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本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：电容器，设置在衬底上，包括下电极、介电层和上电极；以及放电结构，与电容器间隔开，连接至电容器的上电极，并适于将由用于形成电容器的上电极的等离子体工艺所诱导的电荷放电至衬底。诱导的电荷...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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