极；第一电极，连接至所述第二电极；放电接触插塞，连接至所述第一电极；以及二极管，连接至所述放电接触插塞并形成于所述衬底中。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二电极连接至所述上电极。4.如权利要求2所述的半导体器件，还包括：接触插塞，其两端分别连接至所述衬底和所述电容器，其中，所述放电接触插塞和所述接触插塞位于相同的水平面。5.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述放电接触插塞还包括：第一放电接触插塞，连接至所述二极管；以及第二放电接触插塞，其两端分别连接至所述第一放电接触插塞和所述第一电极。6.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电极和所述下电极具有相同的结构并且位于相同的水平面。7.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第二放电接触插塞包括金属。8.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一放电接触插塞包括半导体材料。9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括金属线，所述金属线在所述电容器之上连接至所述电容器。10.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有筒形或柱形。11.如权利要求2所述的半导体器件，还包括支承件，所述支承件覆盖所述第一电极的外壁。12.一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；电容器，设置在所述衬底的第一区域上，并且包括下电极、介电层及上电极；以及放电结构，与所述电容器间隔开，连接至所述电容器的上电极，并适于将由用于形成所述电容器的上电极的等离子体工艺所诱导的电荷放电到所述衬底的第二区域。13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述放电结构包括：第二电极；第一电极，连接至所述第二电极；放电接触插塞，连接至所述第一电极；以及第一二极管，连接至所述放电接触插塞并形成于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：南相润，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：